книги из ГПНТБ / Трусов Л.И. Островковые металлические пленки
.pdf2. Адсорбция
Влияние адсорбции на электросопротивление ост ровковых, сетчатых, или рыхлых структур имеет слож
ный характер и |
зачастую |
трудно воспроизводимо. |
В настоящее время |
имеется |
мало надежных экспери |
ментальных данных. Вместе с тем этот вопрос очень ин
тересен, поскольку таким |
образом |
можно |
обнаружить |
|||||
новые |
закономерности |
обратимого |
изменения проводи |
|||||
мости. |
|
Митчел [13, |
с. 263] исследовали |
влияние |
||||
Эванс и |
||||||||
адсорбции |
кислорода |
на |
электросопротивление |
пленок |
||||
меди |
|
О |
осажденных |
при |
температуре |
|||
толщиной 740А, |
||||||||
жидкого азота в вакууме |
ІО-8 мм |
рт. |
ст. Если |
в отсут |
||||
ствие кислорода происходит быстрое уменьшение сопро
тивления, |
то |
присутствие |
очень |
небольшого |
коли |
||||
чества кислорода, соответствующего |
3% |
покрытия |
по |
||||||
верхности, |
вызывает существенное увеличение |
сопро |
|||||||
тивления. Сопротивление, |
измеренное |
при |
темпер ату-, |
||||||
р е — 183°С, |
эффективно стабилизируется |
в присутствии |
|||||||
кислорода. |
|
площади |
поверхности |
однородно |
по |
||||
Уменьшение |
|||||||||
ристой структуры пленки |
вследствие |
отжита |
происхо |
||||||
дит в результате процессов, |
зависящих от поверхност |
||||||||
ной мипрации атомов меди, причем адсорбция кислоро да подавляет эту подвижность.
Сплошная пленка, осажденная при низкой темпера туре, согласно модели Эванса и Митчела, состоит из цилиндрических структурных элементов в виде прут ков-многогранников с открытой івінутрисвязанной ячеис той структурой. Узлы этой структуры, которые опреде ляются точками пересечения краев, образуют регуляр ное трехмерное распределение. Высокое электросопро тивление обусловлено малой эффективной площадью контакта в области узлов, которая увеличивается в процессе отжита.
Адсорбция кислорода непрерывной пористой плен кой влияет не только на поведение сопротивления, но может изменить и знак температурного коэффициента сопротивления [350]. Пленка меди толщиной 100—
О
150 А, осажденная при 77°К и насыщенная после кон денсации кислородом, имеет отрицательный знак ТКС. При нагревании в интервале температур 77—500°К
271
ТКС увеличивается, проходит через нуль и становится положительным, что можнообъяснить десорбцией кис лорода, адсорбированного 'первоначально не только и»- открытых поверхностях, но и в области контактов
кристаллитов пленки.
Одно из первых исследований адсорбции газов ультратонкими металлическими слоями выполнили Мостовеч и Водар [230; 258, с. 1702, I860; 247, с. 213]. Они установили, что при (воздействии на пленки, осаж денные при комнатной или более низкой температуре, различных газов, таких как азот, водород, углекислый газ и гелий при давлении больше 10~4 мм рт. ст. про исходит необратимое уменьшение электросопротивле ния, которое достигает нескольких порядков. ТКС, от рицательный в исходном состоянии, также изменяется,
|
|
|
|
|
|
уменьшаясь |
по |
|
абсолютной |
|||||||
|
|
|
|
|
|
величине, и может стать по |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
ложительным. |
|
изменения |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
Исследования |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
удельной поверхности и теп |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
лоты |
адсорбции |
пленок ту |
||||||||
|
|
|
|
|
|
гоплавких |
металлов, |
осаж |
||||||||
|
|
|
|
|
|
денных |
ниже |
|
комнатной |
|||||||
|
|
|
|
|
|
температуры, |
показали, |
что |
||||||||
|
|
|
|
|
|
поверхность |
и |
теплота |
ад |
|||||||
|
|
|
|
|
|
сорбции |
уменьшается |
по |
||||||||
|
|
|
|
|
|
мере |
протекания |
адсорбции |
||||||||
|
|
|
|
|
|
[344], |
что |
свидетельствует |
||||||||
|
|
|
|
|
|
о |
крайней |
нестабильности |
||||||||
|
|
|
|
|
|
структуры |
пленок. |
|
Доста |
|||||||
Рис. |
84. |
Температурная |
зависи |
точно |
самого |
|
небольшого |
|||||||||
внешнего |
воздействия, |
что |
||||||||||||||
мость |
проводимости пленки |
вольф |
||||||||||||||
рама |
при |
различных давлениях в |
бы некоторые |
атомы |
сме |
|||||||||||
вакуумной |
камере, |
мм |
рт. |
ст.: |
стились в |
более |
равновес |
|||||||||
1—2 - 1 0 |
_JQ |
_g |
данным ра |
|||||||||||||
; |
2—10 |
(по |
ное состояние, т. е. вступили |
|||||||||||||
боты |
[60, |
с. 3074]). <2 = |
1,5-10 2эв |
|||||||||||||
во |
взаимодействие |
с |
боль |
|||||||||||||
осуществилось |
|
|
шим |
числом |
|
соседей, |
или |
|||||||||
диффузионное |
|
смещение |
|
дефекта. |
||||||||||||
Это может произойти в результате передачи |
кинетиче |
|||||||||||||||
ской энергии |
адсорбированных |
атомов, или за |
счет вы |
|||||||||||||
делившейся энергии адсорбции. В результате повыша ется плотность пленки, что приводит к уменьшению со противления и увеличению ТКС.
272
Адсорбция некоторых |
веществ, |
помимо |
|
уплотнения |
|||||||||||
материала |
пленки, |
в |
большей |
или |
меньшей |
степени |
|||||||||
изменяет положение |
|
энергетических |
уровней |
электро |
|||||||||||
нов. |
Кислород |
и некоторые |
другие |
газы |
в |
результате |
|||||||||
хемосорбции |
увеличивают |
работу |
выхода |
и, |
следова |
||||||||||
тельно, меняют |
потенциальный |
барьер между |
остров |
||||||||||||
ками. Помимо' этого, может уменьшиться |
число элект |
||||||||||||||
ронов |
проводимости |
вследствие |
их локализации |
на |
|||||||||||
химических |
|
связях |
|
с |
адсорбированным |
|
газом |
[60, |
|||||||
с. 3074]. В |
результате |
адсорбция |
кислорода |
|
вызывает |
||||||||||
существенное |
|
уменьшение |
проводимости. На |
рис. |
84 |
||||||||||
представлено |
изменение |
положения |
кривой |
темпера |
|||||||||||
турного хода проводимости пленки вольфрама |
при из |
||||||||||||||
менении давления от 2 -10~10 (1) до 10~6 мм рт. ст. |
(2). |
||||||||||||||
Дипольные молекулы окиси бария, как |
показано в |
||||||||||||||
предыдущей |
главе, |
наоборот, |
увеличивают |
проводи |
|||||||||||
мость, благодаря уменьшению работы выхода. |
|
|
|||||||||||||
Достаточно |
интенсивная |
хемосорбция, |
переходящая |
||||||||||||
в окисление |
островковых |
пленок |
химически |
активных |
|||||||||||
металлов, может привести к уменьшению |
|
металличес |
|||||||||||||
кого объема |
островков и соответственно к |
увеличению |
|||||||||||||
расстояния между ними. Этим эффектом Фехлнер [351] объясняет линейный участок временной зависимости сопротивления в координатах log/? — Іоgx пленок цир кония, осажденных в ультраівысоком вакууме и выдер жанных в кислороде при давлении 5 -ІО-7 4- 4-
• ІО-8 мм рт. ст.
3. Влияние электрического поля. Роль электростатических зарядов
Электростатические заряды и электрическое поле, приложенное как вдоль подложки, так и перпендику лярно к ней, могут существенно изменять электрофизи ческие свойства пленки, поскольку они влияют на фор мирование ее структуры в процессе роста и после окон чания конденсации.
В предыдущей главе описаны работы, эксперимен тально подтверждающие наличие сравнительно высо кой электрической проводимости в пленках, состоящих из изолированных и относительно далеко расположен ных друг от друга островков. В свете эксперименталь ных фактов, а также теоретических гипотез, объяс
273
няющих электрическую проводимость, можно считать установленным, что островки содержат с высокой ве роятностью избыточные электрические заряды, которые
сравнительно легко перемещаются от одного |
островка |
|
к |
другому. Присутствие избыточных зарядов |
приводит |
к |
.возникновению притягивающих и отталкивающих |
|
сил взаимодействия между островками, величина и на
правление |
которых |
зависят от |
размера |
островков и |
|||
зазоров между ними, а также |
от величины и знака |
||||||
этих |
зарядов. Электростатические |
силы |
взаимодейст |
||||
вия |
являются причиной миграции |
островков |
и их коа |
||||
гуляции—слипания, |
или |
жидкоподобной |
|
коалесцен- |
|||
ции |
(гл. II). |
|
|
|
|
|
|
Помимо' |
сил |
межостровкового взаимодействия, |
|||||
электростатические |
заряды |
обусловливают |
изменение |
||||
равновесной формы островка, поскольку его свободная энергия в присутствии заряда изменяется. Чопра [203] считает, что заряженный островок приобретает форму сплющенного сфероида и при этом увеличивается пло щадь поверхности раздела островка и подложки. Сле довательно, степень заполнения пленки возрастает, а
расстояние между островками уменьшается. Этот |
эф |
|||||||||
фект |
должен |
интенсифицировать |
процесс |
контактиро |
||||||
вания |
и |
привести |
к образованию |
электрически |
непре |
|||||
рывной |
сетчатой |
структуры |
на более ранней |
стадии |
||||||
роста. |
|
|
избыточных |
зарядов |
на |
металличес |
||||
Наличие |
||||||||||
ких |
островках, |
расположенных |
на |
диэлектричес |
||||||
кой подложке, |
имеет общий |
характер, и влияет |
на |
|||||||
структурные |
и физические |
свойства |
пленок. |
Однако |
||||||
прямое обнаружение этих зарядов связано с большими трудностями вследствие их динамичности и специфики эксперимента.
Влияние внешнего электрического поля, приложен ного вдоль поверхности подложки, впервые установлен
ное, по-видимому, Чопра |
[203], |
имеет более локальное |
|||
значение и |
опосредствовано через |
перераспределение |
|||
зарядов на |
островках. Воздействие |
внешнего поля на |
|||
структуру и некоторые свойства |
островковых |
пленок |
|||
наблюдали |
в ряде работ [203; 12, |
с. 89; 63, т. 8, |
с. 141; |
||
204; 171, с. 698; 352]. |
|
|
|
|
|
Чопра [203; 12, с. 89; 63, т. 8, с. 141] показал, что |
|||||
приложение |
постоянного |
электрического' поля |
в пло |
||
274
скости подложки в процессе конденсации способствует увеличению оплошности. Критическая толщина, при которой получается электрически непрерывная сетча тая структура, уменьшается с увеличением поля. Кро ме того, наблюдается усиление ориентационных эффек тов и уменьшение количества дефектов при конденса ции на монокристаллическую подложку.
На рис. 85 показан сдвиг кривой зависимости со противления от толщины в процессе конденсации под действием постоянного поля напряженностью 100 в/см при температурах 100 и 300°С. При осаждении в поле
Рис. 85. Зависимость электросопротивления пленок золота, осажденных на слюде, от их толщины при различных зна чениях напряженности поля (в/см) и различных температу рах подложки Т (°С):
j 3 —F ^ ЮО;* 2, 4 —F ~ 0; |
1,2 — Тп =100: 3, 4 — Т п =300 |
(по данным работы [203]) |
|
сопротивление -сплошных |
пленок значительно ниже. |
С увеличением температуры влияние поля усиливается. Зависимость критической толщины пленки от напря женности поля показана на рис. 86. Наибольшее влия ние на формирование структуры поле оказывает в пе-
275
рио'Д кбалесценции, т. е. когда островки достаточно велики, но еще изолированы друг от друга. На стадии непрерывной структуры поле не влияет на дальнейший
рост пленки.
Изменение энергии активации проводимости и
вольтамперных характеристик |
в |
низкотемпературной |
||||||
области |
исследовали |
Ахилиа |
и |
Гирш |
[171, с. 698]. |
|||
На рис. 87 представлена температурная |
зависимость |
|||||||
проводимости пленок |
платины |
двух толщин, |
осажден |
|||||
ных при отсутствии поля |
(кривые 2 и 4) и в |
поле |
F = |
|||||
= 40 вісм |
(кривые 1 и 3). |
Изменение структуры |
при |
|||||
Рис. 86. |
Зависимость |
крити |
Рис. |
87. Температурная |
зависи |
|||||||
ческой толщины h |
кр |
пленок |
мость |
проводимости |
и |
пленок |
плати |
|||||
серебра, |
|
|
|
на |
ны (пленки |
1—2 |
3—4 попарно |
|||||
осажденных |
осаждались |
одновременно и имели |
||||||||||
стекло, |
от |
температуры |
одинаковую |
толщину |
образцов |
па |
||||||
подложки: |
приложено; |
2— |
ры) при различных энергиях акти |
|||||||||
І — поле |
не |
вации эв: |
|
|
|
|
|
|||||
Е=102 вісм |
|
|
|
|
/—0,49-ІО- "3; 2—0,51*10 3; |
3—4,59- |
||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
_з |
|
_з |
(поданным |
ра |
||
|
|
|
|
|
|
•10 |
; 4—13.7-10 |
|||||
|
|
|
|
|
|
боты |
[171, с. 698]) |
|
|
|
|
|
росте в поле таково, что проводимость у увеличивается,
а энергия активации уменьшается. Другими |
словами, |
||
приложение |
поля к подложке в процессе формирова |
||
ния пленки |
приводит |
к тому, что она имеет |
характе |
ристики, свойственные |
более толстой пленке. Это наб |
||
людение согласуется с исследованиями Чопра. |
осущест |
||
Р. А. Жилинскас и |
Л. А. Якученис [352] |
||
вили конденсацию алюминия на подложки, вдоль поверх-
276
»ости которых было приложено (переменное поле раз личной частоты и напряженности, а также поле пря моугольных импульсов и постоянное поле. При одина ковой напряженности наибольшее уменьшение крити ческой толщины обнаружено в постоянном поле. Час
тота и форма |
импульсов сравнительно слабо влияют |
на формирование пленки. |
|
Согласно |
интерпретации Чопра [203], присутствие |
зарядов даже одного знака приводит к интенсификации миграции и коагуляции, а следовательно, к образова нию непрерывной -пленки на более ранней стадии рос та. Однако в работе Кеннеди и др. [204] при последо вании пленок свинца, олова и индия экспериментально наблюдали противоположный эффект. Как и в работе [203], при -помощи непосредственного измерения тока через зонд, установленный на пути пучка, было уста новлено, что атомный поток несет інескомпеівсированный положительный заряд в количестве -одного единич ного заряда на тысячу атомов. При наложении про дольного поля критическая толщина оказывалась меньше, что согласуется с результатами работы [203]. Для выделения влияния зарядов, вносимых с атомным потоком, был поставлен -следующий эксперимент. Между источником испарения и подложкой помещали металлическую заслонку с коническим отверстием. Когда заслонка была изолирована, наблюдали обычное -влияние поля на критическую толщину. Если на за слонку подавали положительный или отрицательный потенциал (50 в), то влияния поля на процессы, про исходящие в пленке, не обнаруживали. Прямым изме рением было подтверждено, что при этом происходит удаление ионов из пучка за -счет отклонения их полем заслонки. Сопротивление пленки, сконденсированной из пучка, свободного от зарядов, оказалось ниже, чем при обычных условиях осаждения. А-втары считают, что по ложительные заряды из атомного потока распределя
ются -между островками |
и |
вызывают их |
взаимное |
|||
-отталкивание, что задерживает контактирование. |
|
|||||
Активное воздействие |
на |
рост |
пленки |
оказывает |
||
также освещение объекта во время конденсации |
[353]. |
|||||
Влияние освещения н-а формирование структуры |
пле |
|||||
нок золота и серебра |
имеет место |
только -после |
о-саж- |
|||
Дения слоя толщиной |
|
О |
|
|
|
|
~ЮА. Найт и Джа предполага- |
||||||
277
ют, что в результате поглощения электромагнитного из лучения островками их температура повышается, вследствие чего интенсифицируются процессы мигра ции и коалесценции. Это проявляется в увеличении размера островков и расстояния между ними, что от ражается на проводимости. Сильнее всего этот эффект был выряжен при осаждении золота на полимер, имею щий малую, по сравнению со стеклом, теплопровод ность.
Существенное необратимое изменение структуры и электрических свойств пленки под влиянием поля про исходит не только в процессе конденсации, но и после
ее завершения |
[60, с. 3074; 240—243; 303]. |
|
Нифонтов и Юни [240—243] исследовали необрати |
||
мое изменение |
электросопротивления пленок |
серебра, |
золота, меди, |
германия с сопротивлением |
'квадрата |
ІО8 -г- 10й ом |
при наложении электрического |
поля в |
процессе их старения после конденсации. Эксперимент состоял из нескольких последовательных циклов, в те чение которых напряжение по степенно увеличивали до пре дельного значения, а затем уменьшали до нуля. После каждого цикла направление тока изменяли на противопо
|
|
|
|
ложное. |
|
несколько |
по |
|||
|
|
|
|
Проводили |
||||||
|
|
|
|
добных серий измерений через |
||||||
|
|
|
|
определенные |
интервалы |
вре |
||||
|
|
|
|
мени |
(несколько |
десятков |
ча |
|||
|
|
|
|
сов). Все измерения осуществ |
||||||
Рис. 88. |
Амперомные |
характе |
ляли в |
непрерывном |
вакууме |
|||||
ристики |
серебряных пленок при |
10~6 мм рт. ст. Типичная ампер- |
||||||||
циклическом |
изменении |
напря |
омная |
|
характеристика одной |
|||||
жения [244]: |
|
|
|
|||||||
1- |
й |
цикл (одинарная стрелка);из серий измерений приведена |
||||||||
2- |
й |
цикл (двойная стрелка)на рис. 88. В каждой серии из |
||||||||
|
|
|
|
мерений |
в |
течение |
первого |
|||
цикла наблюдали как обычные |
обратимые |
изменения, |
||||||||
связанные с отклонением от закона Ома, так и необра тимые изменения сопротивления. В последующих цик лах, напротив, были обнаружены только практически обратимые явления.
Результат нескольких последовательных серий при
278
ложения тюля представлен на рис. 89 в виде времен ной зависимости сопротивления R—т.
Более детально изменение сопротивления при каж
дой серии циклического варьирования |
напряженности |
||
поля |
показано на рис. >89, в. |
Интересно, |
что, хотя во |
всех |
циклах одной серии |
измерений, кроме первого, |
|
наблюдали обратимое изменение сопротивления, после свободного старения в течение нескольких десятков часов между двумя сериями, изменение в первом цик ле последующей серии снова носило необратимый ха рактер (рис. 89). Наибольшее уменьшение сопротивле-
Рис. |
89. Изменение сопротивления пленки серебра во времени по данным ра • |
боты |
[244]: |
а — пленка, осажденная |
в один прием; б— пленка, осажденная в два приема |
|||
(предварительное осаждение очень |
тонкой пленки); в — детальное |
изображе |
||
ние серии измерений 2 |
на кривой |
б (цифрами указаны |
циклы изменения на |
|
пряжения) |
|
|
|
|
ния под действием поля наблюдается у |
пленок |
золота |
||
и серебра. На пленках меди и германия необратимые процессы данного вида не были обнаружены, что мож но объяснить меньшей миграционной подвижностью этих материалов, обусловленной их более высокой хи мической активностью и, следовательно, более сильной связью с подложкой.
При исследовании ультратонких пленок вольфрама [60, с. 3074] также наблюдали необратимое уменьше ние сопротивления под действием поля. На рис. 90 показано смещение кривой температурной зависимости проводимости. Кривая 1 соответствует свежеосажданной при температуре 90°К пленке, на которую подава ли напряжение 8 в. При отжиге до комнатной темпе
279
ратуры в течение нескольких секунд было приложено напряжение 40 в. Затем пленку снова охлаждали до температуры 90°К- При этом температурная зависи мость сопротивления соответствовала кривой 2. Повто рение цикла с приложением напряжения 100 в дало дополнительный сдвиг кривой в сторону больших зна чений проводимости (3). Напряжение менее 16 в при комнатной температуре, а также любой потенциал,
приложенный при температуре конденсации (90°К), не вызы вает никаких необратимых из менений проводимости.
Из анализа наклона кри вых зависимости проводимо сти от температуры (у—Т) следует, что наряду с увели чением проводимости поле вы зывает необратимое уменьше ние эффективной энергии ак тивации.
Приложение поля к плен кам легкоплавких материалов может привести к противопо ложному эффекту, т. е. сопро тивление пленки резко и необ ратимо увеличится. Изменение сопротивления такого вида на
блюдали на калиевых пленках, осажденных на подлож ке КС1 при температуре жидкого азота при увеличении напряжения до 50 в [303]. Отжиг при комнатной тем пературе и тренировка многократным циклированизм напряжения небольшой величины повышает стабиль ность пленки, которая после такой обработки может выдержать напряжение до 1000 в.
Таким образом, можно заключить, что, если мате риал пленки не слишком легкоплавкий и интенсив ность воздействия поля не чрезмерна, влияние поля, приложенного вдоль подложки, как в процессе кон денсации, так и после ее завершения сводится к умень шению сопротивления и эффективной энергии актива ции проводимости. В достаточно сильном поле в ре зультате выделения джоулева тепла происходит нагрев пленки, который вследствие неравномеряости прохож
280
