Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Дорфман В.Ф. Газофазная микрометаллургия полупроводников [Текст] 1974. - 190 с

.pdf
Скачиваний:
12
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
7.01 Mб
Скачать

Передвижение по лучу вниз или вверх эквивалентно раз­

режению (разбавлению)

или сжатию (пропорциональPj ­

ному увеличению концентраций всех реагентов) системы.

Таи как для систем с

сильным разбавлением

= const, линия 'параллельная оси ординат на диаграмме рис. 9, а, является рабочей линией процесса в потоке. Она позволяет определить направление транспорта я пересыщение газовой .фазы транспортируемым вещест­ вом при переходе от одной температурной зоны к другой. Перемещение по литгіи, параллельной оси абсцисс, соот­ ветствует подводу или отводу транспортирующего ве­ щества (например, через полунепроницаемые перего­ родки) без изменения суммарного содержания тран­ спортируемого вещества. Возможность осуществления транспортной реакции таким способом в изотермических

условиях экспериментально

подтверждена

в работах

Ф. А. Кузнецова1.

могут оказаться

особенно

Диаграммы

такого вида

полезными для

анализа поведения более сложных сис­

тем. Например, если в газовой фазе присутствует компо­

нент, не содержащий

транспортируемого

вещества (в

системах Si — I или

Ge — I — Н ),

область, соответст­

вующая возможным состояниям системыб.

, ограничивается

лучами tgai = 0,5 (Sil2; G el2) и tga2= 0 (I2;

H I), что схе­

матически представлено на рис. 9,

Пересечение кривых

говорит о двух возможных направлениях транспорта и, в частности, о возможности переноса транспортируемого вещества из холодной, и горячей зон в область с проме­ жуточной температурой, или наоборот (7’і > 7 ’2> Г з).

Термодинамический анализ может быть проведен весьма наглядно с помощью диаграмм состав — интег­ ральная свободная энергия AG0 [28, с. 13]. Рассмотрим,

например, систему SiC — Cl — Н (рис. 10).

Видно, что

условие равенства химических потенциалов

каждого из

компонентов

в твердой

и газовой фазах

достигается

только при

очень низких

концентрациях СТК и весьма

высоких концентрациях SiCU (для любой из зон-— источ­

ника или подложки).

Поэтому

эффективный

перенос

SiC в данной системе невозможен

(один из частных вы­

водов отсюда — пригодность SiC

как конструкционного

материала в хлоридных системах).

 

аспекты

1 К у з н е ц о в Ф. А.

Некоторые физико-химические,

осаждения из газовой фазы. Автореферат докт. диссертации, Но­ восибирск, 1971.

39

Благоприятные условия для протекания транспорт­ ных реакций создаются в другой хлоридной системе Та — S i —-C l (рис. 11). Здесь, однако, перенос осложняется, поскольку эта система включает несколько хлоридов тан­ тала и, что особенно важно, несколько силицидов (для подсистемы Та — Si на диаграмме проведена только одна линия, поскольку энтропия образования силицидов

Рис. 10. Диаграмма

состав — интегральная свободная

энергия для системы

SiC — Cl — Н (по Джеффису [28,

 

с. 13])

Рис. .11. Диаграмма

состав — интегральная свободная

энергия для системы

Та — Si — Cl (по Джеффису [28,

 

с. 13])

тантала очень мала, и AG практически не зависит от температуры). Далее, TaCU диспропорционирует на Та и TaCU при температуре около 500°>С. Поэтому чтобы обеспечить достаточную концентрацию хлоридов танта­ ла в газовой фазе, необходимо проводить процесс при температурах много выше 500°С. Основным транспорти­ рующим реагентом является TaCU.

Джеффис [28, с. 13] предлагает также геометричес­ кое построение, позволяющее определить благоприятные условия для образования того или иного соединения (на­ пример, одного из силицидов тантала). Однако в полупро­ водниковой технологии, как правило, возникает задача

40

получения чистого вещества, а не смеси,

обогащенной

той или иной фазой.

 

 

 

Эта проблема имеет и еще один аспект: возможность

кристаллизации сложных полупроводниковых

соедине­

ний, которые способны распадаться при2 переносе

через

газовую фазу (например, мы наблюдали распад тернар­

ного магнитного полупроводника Cd2Cr S 7

на

бинарные

сульфиды хрома и кадмия в иодидной системе).

Теоре­

тически эта проблема рассматривалась, по-видимому, в единственной работе [51], где исследована стабильность тернарных соединений при переносе с помощью тран­ спортных реакций. В качестве конкретного примера рас­

сматриваются реакции переноса

железоиттриевых

гра­

натов типа

A B 2 Y 4

(транспортирующий

агент— НА',

где

А — С1Аили I ) :

 

 

А

 

 

В Х 3г

 

 

В2

Y 4td +

8 Н Х г -

Х 2|.+

2

+ 4 Н2 Y r.

 

 

 

 

 

 

Для бинарных составляющих возможно большое чис­ ло транспортных реакций, из которых анализируются две:

А

YTB + 2 Н Х Г ; Л Х22г +

H2Y r и В2 Y 3 +

 

+ 6 Н Х Г;

В Х 3с

 

tb

 

 

 

 

+ 3 H 2Y r.

 

(Аналогичные реакции можно записать,

если транспор­

тирующим агентом

является

свободный

галоген,

а не

НА).

 

 

 

 

 

 

за­

Будем полагать, что преобладает первая из трех

писанных реакций,

а перенос

бинарных

составляющих

происходит пренебрежимо медленно. Нетрудно записать выражение для A GTepn основной реакции и определить парциальные давления всех компонентов газовой фазы. Тогда для любой из «бинарных» реакций можно записать

А Göhh « А Göhh -f

R Т

2

Xt

ln

или, используя

выра-'

жение для AGTep,„

AG6„„=AC6hh—='-AG?epH+ ß ДД1

пурнх,

где а, ß, у, у — стехиометрические множители.

Если теперь расчет покажет, что А G хотя ібы для од­ ной из реакций переноса бинарных составляющих поло­ жителен, то произойдет разложение тернарного соеди­ нения.

Такой подход имеет определенную аналогию с мето­ дами теории возмущений и, как и последняя, может быть оправдан лищь при весьма малых «возмущениях», т. е.

41

когда выделение бинарных соединений возможно лишь в виде -следов. Если же .происходит .перенос одновременно нескольких фаз, предлагаемый Вимейером [51] метод расчета неприменим. С другой стороны он, .вероятно, мо­ жет быть полезен при анализе процессов фракциониро­ вания с помощью транспортных реакций, если в каждой температурной зоне выделяется только одна весьма чис­ тая фаза (натр имер, как® работе [52], где коэффициент очистки за одну .стадию переноса достигает ІО4— ІО5). Однако в общем случае фракционного разделения более эффективным должен быть метод расчета, основанный на представлении о «физических тарелках» (аналогично расчетам разделения при ректификации, ионном обмене и т. л .).

Одной из серьезных трудностей в термодинамическом анализе является отсутствие табличных данных для мно­ гих транспортирующих реагентов. Эта проблема, общая для всех практических приложений химической термоди­ намики, в полупроводниковой микрометаллургии особен­ но серьезна, поскольку здесь используются легирующие примеси в концентрациях до ІО-10 атомных долей, и содержание .всех компонентов контролируется с высокой точностью1. Поскольку наиболее часто в процессах ГМП используются галогенпдные системы, весьма полезным может быть правило, предложенное Олкоком и Джеффисом на основе простой модели энергии связи [57]. Из этого правила, в частности, следует, что энергия образо­ вания бромидов всегда на 23 икал, а подндов на 54 .ккал ниже энергии образования хлоридов (в расчете на -моль двухатомного 'газообразного галогена).

Ясно, что в терминах изменения свободной энергии введение водорода имеет одинаковый эффект для всех галогенидов.

1 В -качестве яркого иллюстрирующего примера можно привести

работы Арицуімн н Акасаки

[53,

54].

В первой из них [53] авторы

с помощью ЭВМ провели

большую серию вычислений термодина­

мических параметров

6.G= f (T)

для

систем Ge—I—легирующая при­

месь. Термодинамические параметры

для системы Ge—1 принима­

лись в б данным Джолли и Латимера

[55]. Но за время публикации

статьи вышла работа

Левара [56], где были приведены

более точ­

ные значения A G gci

и ДОgci4.

Это

столь

существенно

изменило

основные выводы относительно

механизма

и условий легирования

в тройных системах, что авторы были вынуждены полностью пере­ считать все найденные зависимости и опубликовать их в следующей работе [54].

42

О возмооісности применения принципов термодинамики необратимых процессов

к системам газофазной микрометаллургии

Проведенное выше рассмотрение основывается исклю­ чительно на классической термодинамике и не учитывает явлений диссипации, сопровождающих процессы перено­ са. С этой точки зрения было бы весьма желательно при­ менение методов термодинамики необратимых процес­ сов. Выделим термодинамическую и феноменологическую части теории [58] и кратко рассмотрим основные ограни­ чения применимости «неравновесной термодинамики», накладываемые каждой из них. Основное феноменоло­ гическое ограничение определяет область применимости линейных -соотношений и связано с требованием близости системы к равновесию. Термодинамические ограничения, связанные с представлением процесса через поток и гене­ рацию энтропии, являются принципиальными.

1. Каждая из фаз должна находиться в состоянии внутреннего химического, термического и механического равновесия.

2.Реакция должна протекать не настолько быстро, чтобы нарушалась однородность фаз.

3.Градиент температуры должен быть не слишком -велик, чтобы не нарушалось максвелловское распределе­ ние молекул по скоростям.

Рассмотрим два предельных случая, в которых воз­ можно осуществление транспортной химической реакции:

а) две термостатируемые зоны, сообщающиеся диф­ фузионным каналом, в котором имеется градиент пар­ циальных давлений и температур;

б) две неизотермические зоны с плавным переходом температуры, по всей длине которых непрерывно проте­ кают реакции растворения в газовой фазе или осаждения.

-В первом случае реактор может быть представлен как две гетерогенные субсистемы (зоны реакций), в которых

.каждая из фаз удовлетворяет условию 1, с соединяющей их непрерывной субсистемой, в которой условие 1 соблю­ дается лишь локально (рассмотрение таких систем тре­ бует перехода к уравнениям в частных производных). Во втором случае реактор представляется как две непрерыв­ ные гетерогенные субсистемы, а в предельном переходе к квазнравновесным условиям — как одна непрерывная

43

система. Рассмотрение нескольких гетерогенных субсйстем, включающих непрерывные, встречает серьезные тех­ нические трудности, но принципиально осуществимо (ос­ ложнения возникают, если в системе происходит квазигомогенное осаждение и однородность газовой фазы нару­ шается). Расчет в этом случае возможен только для ста­ ционарных условий.

Условие 2 для. гетерогенных реакций формально всег­ да можно удовлетворить, если рассматривать неоднород­ ный пограничный слой вместе с конденсированной фазой. Наконец, ограничение 3 можно приближенно выразить

 

X

С

Т,

а если

d < X,

то

дх d

<§(

Т,

 

 

 

как Xдх

 

 

 

 

в газовой

гдед т— длина

свободного

пробега молекул

 

фазе,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

------- градиент температуры,

 

 

 

 

 

 

Т

— ее среднее значение,

 

 

 

и подложкой.

d

 

 

 

 

— расстояние между

источником

Это ограничение может быть существеннод Т

только Р

для

сэндвич-метода

(например,

при

7’~1000°К

и

х ~

~1 мм *рт. ст. необходимо иметь —

> 104.град/см, и при

d = W

 

 

 

 

 

 

д X

 

 

 

 

 

0 мкм разность температур меньше 100°С).

 

Таким образом, в большинстве практически встречаю­

щихся случаев

термодинамика

необратимых

процессов

по крайней мере принципиально применима к транспорт­ ным реакциям в ГМ П .

Такая попытка была

сделана Б. В. Дерягиным с со­

трудниками

[28, с.111].

Система, в которой протекает

транспортная реакция, представляется

в виде двух суб-

систем с температурамиdSr,

Т

і и

Тг.

Полагают, что две сос­

тавляющие

внутреннего

 

изменения

энтропии

систе­

мы, т. е. —

связанная с переносом

энергии

тепло-

водностью и массолотоком, и

d S c,

-связанная с превраще­

 

нием вещества путем химических реакций, взаимонезави­

симы.

 

Это

позволяет

перейти от

неравенства

d S

> О

к

d S c>

 

 

 

^

 

)

d

+

dCi +

a 2

d

0, откуда' — у

 

 

 

+

C2 >

0,

 

 

 

 

 

d n yi =

 

*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= —2

p Yl

и

— химические

потенциалы,

 

 

где

 

 

 

dnyi —

изменение

числа молей

газообразных ком-

 

 

 

 

 

 

44

йонептов в соответствующих зонах, А і и А 2— химичес­ кое сродство (по де Донде), и %2— степени полноты реакций1. Если теперь предположить, что реакции проте­ кают много быстрее массообмена, и в зоне устаиавлива-

В противоположном случае

(идеальное смешение)

Далее анализируется простейшая реакция А -\-В— АВ при условии К р (Т)<^1. Последнее допущение по сущест­ ву исключает все практически интересные случаи тран­ спортных реакций (см. выше), причем удается получить лишь очевидные результаты: в квазиравновесных усло­ виях перенос направлен в зону с меньшим парциальным давлением насыщенного соединения A B ; в условиях, ли­ митируемых гетерогенными реакциями, перенос будет направлен в горячую зону, если реакция образования A B экзотермическая, и наоборот.

Это рассмотрение представляет определенный интерес как иллюстрация применения основных принципов тер­ модинамической теории к анализу механизма химических транспортных реакций, однако вызывает ряд возраже­ ний. Разделение dS на «тепловую» и «химическую» части требует специального обоснования; оно заведомо непри­ менимо к системам, в которых кристаллизация (или га­ зовое травление) протекает в неизотермических зонах.

Аналогичное замечание относится к представлению зон транспортных реакций в виде двух изотермических субеистем. В действительности, как уже отмечалось, об­ ласть массообмена между зонами представляет третью непрерывную и неизотермическую субсистему. Неизотер­ мические процессы могут совершенно изменить условия переноса (это фактически и иллюстрируется второй час­ тью работы Б. В. Дерягина, где один из аспектов неизо­ термического переноса анализируется кинетически). Дан­ ное замечание справедливо и .в том случае, если геомет­ рические размеры зоны массообмена очень малы или ос-

1 Обозначения даны по И. Пригожину [59].

45

новная часть канала термостатируется при температуре одной из реакционных зон.

(Представляется, что применение .принципов термоди­ намики (классической или необратимых процессов) к анализу транспортных реакций в общем виде не приве­ дет к дальнейшему существенному прогрессу в этой об­ ласти не только из-за технических трудностей, но глав­ ным образом потому, что эти реакции, как и вообще про­ цессы Г-МП, обычно включают сильно неравновесные субсистемы. Здесь уместно привести следующее .высказы­ вание: «...большинство действительно протекающих реак­ ций настолько далеко от равновесия, что о линейной за­ висимости -скорости от -сродства вообще не может быть речи» [58, с. 103].

-Существенно, однако, что гетерогенные стадии ГМП очень часто протекают в квазиравновесных условиях, и термодинамика необратимых процессов может быть к ним применима в полном объеме. Таким образом откры­ вается широкий круг конкретных проблем газофазной микрометалл-уртии, который может быть эффективно ис­ следован с помощью линейных феноменологических за­ конов. К таким проблемам относятся, в частности, реак­ ции кристаллизации сложных веществ, процессы очист­ ки и фракционирования в непрерывных зонах (что име­ ет определенную аналогию с процессами -в экстракцион­ ных и ректификационных колоннах, которые обычно ис­ следуются этими методами), а также влияние внешних полей на гетерогенные стадии вблизи равновесия.

Следует специально выделить сэндвич-метод. Если расстояние между источником и подложкой очень мало, абсолютная разность температур между ними также очень мала. Поэтому вне зависимости от лимитирующей стадии гетерогенные процессы газового травления и кристаллизации протекают вблизи равновесия. Тогда скорости реакций травления ѵтр и кристаллизации окр выразятся соотношениями vTp= W iA i и üi<p= w2A 2, где А[ и Л2 — сродство соответствующих реакций. Но вблизи равновесия из принципа микроскопической обратимости следует, что wi = w2. Далее, пара источник — подложка квазиизолир-ована от внешней среды и поэтому в -стацио­ нарных условиях Отр=Укр, откуда Л і = Л 2. Таким обра­ зом, в сэндвич-методе -сродства прямого и обратного про­ цесса (на источнике и подложке) равны, что эквивалент­ но равенству термодинамических пересыщений (это пр-о-

46

яівляется и в аналогии .наблюдаемых фигур роста и трав­ ления). Изложенное дает определенные основания рас­ сматривать сэндвич-метод как обратимый массообмен между твердыми фазами.

Случаи аномального пер,вноса в процессах Г М П

Термодинамическое рассмотрение отдельных реакции не всегда приводит к .правильным предсказаниям на­ правления переноса в процессах ГМіП. Можно назвать три рода факторов, которые иногда вызывают «обраще­ ние» переноса: 1) взаимное влияние параллельно проте­ кающих реакций, в частности, соосаждение различных компонентов и сопряженные реакции; 2) кинетические особенности; 3) условия массо обмена.

.Взаимное влияние различных реакций, если только оно не связано с кинетикой, может быть также рассчита­ но термодинамически, но обычно это затрудняется недос­ таточностью табличных данных. Кроме того, такие реак­

ции обычно приводят к пассивации твердых

фаз и поэ­

тому нестационарны. Рассмотрим в качестве

примера

некоторые эмпирически исследованные системы с ано­

мальным переносом. В системе Sb — I перенос возможен только в направлении более высоких температур (если, конечно, не происходит прямой сублимации сурьмы). Но в системе Sb — I -— Ge сурьма соосаждается вместе с гер­ манием в низкотемпературной зоне по реакции типа •

2/з sbl3r + Gel2r 2 2/з SbTB + Gel4r

Это совершенно изменяет условия легирования эпи­ таксиальных слоев германия сурьмой [60].

В системе Si — Ge — I при определенных условиях протекает встречный перенос кремния и германия по со­ пряженным реакциям

GeTB +

Sil4r 2

Gel4r + SiTB и GeTB +

Sil2p ; Gel2r + SiTB,

хотя

в тех

же условиях в индивидуальных системах

Si — I и Ge — I перенос происходит

только в направле­

нии более низких температур1.

'В системе Ge — Ga — I при определенном расположе­ нии .источников германия и галлия германий осаждается

1 В системе Ga—I—Cu медь переносится в сторону более низких температур (1000°С -> 800°С), в то время как в бинарной системе Си—I імедь .в этом температурном диапазоне вообще не переносится.

47

в несвойственных для «его температурных зонах по гете­ рогенной (Gel2i. + 2 Оаж -* 2GaIr+ GeTB) и квазигомогенной

(Galr + GeLr « -G a ^ + GeTB) реакциям, причем первая из

реакций приводит к пассивации источника галлия геріманиевой коркой и подавлению переноса галлия.

Определенные осложнения переноса могут иметь мес­ то и вследствие одновременного протекания реакций и фазовых превращений. Большинство полупроводнико­ вых соединений, в частности, переносится путем тран­ спортных реакций с участием одних компонентов и испа­ рением — конденсацией других. Так, при .переносе соеди­

нений /1ІИ

В ѵ

компонент

А

находится в газовой фазе

в

виде летучих соединений, a ß — в виде молекул ß 2 или

В ь

с

Такой процесс, вообще

говоря, может не протекать

практически наблюдаемой скоростью в строну более вы­ соких температур даже при благоприятном значении

А Н . Для реакций со сравнительно низким тепловым эф­ фектом существенны также агрегатное состояние и структурная модификация исходного и конечного продук­

тов,

а при переносе твердых растворов— их концентра­

ция.

 

 

 

В табл. 3 приведенынекоторыхзначенияреакций, используемыхтеплового вэффектагазофазнойне-

Тепловой эффект

ммкрометаллургии'

Таблица 3

 

Реакция

Д/Y.

Литературный

GeTB+

ккал/моль

источник

I2f:CGeISr

—2000

[56]

SiH 4r-i-SiTB-f- 2 Hor

—7820

[40]

SbTD+

Ior^ S b I3

—2400

__*

Au +

- j - Is^AuI

-200

[48]

(в твердом состоянии) .

[63] ін [-18].

 

* Вычислено по данным

 

48

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ