книги из ГПНТБ / Дорфман В.Ф. Газофазная микрометаллургия полупроводников [Текст] 1974. - 190 с
.pdfвплоть до эпитаксиального роста алмаза при давлениях порядка 1 ат [28, с. 172] (подробнее о метастабильных фазах в 'Процессах Т М Л , см. выше, стр. 74). Очевидно, это связано с качественными особенностями механизмов упорядочения нри росте іііз тазовой фазы.
Некоторые ваоісные направления количественных исследований
До настоящего времени отсутствуют исследования, в которых бы в явном виде учитывалась роль гетерогенных химических реакций в формировании структуры и рель ефа кристалла при кристаллизации из газовой фазы. С другой стороны, статистическая трактовка полинуклеарной кристаллизации из пара имеет многолетнюю исто рию, и количество работ здесь очень велико (даже в спе циальных монографиях и обзорах [159— 162] они рас смотрены лишь частично). Ни в коей степени не претен дуя на полноту охвата, мы отметим некоторые исследо вания, которые представляются нам наиболее важными для решения задач газофазной микрометаллургии.
Как уже отмечалось, проблема упорядочения в про цессах 'ГМ'П имеет два основных аспекта: 4) 'конкуриру ющее разрастание зародышей из когерентных и дефект ных позиций, что обычно для всех процессов кристалли зации из неконденсированных фаз; 2) конкуренция ме жду зернами, имеющими различную ориентацию, огран
ку, а возможно — даже различное |
фазовое состояние, |
||
что специфично для процессов гетероэпитаксии. |
этого |
||
В числе методов, позволяющих |
дать |
анализ |
|
круга явлений, следует назвать прежде |
всего |
теорию |
Уолтона и Родина [163]. Используя метод статистичес ких сумм, эти авторы вывели уравнение скорости обра зования критических зародышей, содержащих всего не сколько атомов. Если возможны две или более различ ные ориентации, размеры соответствующих им критиче ских зародышей будут неодинаковы; например, для ори ентаций (100) и (111) гранецентрированной решетки критические размеры зародышей при достаточно высо ком пересыщении будут составлять соответственно 4 и 3 атома. Таким образом, в рамках модели Уолтона и Ро дина удается определить характеристические темпера туры перехода от одной ориентации к другой. С другой стороны, при очень высоких пересыщениях стабильным становится уже одноатомный зародыш, и преобладаю-
4* Зак. 496 |
Ѳ9 |
щая ориентация полностью исчезает. Это происходит при переходе через так называемую «эпитаксиальную темпе ратуру», которая также предсказывается теорией Уолто на и Родина. Весьма перспективным для анализа пере ходных процессов при гетероэпитаксии представляется метод «сохранения вероятностей» А. А. Чернова [164]. Последовательный кинетико-статический анализ полннуіклеаіріной кристаллизации с учетом конкуренции ме жду «.правильными» и дефектными зародышами, а также между флуктуациоино возникающими и локализованны ми центрами проведен в работах [165, 166], причем в первой из ціііх анализ распространен также на двухфаз ный случай.
Другой отмеченный выше вопрос — конкурирующее разрастание зерен, обладающих различной ориентацией,
огранкой и свойствами (двумерные |
и трехмерные |
слу |
чаи), рассмотрен автором [167]. Предложенный |
здесь |
|
метод базируется на двух основных положениях. |
между |
|
1. Развитие отдельных зерен и |
конкуренция |
ними определяется взаимодействием граней зерен через пар или «двухмерный газ» или при непосредственном столкновении. Поэтому грани различной ориентации и каждого типа зерен, образующие компоненты сложной границы (в двумерном случае — контура), должны быть основными параметрами при статистическом анализе.
2. Динамика такой сложной границы может быть рассмотрена на основе анализа плотности «узловых» ли ний и точек этой границы — ребер и вершин зерен, линий и точек пересечения, образующихся при их слиянии. Дей ствительно, непосредственное взаимодействие между компонентами границы происходит через узловые точки.
ЭтоNприводит к уравнениям вида |
F |
|
|||
(oc/ßp = |
G |
+ 2 |
{ ф 11нач/кон 11+ |
|
(нач/кон) j , |
|
|
фазы
векторы
где Л7(сс//ß/") — плотность узловых точек, образованных сторонами a-фазы, ориентированными в направлении і, и ß-фазы — в направлении /, параметр G описывает .про цессы зарождения новых центров, функции Ф и F описы вают взаимодействия между узловыми точками и узло вых точек с границами зерен и характеризуются индек сами начальных и конечных продуктов взаимодействия. В свою очередь узловые элементы легко позволяют оп
100
ределить скорости разрастания каждой из фаз и плотно сти их центров, а также протяженность границ зерен различных фаз и средний размер заполненных участков поверхности в произвольно выбранном направлении (т. е. с учетом анизотропии). Значение этих параметров при эпитаксии принципиально, поскольку структура . и _ свойства эпитаксиальных слоев определяются конкуриру ющими процессами между зародышами и зернами с раз личной ориентацией, структурой и составом.
Вопросы морфологической стабильности при росте из газовой фазы и, в частности, отмеченный выше переход от правильных геометрических фигур к неограненным формам роста, в количественном отношении почти не ис следованы. Представляется, что здесь весьма эффектив ной может оказаться теория Д . В. Кана [168] (в частно сти, «хвостовая часть» функции распределения плотности по нормальной координате, по-впдимому, должна быть чувствительна к форме вершины зародыша).
Попытка непосредственного учета роли химической реакции при кристаллизации из газовой фазы сделана в цикле работ Джойса [28, с. 43; 169] и в работе Гретца, Джексона и Хирса [170]. Джойс исследовал кристалли зацию кремния при пиролизе моносилана из молекуляр ных лучков в глубоком вакууме [28, с. 43]. ’Состав оста точных газов в камере исследовался масс-'спектрометри чески. Изучалась зависимость плотности зародышей от плотности пучка SiH 4 и температуры подложки. Энергия активации и порядок реакции распада определялись по зависимости парциального давления водорода от темпе ратуры и от плотности пучка.
Экспериментальные данные обрабатывались автора ми в терминах формулы Льюиса и Кемпбелла [171], преобразованной ими для случая, когда рост происходит
с участиемNaKnхимических реакций. |
n E d ~ n E A |
||
ЛК |
\-і/(л+і) j n q / ( n + \ ) exp En +( n |
+ 1) k0T |
|
где |
Ns |
— плотность зародышей; |
|
No |
|
||
|
|
— число мест сорбции на единицу поверхности; |
|
|
Ѵо — частота колебаний адсорбированных атомов; |
||
г" |
п — число атомов в критическом заррдьіщр; |
||
' (^^-рорядрк реакции разложения; |
|
101
Ji, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Е а |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Е п— плотность пучка; |
|
|
|
|
|
|
|
||
E d — энергия активации для реакции разложения; |
|||||||||
— изменение энергии при образовании зародыша; |
|||||||||
— энергия активации |
поверхностной |
диффузии. |
|||||||
Представленная в таком виде экспериментальная за |
|||||||||
N s |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
висимость для плоскости (111) имела вид |
|
|
|
||||||
|
(ßA |
|
|
q = |
|
|
|
|
|
|
= const 4 ,25±<U exp ( — 41,5/ÄoT), |
|
|
||||||
|
|
= 0,81 + |
0,1 эВ ; |
|
|
2). |
|
п |
рав |
Отсюда число атомов в критическом зародыше |
|
||||||||
но ~ 3; для плоскости (100) |
/г 'ближе к й. |
Интенсивное |
|||||||
образование зародышей начинается |
только |
после |
того, |
■ как пучок SiH 4 восстанавливает окисную пленку на крем ниевой подложке. Этим обусловлен длительный (до нескольких десятков .минут) индукционный период.
К сожалению, во многих исследованиях [28, 170] роль химической реакции весьма упрощенно сводится к изменению эффективной скорости -масеопотока к по верхности. Это частичку оправдано в работе [28, с. 43], поскольку в ней исследуется кристаллпзаіция при высо ких температурах п низких давлениях (ом. стр. 98), но не может служить основой для анализа процессов газо фазной металлургии в типичных условиях.
Другая сторона проблемы зародышеобразования — изменение свойств малых ансамблей атомов кристалли зуемого вещества («зародышей») с увеличением их раз меров. В приложении к эпитаксии эта проблема приобре тает два дополнительных аспекта: во-первых, как пре образуются свойства малых зерен в контакте с ориенти рующей подложкой, во-вторых, как влияет подложка на ориентацию зерен с учетом кинетики протекающих про цессов. Нет сомнения, что для анализа свойств зароды шей, содержащих всего несколько атомов, единственно корректным подходом является электронная теория. Од на из первых таких попыток была сделана в работе [172], где определен размер ансамбля атомов, допуска ющий выделение поверхностного и объемного вкладов в свободную энергиюЗначение такого анализа принци пиально, поскольку разложение свободной энергии на поверхностные и объемные компоненты прямо или ко свенно используется во всех работах по зародышеобразованию. Следующим этапом могли бы послужить ре шеточные модели,, давно и плодотворно используемые
для исследования фазовых переходов. Весьма интерес- 'ной здесь .представляется работа ['173], где описана ре шеточная модель с учетом границ. Заметим. что даже (Простейшая модель межатомных связей позволяет вы явить зависимость равновесной огранки малых зерен о г их размеров [і174]. Однако в целом ни одна из извест ных моделей не описывает удовлетворительным образом особенностей эпитаксиального зарождения, отмеченных выше, и решение этой актуальной проблемы еще впе реди.
, Вероятно, определенные результаты в этом направле нии могут быть получены с помощью термодинамической теории кристаллизации, на основе которой удалось объ яснить в последние годы ряд важных явлений эпитаксии (отметим работы, где анализируются условия существо вания критического многослойного покрытия на инород ной подложке [і175] и сделана попытка определения критической температуры эпитаксии [176], работы Л. Н. Александрова по трехмерному зародышеобразованию при эпитаксии, например [177]).
Во всех количественных исследованиях, проведенных до настоящего времени, роль химических реакций при кристаллизации из газовой фазы специально не учиты валась или учитывалась предельно упрощенно. Как по казано выше, микроизбирательность гетерогенных реак ций и активная роль хемосорбциоиного слоя позволяю-,, по крайней мере качественно, объяснить весь основной комплекс экспериментально наблюдаемых особенностей кристаллизации из газовой фазы. Поэтому детальное исследование механизма физико-химических микропро цессов на поверхности растущего кристалла представля ется первоочередной проблемой в данной области.
ЛИМИТИРУЮЩАЯ СТАДИЯ ПРОЦЕССОВ ГАЗОФАЗНОЙ МИКРОМЕТАЛЛУРГИИ
Представление о лимитирующей стадии используется в наиболее простых и распространенных моделях крис таллизации из газовой фазы. Если ввести в рассмотре ние «пропускную способность» отдельных стадий, 1/А,- [33], эта модель приобретает полную аналогию в элект рических .цепях (аналогия наиболее адэкватна, если электрическая цепь содержит элементы с пороговым включением).
103
Лимитирующая стадия и формирование кристалла
рассмотрим теперь влияние лимитирующей стадии на избирательность и анизотропию роста >в цепи
г з |
------ ---------- |
^ 5 'і |
, |
|
|
4t та |
4t] |
U |
4t V |
U 3 ------- у 4" |
------- ►S' |
Здесь стадии /—4 соответствуют вводу исходной газо вой фазы в реактор, маесообмену в реакционном объе ме, маесообмену ів .пограничном слое и гетерогенным ре акциям; ветви 3^~4'-^-5' и 3-*4"-+5" отвечают различ ным «каналам» кристаллизации, например, росту в
различных кристаллографических |
направлениях или |
||||
■ путем разрастания |
различных центров (типов) зароды |
||||
шей. Стадии |
5' |
и |
5" |
отвечают образованию зародышей |
|
и движению |
ступеней, а тз, т4, |
Ts — тангенциальному |
маесообмену в пограничном слое газовой фазы, в хемооорбциониом слое и в «двумерном газе». Избиратель ность одной из стадий приводит к селективной кристал лизации (соответственно анизотропность стадии — к анизотропии кристаллизации), если на этой и последу
ющих стадиях |
тангенциальный маесообмен |
протекает |
|
сравнительно |
медленно. В частности, если |
— > — > |
|
|
|
< |
К\ |
|
|
|
1I
—да— , то в отсутствие тангенциального массооомена
*5 к 6
избирательность гетерогенных реакций определяет из бирательность и анизотропию роста кристалла:
+Л+Л > . 7 - +
Дз к . /<, Кз
Легко видеть, что интенсивный тангенциальный массообмен в пограничном слое не только не ослабит, но да же усилит избирательность гетерогенных стадий:
і-<4Ѵ + - 4 I> ( т\кг» + к-. |
, I |
\ |
. |
||
+ - - |
|
I • |
|||
± |
+ _ L + |
> |
Кб / |
||
|
|
|
|||
Кз |
К I |
Кг |
|
|
|
Этот эффект, играющий определенную положитель ную роль при селективной эпитаксии, может быть весьма неблагоприятным при наращивании однородных слоев,
1С4
вызывая автокаталитическое разрастание морфоло
гических |
неоднородностей за счет |
микромассопото- |
ков [451. |
Мы видим, таким образом, |
что наилучшие ус |
ловия .тля образования гладкой (в частности, безвицинальной) поверхности эпитаксиального слоя создаются в том случае, когда нормальный массообмен в погранич ном слое лимитирует, а тангенциальный массообмен в пограничном слое развит слабо. Это достигается, напри мер, при очень тонком пограничном слое и по возможно сти высокой температуре кристаллизации; в свою оче редь, тонкий пограничный слой формируется при высо ких скоростях потока, а также при экранировании (см. выше, стр. 31). Очень часто пользуются более простым правилом: поскольку массообмен в газовой фазе изотро пен, а гетерогенные стадии анизотропны и избирательны, гладкие однородные слои должны получаться в «диффу зионной» области режимов процесса. Это правило неред ко оправдывает себя, но с учетом изложенного ясно, что оно не иоспт общего характера.
В целом представление о лимитирующей стадии мо жет быть эффективным средством при качественном ана лизе кинетических и структурно-морфологических усло вий формирования кристалла из газовой фазы. В каж дом конкретном случае эта стадия устанавливается по кажущейся энергии активации процесса, микрорельефу слоев и т. п. Но однозначным такой вывод может быть лишь в том случае, если известны кинетические парамет ры всех стадий процесса, а это делает излишним само представление о лимитирующей стадии. Поэтому данную простую модель можно рассматривать лишь как первое приближение в анализе процессов газофазной микроме таллургии.
О формах роста и морфологической стабильности при кристаллизации из газовой фазы
Этот вопрос пока мало изучен, и в настоящем разде ле мы вынуждены ограничиться лишь краткими заме чаниями.
При кристаллизации из расплава анализ форм роста и морфологической стабильности основан на одном из следующих факторов: интенсивности теплоотвода от фронта кристаллизации, зависимости свободной энергии поверхности раздела от ориентации и шероховатости граней; концентрационном или конституционном пере-
105
охлажд&нип (вследствие диффузионного перераспределе ния примесей или основных компонентов расплава в не которой зоне конституционного переохлаждения перед фронтом кристаллизации равновесная линия ликвидуса оказывается выше истинной температуры). Эти принци пы неоднократно использовались также и для описания морфологической стабильности при росте из собственно го пара.
Обычно вместо величины переохлаждения» -при
менялся параметр «пересыщение». |
Но в работе [28, |
|
с .115], например, учитывался также |
фактор |
теплообме |
на, причем было показано, что путем тонкого |
регулиро |
вания температуры газовой фазы перед фронтом кристал лизации удается создать условия, благоприятные для хо рошей огранки кристалла.
Однако кристаллизация из газовой фазы с участием химических реакций имеет явно выраженную специфику, II непосредственное применение для анализа этих процес сов классической теории морфологической стабильности, по-впдимому, не может быть эффективным. Выше мы от мечали роль мпкропзбирателы-іостп гетерогенных про цессов, поверхностной активности хемосорбционного слоя и диффузионных микромассопотоков в формировании микрорельефа. С другой стороны, исходная (газовая) фаза вследствие своей малой плотности имеет очень низ кие значения объемной теплоемкости и теплопроводности (на 2—4 порядка ниже, чем в твердом теле), а скорость кристаллизации обычно низка. Поэтому отвод тепла че рез исходную фазу практически не играет роли (заме тим, что при внешнем обогреве кристаллизация протека ет в условиях, близких к изотермическим).
Вместе с тем междурезультатами эксперименталь ных морфологических исследований при росте из газовой фазы и из расплава имеется определенная аналогия. С ячеистой структурой границы раздела при росте из рас плава можно сопоставить холмики роста эпитаксиальных слоев (рис. 24), хотя последние существенно менее упо рядочены. При низких скоростях кристаллизации в обо их случаях наблюдается тенденция к образованию ли нейчатой структуры (рис. 25). Наконец, при росте из га зовой фазы, как и из расплава, нередко наблюдается слоистый рельеф (рис. 26). При кристаллизации из рас плава этот эффект объясняется выделением большого ко личества тепла при движении групп ступеней, что привр-
106
Рис. 24. Ячеистая поверхность эпитаксиального слоя фосфида гал лия, полученного иодидным методом '(давление 3 ат, температура кристаллизации ,1020°С, толщина слоя 430 мкм, скорость роста 860 «км/ч, -плоскость (М-1) л). ХЮО
107
дит к торможению движения. С другой стороны, в газо вой фазе имеются по крайней мере два типа нѳкристаллизующпхся соединений (исходные реагенты и конечные продукты). Логично предположить, что массоотвод этих продуктов от фронта кристаллизации эквивалентен теп лоотводу при росте из расплава. В таком случае отме ченные аналогии в формировании рельефа легко объяс няются.
Другой класс явлений, характерных для кристаллиза
ции нз газовой фазы, можно |
назвать |
«ориентационной |
||||||||||
неустойчивостью»: изменение ориентации |
основной |
рас |
||||||||||
|
|
|
|
тущей |
грани |
|
или |
их |
||||
|
|
|
|
совокупности в процес |
||||||||
|
|
|
|
се роста. |
Эти |
явления |
||||||
|
|
|
|
характерны |
как |
|
для |
|||||
|
|
|
|
плоских подложек (рис. |
||||||||
|
|
|
|
27), |
так п для виекеров |
|||||||
|
|
|
|
(например, на плоско |
||||||||
|
|
|
|
сти |
(111) |
кристаллов |
||||||
|
|
|
|
с |
алмазной |
решеткой |
||||||
|
|
|
|
вискеры |
|
могут |
растд |
|||||
|
|
|
|
либо нормально к под |
||||||||
|
|
|
|
ложке, |
либо |
|
по всем |
|||||
|
|
|
|
четырем |
осям |
(111), и |
||||||
|
|
|
|
переход от одного на |
||||||||
Рис. |
25 |
Линейчатая поверхность гер |
правления роста к дру |
|||||||||
гому |
может произойти |
|||||||||||
мания, полученного иодндным мето |
при |
незначительном из |
||||||||||
дом |
(давление 0,5 ат, температура |
менении |
|
внешних |
ус |
|||||||
кристаллизации 600°С, скорость |
ро |
ловий |
[45]). |
Можно |
||||||||
ста 20 мкм/ч, плоскость (111). Х200 |
выделить два основных |
|||||||||||
|
|
|
|
фактора, |
вызывающих |
|||||||
ориентационную неустойчивость: |
неточные методы ори |
|||||||||||
ентации базовой плоскости |
подложки и |
чувствитель |
||||||||||
ность |
равновеснойогранки |
|
к |
условиям |
роста |
из |
газовой фазы.Первый можетбыть в значительной мере скомпенсирован сознательным выбором базовой плоско сти с высокими индексами Миллера (вероятно, наиболее удобны плоскости с максимальной плотностью ступеней, которые менее чувствительны к колебаниям условий
•кристаллизации). Второй фактор требует очень точного регулирования параметров процесса.
В отличие от кристаллизации из расплава, где мас сивный кристалл разрезается затем на заготовки, в про-
108