Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Элементы физики твёрдого тела. Учебное пособие

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
08.09.2026
Размер:
2 Мб
Скачать
☆
энергию
2eU
2eU
ω
k
ϑ (ϑ
ϑ
(U – разность потенциалов, приложенная к контакту). В обычном металле эта энергия была бы необ­ходима для преодоления сил сопротивления. При протека­нии же сверхпроводящего тока не требуется затрат энергии, и полученная электронной парой порция
2eU
ν
в виде кванта с частотой
=
. Тот факт, что излучение
излучается
происходит именно с такой частотой, можно рассматривать как экспериментальное подтверждение правильности тео­ретического представления о существовании в сверхпрово­дниках связанных электронных пар.
Возможна ли сверхпроводимость при высоких тем-
пературах? Существует два главных направления поис-
ков веществ с высокими Тк. Первое из них базируется на использовании возможностей рассмотренного механизма сверхпроводимости, второе связано с поиском новых высо­котемпературных механизмов сверхпроводимости.
Для температуры Тк, при которой обычные сверхпрово­дники переходят в нормальное состояние, в теории получе­но соотношение:
ρ
Т
=−1141,
к
ω
, (129)
где
– средняя энергия фононов, по порядку величины
равная
– температура Дебая);
ρ – константа связи, определяющая межэлектронное
притяжение.
Из (129) видно, что значения Тк не могут превосходить
, экспоненциальный множитель приводит к уменьшению
Тк примерно на порядок, что и соответствует наблюдаемым
низким значениям температур, при которых отмечается эф­фект сверхпроводимости.
Обычный механизм сверхпроводимости, как отмеча­лось, связан с деформацией и поляризацией кристалличе-
141
ской решётки электронной системой металла. Таким обра­зом, малость Тк связана с особенностями кристаллической решётки. Если изменить структуру кристаллической решёт­ки так, чтобы электроны сильнее связывались друг с дру­гом, то можно повысить Тк и с помощью обычного механиз­ма электронно-ионного взаимодействия.
Но если говорить о высокотемпературной и комнатно­температурной сверхпроводимостях, то в этом случае мо­жет помочь только поиск новых механизмов сверхпроводи­мости.
Притяжение электронов, приводящее к сверхпроводи­мости, создаётся, как только что отмечено, за счёт промежу­точной среды. Возникает вопрос: а нельзя ли найти другую среду, которая обеспечила бы более сильное межэлектрон­ное притяжение?
Как показывают современные исследования, таких сред может быть предложено достаточно много. Рассмотрим не­которые из них.
Б. Т. Гейликманом были исследованы две возможности установления сверхпроводящего состояния. Первая из них реализуется, по-видимому, в сплавах, содержащих так на­зываемые переходные металлы.
Необходимым условием сверхпроводящего состояния, согласно теории, является наличие перекрывающихся энер­гетических зон (рис. 52). Электроны, принадлежащие более узкой зоне, менее подвижные и характеризуются большей эффективной массой т*.
а
в
Рис. 52
142
Электроны, относящиеся к зонам а и в, отличаются как своими эффективными массами, так и волновыми функ­циями, описывающими их квантово-механическое состоя­ние. В обеих зонах имеются незаполненные энергетические уровни, благодаря чему становятся возможными электрон­ные переходы. Кулоновское взаимодействие между электро­нами, принадлежащими различным зонам, и приводит к об­разованию куперовских сверхпроводящих пар. Появление дополнительного межэлектронного взаимодействия, напри­мер, в зоне а (условия для установления сверхпроводящего состояния в широкой зоне оказываются более благоприят­ными) можно представить себе следующим образом. Элек­трон, принадлежащий зоне а, посредством кулоновских сил вызывает переход в-электрона в возбуждённое состояние.
Обратный переход в-электрона изменяет состояние дру­гого а-электрона, что в результате означает появление до- полнительного межэлектронного взаимодействия в зоне а. Система станет сверхпроводящей, если определяемое ука­занным механизмом притяжение окажется более интенсив­ным, чем обычное кулоновское отталкивание а-электронов.
Рассмотренный механизм аналогичен обычному, од­нако роль кристаллической решётки играют электроны, принадлежащие к узкой зоне. Их эффективная масса, как известно, значительно превосходит массу свободного элек­трона. Таким образом, можно сказать, что почти свобод­ные а-электроны, принадлежащие широкой зоне, образу­ют сверхпроводящую систему благодаря взаимодействию с «тяжёлыми» электронами.
1
−
2
~
Выше мы приводили соотношение Т
µ
к
, связыва­ющее критическую температуру и массу иона. При новом, электронном, механизме сверхпроводимости в этом соотно-
1
*-
шении будет фигурировать масса в-электрона: Т в силу неравенства
µ
>> m
*
делает возможным сверхпрово-
~
к
2
, что
143
дящее состояние с более высокой Тк. Соответствующий рас­чёт даёт, что в сплавах с перекрывающимися зонами может наблюдаться сверхпроводимость, сохраняющаяся до темпе­ратур порядка 102 ÷ 103 К.
Другая возможность может быть рассмотрена на при­мере системы, представляющей собой сплав металла с не­металлическим веществом. Электроны проводимости могут перемещаться по всему металлу. Вторая же группа частиц образована электронами неметаллических включений. Вза­имодействие этих двух групп электронов и приводит к воз­можности возникновения сверхпроводимости в металле.
Новый механизм сверхпроводимости, не связанный со взаимодействием электронов с решёткой кристалла и мо­гущий привести к высоким значениям Тк , был предложен В. Л. Гинзбургом. Если на поверхность металлического об­разца нанести диэлектрический или мономолекулярный слой, то электронные переходы в такого рода покрытии мо­гут привести к появлению сверхпроводимости электронов металла.
Рассмотренный поверхностный эффект может привести к заметному повышению Тк в случае, когда покрытие нано­сится на достаточно тонкий металлический слой. Наиболее сильно он может проявиться в сложной структуре, называ­емой «сэндвичем» и состоящей из тонкой металлической плёнки и прилегающих к ней с обеих сторон слоёв диэлек­трика.
В последнее время усилился интерес к изучению фи­зических свойств органических соединений. Проводящий органический кристалл в принципе может, конечно, обна­руживать и сверхпроводящие свойства. Сверхпроводящее состояние в этих кристаллах может возникнуть за счёт взаимодействия π-электронов с неколлективизированными электронами и т. д.
144
Таким образом, существуют достаточно убедительные основания, позволяющие рассчитывать на создание в бли­жайшее время образцов, обнаруживающих сверхпроводи­мость при высоких температурах. А пока исследование ке­рамик позволило в соединениях оксида иттрия, бария и меди получить критические температуры Тк = 90 К. Наивысшая температура Тк = 135 К достигнута для
HgBa Ca Cu O
2238+х
без давления; под довольно большим давлением для него уже Тк = 164 К.
В 1989 г. был открыт новый класс сверхпроводников, носителями заряда у которых являются электроны. Это от­крытие даёт надежду на получение сверхпроводящих ма­териалов с более высокими критическими температурами и создание теоретического объяснения высокотемператур­ной сверхпроводимости.
Применение сверхпроводимости. Если раньше сверх­проводящие вещества в основном были предметом иссле­дования, то в последнее время всё больше возрастает роль сверхпроводимости как метода, с помощью которого полу­чаются интересные результаты в различных областях физи­ки и техники.
Много исследований посвящается вопросу об исполь­зовании сверхпроводников при создании вычислительных машин. Сверхпроводящий ток является незатухающим. Это позволяет использовать его в качестве идеального запоми­нающего устройства, хранящего большие и легко считывае­мые запасы информации.
Скорость «вспоминания» сверхпроводящих устройств значительно превышает возможности человеческого мозга. Они в состоянии всего лишь за 10 –6 с выбрать нужную ин­формацию из 1011 её единиц.
В вычислительной технике используется двоичная си­стема. Двойственность сверхпроводников (они могут нахо­диться или в нормальном, или в сверхпроводящем состоя-
145
нии), быстрота их перехода под действием температуры или магнитного поля из одного состояния в другое позволяют использовать сверхпроводники в качестве элементов вычис­лительных машин. Сверхпроводники используются и в ка­честве переключающих устройств, работающих с очень вы­сокой скоростью при малых затратах мощности.
Одно из таких устройств – так называемый проволоч­ный криотрон. Он состоит из проволоки, сделанной, напри­мер, из свинца или тантала, по которой протекает сверхпро­водящий ток. Эта проволока называется клапаном. На неё намотана более тонкая проволока из ниобия. Катушка, обра­зованная этим тонким проводом, называется управляющей. При протекании в ней достаточно большого тока сверх­проводимость в клапане разрушается. Ниобий был выбран в качестве материала, из которого изготавливается управля­ющий провод, по той причине, что сверхпроводимость со­храняется в нём при достаточно сильных магнитных полях. Критические же поля свинца или тантала, образующих кла­пан, являются весьма малыми, и сверхпроводимость разру­шается в них при пропускании в ниобиевой катушке доста­точно слабого тока. Сопротивление в клапане меняется при этом скачком от нуля до некоторого конечного значения. Это соответствует размыканию цепи. Уменьшение тока в управ­ляемом проводе снова восстанавливает сверхпроводящее состояние свинца или тантала.
Скорость переключения в криотронах достигает двух наносекунд. Высокая скорость в сочетании с простотой устройства и лежит в основе использования сверхпроводя­щих криотронов в вычислительной технике.
Сверхпроводник, в толщу которого не проникает маг­нитное поле, всегда окружён магнитной «подушкой». Эф­фект механического отталкивания, о котором мы говорили выше («гроб Магомета»), используется в настоящее время
146
для создания опор без трения. Такие подвесы могут исполь­зоваться в гироскопах, моторах и ряде других устройств.
Принцип механического отталкивания положен в осно­ву создания электрических машин с к. п.д., равным 100 %. В этих машинах вращающаяся часть – ротор – выполнена в виде шестиугольного сверхпроводящего стаканчика. Два магнита, вращающиеся по окружности статора, отталкива­ют от себя магнитной «подушкой» сверхпроводящий ротор. Последний приходит во вращение, скорость которого дохо­дит до 20 000 об/мин.
Этот же принцип механического отталкивания исполь­зуется в поездах на «магнитной подушке».
Многообразно применение сверхпроводимости в техни­ке сильных токов: линии электропередачи и генераторы для выработки электроэнергии; накопители, предназначенные для «сброса» электроэнергии в сеть в часы «пик»; сверх­проводящие магниты.
При этом, если сверхпроводящим линиям электропереда­чи и другим устройствам ещё только предстоит завоёвывать место под солнцем, то в отношении электромагнитов, способ­ных создавать сверхсильные поля, вопроса о достоинствах применения сверхпроводников даже не возникает. Напри­мер, чтобы с помощью обычного соленоида создать поле по­рядка 10 Тл, необходима электрическая мощность тока около 5000 кВт. Такой ток выделяет столь значительную тепловую мощность, что для её отвода нужно прокачивать через соле­ноид не менее нескольких кубометров воды в минуту.
Если же для этой цели использовать магнит со сверх­проводящей обмоткой, то в принципе энергия нужна только на первом этапе – для наведения в нём тока. Затем магнит вообще можно отключить от источника питания.
Мы кратко рассказали здесь о некоторых областях приме­нения сверхпроводников. Всё ли мы охватили? Конечно, нет.
147
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. За счёт каких взаимодействий возникают жидкое и твёр­дое состояния инертных газов? Перечислите их виды.
2. Как образуется молекула NaCl?
3. Когда при сближении двух атомов водорода образуется молекула?
4. Почему лёд плавает в воде?
5. До каких пор происходит сближение атомов при образо­вании молекулы и за счёт чего возникают силы отталки­вания между атомами?
6. Чем отличаются друг от друга решётка Бравэ и решётка с базисом?
7. Укажите основные виды дефектов в кристалле.
8. Чем отличаются друг от друга поликристаллы и моно­кристаллы?
9. Что не смогла объяснить классическая теория?
10. Каковы основные положения модели Эйнштейна?
11. Какие колебания называются нормальными? В чём суть дебаевской частоты?
12. Напишите выражения, определяющие энергию кванто­вого осциллятора и энергию его нулевых колебаний.
13. Дайте определение понятию фонон. Какой функцией распределения описываются фононы? Что выражает эта функция распределения?
14. Напишите выражение, определяющее среднюю энер­гию возбуждённого нормального колебания.
15. Какие факторы определяют изменение энергии кристал­ла в области низких и высоких температур?
16. Какие температуры называют низкими и высокими?
17. Как связаны между собой молярная теплоёмкость и энергия кристалла?
18. Какие опыты показали, что носителями тока в металлах являются электроны?
148
19. Укажите основные положения классической теории электропроводности.
20. Перечислите основные недостатки этой теории.
21. Какое поле называется самосогласованным?
22. Какими числами определяется состояние электронов в атоме?
23. В чём состоит принцип Паули?
24. Какие уровни энергии в атоме называются вырожден­ными?
25. Какой переход называется туннельным?
26. Как возникают энергетические зоны? Состояние каких электронов при образовании кристалла испытывает наибольшее изменение?
27. Как называются разрешённые нижняя и верхняя зоны?
28. В чём состоят приближения сильной и слабой связей?
29. Какой характер имеет заполнение зон электронами для металлов? Как образуются зоны у щёлочных и щёлоч­но-земельных металлов?
30. Нарисуйте зонную структуру для элементов IV группы.
31. С точки зрения зонной структуры чем отличаются полу­проводники от диэлектриков?
32. Могут ли электроны внешних энергетических зон диэ­лектрика свободно перемещаться по всему кристаллу? Сформулируйте достаточное условие для появления у тел высокой проводимости.
33. Сформулируйте физический смысл химического потен­циала.
34. Какие микрочастицы относятся к фермионам, какие к бозонам и как они ведут себя в коллективе?
35. Сформулируйте принцип тождественности одинаковых частиц.
36. Связь между какими типами величин осуществляет ста­тистическая функция распределения?
149
37. Какое пространство называется фазовым? Как кванту-
()
T >
ϑ
T <<
ϑ
()
()
fT
ется фазовое пространство?
38. Сформулируйте условие невырожденности.
39. Какой уровень называется уровнем Ферми?
40. Напишите выражение, определяющее функцию Ферми-
E
Дирака, и нарисуйте график f
41. Почему теплоёмкость электронного газа не сказывается на теплоёмкости твёрдого тела в области высоких тем­ператур?
42. Сформулируйте понятие дырки.
43. Где располагаются примесные уровни?
44. Где располагается уровень Ферми в собственном и при­месном полупроводниках? Как меняется положение уровня Ферми при повышении температуры?
45. Напишите выражение для подвижности носителей. Ка­кая величина называется временем релаксации?
46. Чем определяется зависимость сопротивления прово­дника от температуры при бая) и при
47. Как по зависимости запрещённой зоны в собственном полупроводнике?
48. Как по зависимости активации примеси?
49. Какое явление называется внутренним фотоэффектом?
50. Какая система называется экситоном?
51. Как получается р-п-переход методом сплавления?
52. Нарисуйте вольт-амперную характеристику р-п-перехода.
53. Какие носители образуют обратный ток р-п-перехода?
54. В чём суть явления сверхпроводимости? Какая темпера­тура называется критической?
55. В чём состоит эффект Мейсснера? Как возникает иде­альный диамагнетизм?
56. При каком энергетическом спектре электронов не могут протекать процессы рассеяния электронов?
?
lnσ=
lnσ=
=
ф
fT
определить ширину Еg
.
(ϑ – температура Де-
определить энергию
150