книги из ГПНТБ / Дорфман В.Ф. Газофазная микрометаллургия полупроводников [Текст] 1974. - 190 с

3.

Р о л с т е и и

Р. Ф. Иодидные

металлы и иодиды

металлов.

4.

Пер. с англ. М., «Металлургия»,

1968. 524 с. с ил.

v.

37,

p. 1139.

L a n g m u i r

I . — «J.

Amer. Chem.

Soc.», 1915,

5.

V a n

В Aer k e l

A. E.

de В о e r

J.

H. — «Z. anorg

und

allgem.

6.

Chem.», 1925, Bd 148, S. 345.

allgem. Chem.»,

D e

о

r J.

H., F a s t

J. D. — «Z. anorg. und

1926,

Bd

153,

S. 1.

9.

Р f а n n W. G. —е«Trans. АІМ Е», 1952, ѵ. 194, р. 747.

10.

F г о s h С. I., D г г і с k L. — «J. Electrochem. Soc.»,1957, v. 104,

,p. 547.

13.

1960 (Proc. of Metallurg. Soc. Conf. V. 12).

1960,

v. 4,

p.

280.

M a r i n a c e

J. C. — «JBM

J.

Res. and

Dev.»,

14.

A n d e r s о n

R. L. — «JBM

J.

Res. and

Dev.»,

1960,

v. 4,

p. 283.

15.

R a s m a n i c s

E. — «Semicond, products.», 1963, v. 6, p.

30.

16. R o b i n s o n

P. H. — «RCA

Rev.»,

1963, v. 24, p. 574.

1165.

17.

N i c o l l

F.

H. — «J.

Electrocrem.

Soc.»,

1963,

v. 110, p.

18. S i r t ie

E. — «Z. Naturforsch.», 1963, Bd

18a, S.

884.

1964,

19.

V a g n e r

R.

S.,

E l l i s W. C. — «Bell

Telephon Record»,

20.

V. 42, p. 142.

W.,

B l o e m

J. — «J. Electrochem.

Soc.»,

1964,

S t e i n m a i e r

21.

V.

Ill, p.

206.

A. M.,

S i m p s o n

W. I. — «J. Appl. Phys.»,

1964,

M a n a s e v i t

22.

V.

35, p.

1349.

R e y n o l d s

R. A., J e f f c o a t M .

W. — «So­

С о n a r d R. W.,

lid State Electronics»,

1967, v.

10, p. 507.

24. R i d e o u t

V. L.,

В 1a k e s 1e e A. E., E s a k i L. — «Solid State

Technol.»,

1974, v.

14, p. 14.

31.

C h i s l j a k o v

Y. D. '(Чистяков 10.

Д.) Epitaxie — Endotaxic.

32.

Leipzig, VEB Verlag Grundstoff, 1969.

К. А. — «Неорганические

Д о р ф м а и

В.

Ф.,

Б о л ь ш а к о в

33.

■ материалы»,

1968, № 4, с. 8.

основы химической техно­

Д о р ф м а и

В. Ф. — «Теоретические

логии», 1967, т. 3, с.

353.

36.

П.ч а с М . Биологический код.

Пер. е англ. М.,

«Мир»,

1971.

37

351 с. с ил.

U. Bierman N.

Y.,

Hayden

Microelectronic Design. Ed. by

38.

Book Company, INC., 1966.

их

при­

А л ф е р о в

H. И. — «Полупроводниковые приборы и

39.

менение». Вып. 25. М., «Советское радио», 1971. с. 204.

1967,

А л ф е р о в

Н. II. — «Физика и техника полупроводников»,

т. I, с. 436.

41.

М и г а ль В. П.,

Ми га ль Н. Н. В кп.: Электронные

процес­

сы на поверхности и в імоноюристаллнческих слоях полупро­

42.

водников. Новосибирск, «Наука»,

1967. с. 215 с ил.

И. П .—

Д о р ф м а и

В. Ф.р Б о л ь ш а к о в

К. А., К и с л я к о в

43.

«Неорганические материалы», 1965, т. I,

с. 37.

Д е р нн г X., М о л ь е р 1\. — В км.: Методы получения чистых

металлов. Сб. переводов под ред. В. С: Емельянова и А. И. Ев-

44.

стюхина. М., ИЛ,

1957. с. 95 с ил.

J.

Solid State Physics

in

Ele­

N e w m a n

R. S.,

W a k e f i e l d

ctronics and Telecomm. V. I. part 1, L.—N. Y., «Academic Press».

45.

1960.

В.

Ф., Б е л о к о н ь

Al.

С., П ы п к и н

Б.

Н.,

Дорф. маі н

Х а н И. Д. — В

кн.: Рост кристаллов.

Труды симпозиума

по

росту кристаллов 7-го Международного

конгресса

кристалло­

графов. Т. 9. М., «Наука». 1972, с.

193.

46. Г и в а р г и з о в

Е. И. — ФТТ,

1964, т. 6, с. 1804.

кинетика и

47. П а н ч е н к о ®

Г. М.,

Л е б е д е в

В. П. Химическая

катализ. М ., Госхимиздат, 1961.552 с. с

ил.

Thermoche­

48. K u b a s c h e w s k i

О., E v a n s

Е . L. Metalurgical

mistry. L., «Pergamon Press, LTD», 1956.

Б о л ь ш а к о в

К. А.—

49. Д о р ф м а и

В. Ф., К и с л я к о в

И. Л. ,

Ж ФХ, 1965, т. 39, с. 996.

М. Б., X а и И. Д. — «Теорети­

50. Д о р ф м а и

В. Ф.,

Г а л и н а

ческие основы

химической технологии»,

1969, т. 3,

с.

49.

51.

W e h m

ei er

F.

H. •— «J.

Crystal Growth»,

1970, v. 6, p. 343.

52.

Б о л ь ш а к о в

1\. А.,

Г а л ч е н к о

И.,

Д о р ф май

В.

Ф.,

К и с л я к о в

I I.

П. — «Неорганические

материалы», 1971,

т. 7,

53.

с.

83.

J., A l i a s а ki

J. — «Japan

J.

Appl. Pliys.»,

1963,

A r i z u m i

54.

V. 2, p.

602.

А k а s а k i

J. — «Japan

J. Appl. Pliys.», 1964.

v. 3,

А r i z u m i J.,

55.

р.

87.

V.

L.,

L a t i m e r

W. M. — «J. Amer. Chem. Soc.»,

1952,

J o l l y

56.

V. 74, p. 5752.

«J. Eleclrochem. Soc.»,

1963, v. 110, p. 775.

L e v e r

R. F. —

57.

A I с о c k C.

B.,

J e f f e s

J.

LI. E. — «Trans. Insl. Mining

Mel.»,

58.

1967, V. 76, p. 246.

необратимых процессов. Лер.

с нем.

X

а а 3 e P.

Термодинамика

60. Б о л ь ш а к о в

К. А., Д о р ф м а и В.

Ф.,

К и с л я к о в И.

П.,

Н и р ш а

К..

М. — «Неорганические

материалы», 1966, т.

2,

61.

с. 1921.

Е. Строение и свойства двойных металлических систем.

В о л А.

Т. I. М.,

Физ'матгиз, 1959. 755 с. с ил.;

т. II.

М., Физматгпз, 1962.

62.

982 с. с ил.

соединения Ліп

В

V

.

Б и в е р

М. — В кн.: Полупроводниковые

65.

Изд-во АН СССР,

1961. 396 с. с ил.

1150.

Г и в а р г и зо в

Е. И. — ФТТ, 1963, т. 5, с.

1963,

т.

36.

66.

С у б а ш и е і в

В.

К., Д ы м ш и ц

ІО.

И. — Ж ПХ,

67.

с. 2761.

В.

Ф., Б о л ь ш а к о в

К.

А.,

К и с л я к о в

И. П.—

Д о р ф м ан

68.

«Неорганические материалы», 1965, т. I,

с.

471.

Ф р а и к - К а м ей е ц« и й Д. А.

Диффузия

и теплопередача в

69.

химической кинетике. Изд. 2-е. М .,

«Наука», 1967, 491 с. е ил.

Ш е ф т а л ь

Н.

LL,

Г и в а р г и з о в

Е.

И. — «Кристаллогра­

70.

фия», 1964, т. 9, с. 686.

Solids»,

1962, v. 23, p. 587.

M a n d e l

G. —

«J.

Phys. Chem.

71.

L e v e r

R.

P. — «J. Chem. Phys.»,

1962, v. 37, p. 1174.

72. M a n d e 1

G. — «J. Chem. Phys.»,

1962, v. 37, p. 1177.

73.

Дор' ф' Ман

В.

Ф. — «Кристаллография»,

1968, т. 13, с. 140.

74.

Процессы роста и структуры монокрнсталлических слоев полу­

75.

проводников. Ч. 1. Новосибирск,

«Наука»,

1968, 593 о. с

ил.

К u z п е t s о V

F.

A.,

B e l y i

V.

I.

(Кузнецов Ф. А.,

Бе­

лый В. И.). — «J. Electrochem. Soc.»,

1970, v. 117, р.

785.

76. S h a w

D. W. — «J. Crystal Growth»,

1971, v. 8, p. 116.

J.,

77.

E V e г I e у n

F.

C.,

S e v e r i n

P.

J.

W.,

Br e k e l C. H.

78.

P e c k

H. 1. — «J.

Electrochem. Soc.»,

1970, v.

117, p. 925.

Sta­

А n d r e w s

R. W.,

P у n n e D. M., W r i g h t

E. G. — «Solid

79.

te TechnoL». 1969, v. 12, p. 61.

И.

И.

Эпитаксиальные пленки.

П а л а т н и к

Л.

С., П а п и р о в

М ., «Наука»,

1971. 480 с . с ил.

80.

J o y c e

p.

В.

A.,

B r a d l e y

R. R . — «J.

Electrochem.

Soc.»,

1968,

81.

V. 110,

1235.

1962, v.

109,

p.

1171.

B y l a n d e r

F. G. — «J. Electrochem. Soc.»,

82.

I i d a S. — «Japan J. Appl. Phys.»,

1966, v. 5,

p. 138.

т. 5,

83.

С т е п а и о в а

А.

И., Г п в а ,р г н з о в

Е. И. —

ФТТ, 1963,

84.

3034.

1964,

v.

Ill,

p.

1381.

S е d \ѵ і с к Т. О. — «J. Electrochem. Soc.»,

85.

Р о д и г и н

H.

M.,

Р о д и т н а

Э. Н.

Последовательные

хи­

мические реакции. Математический анализ и расчет .М., Изд-во

86.

АН СССР , 1960. 138 с. с ил.

1962, v.

I,

p.

22.

T a k a

b a y as hi

М. — «Japan J. Appl. Phys.»,

87.

Арсенид

галлия.

Вып. 2. Томск, Изд.

ТГУ, 1969.

230

с.

с

ил.

(Сибирский

фнзико-техннч.

паучно-иослед.

ин-т им.

В. Д.

Кузне­

цова при ТГУ). Приложение к журналу «Изв. вузов СССР,

88.

Физика»,

1969, № 5.

R. — «J. Electrochem. Soc.»,

1962,

M o e s t

R. R.,

S h и р р В.

89.

V. 109, р. 1061.

L., G a l d s m i t h

N. — «J.

Electrochem.

Soc.»,

N e w m a n

R.

90.

1961, V.

108,

p.

1127.

H.,

M а x w e 11 K.

H.,

Z i m m e r-

В о b b

L. S.,

H o l l o w a y

91.

m a n

E. —

«J. Phys. Chem.

Solids», 1966,

v. 27,

p.

1679.

1966,

R u b e n s

t e i n

M., M y e r s

E. — «J. Electrochem. Soc.»,

92.

V. 113, p. 365.

Soc.».

1967,

v.

114,

p.

410.

T a y l o r

R.

C. — «J. Electrochem.

93.

£ f f e r D. — «J. Electrochem. Soc.»,

1965, v. 112,

p.

1020.

1964,

94.

E v i n g

R.

E.,

G r e e n e

P.

E. — «J.

Electrochem.

Soc.»,

95.

V. 1M, p . Г266.

Soc.»,

1968, v.

115, p.

405.

S h a w

D. W .— «J. Electrochem.

96.

Д о і р ф м а н

В.

Ф..

Пыі пкин

Б.

Н. — «Неорганические мате­

97.

риалы», 1972, т.

8,

с.

1539.

from

the

Vapour

Phase.

Resume

Crystal

Growth

and

Epitaxy

98.

Abstracts. Zürich,

ICCG, 1970. (Proc. nof

tht

ICCG,

Zürich,

1970).

R i c h a r d s o n

M. — «Acta Chem. Scand.»,

1967,

v. 21,

p.

2305.

99.

К r ä m e г V.,

N i t s h e К., О 11 e m a

T. — «J. Crystal Growth»,

1970, V. 7, p. 285.

Growth», 1971, v. 8, p. 60.

100. K r i s h n e P. — «J. Crystal

102. B o r s h c h e v s ki A. S.,

G o r y u n o v a

N.

A.,

K e s a m a n -

1у

F.

P., N a s 1e d о V D. N.. (Борщевский

А.

'С., Горюно­

ва

H.

А. Кесаманли Ф.

П., Наследов Д.

H.) — «Phys. Status

Solidi»,

1967, V. 21, p. 9.

104.

ков, 1967.

L.

V., C a r p e n t e r

D.

R. — «Electrochem.

Soc.».

M e C a r t y

105.

1960, V.

107, p. 38.

IT.

Структура

и

свойства

переходных

А л e КС а іи д p о в Л .

слоев, образующихся

в

процессе

эпитаксии.

М.,

Изд.

ЦНИИ

106.

«Электроника»,

1972.

К-

В.,

К и с л я к о в И. П .—

Д о р ф м а н

В.

Ф., Б о л ь ш а к о в

В кн.: Материалы совещания по методам получения особо чис­

107.

тых веществ. М ., Изд-во НИИТЭХИМ ,

1967,

с.

12.

Dev.»,

B a k e r

W.

Е.,

C o m p t o n D. М. — «IBM

J.

Res. and

1960, V.

4, p.

269.

108.

B e n s o n

Q.

C., F r e e m a n

P.

I., D e m p s e y

D.

E. — «Adv.

in Chem.», 1961, v. 33, p. 26.

S. — «Surface. Sei.»,

1967,

v. 5,

109. M a r k

l u n d

I.,

A n d e r s o n

110.

ip.

197.

J. J., M o r t i s o n

J .— «Surface Sei.», 1966, v. 4, p.

241.

L a n d e r

111.

L a n d e r

J. J. — «Surface Sei.», 1964, v. 1, p. 125.

1093.

112.

H a n e m a n

D. — «Phys. Rev.»,

1961, v. 121, p.

Г13.

H e n z l e r M . — «J. Appl. Phys.», 4969, v. 40, p. 3768.

114.

К и с е л е в

В.

Ф. Поверхностные явления в полупроводниках

II диэлектриках.

М ., «Наука», 1970. 399 с. с ил. (Сер. «Физика

115.

полупроводников и полупроводниковых приборов»).

15, с. 435.

Д о р ф ' м а н

В.

Ф. — «Кристаллография», 1970,

т.

116.

Д о р ф м а н

В.

Ф., Т р у с о в

Л.

И. — «Кристаллография»,

1968,

117.

т.

13, с. 502.

Исследования структуры молекул,

Б о р о в и н о к и й Л. А. В кн.:

■ кристаллов и кристаллических зародышей. Л., Изд.

ЛЛИ ,

1971,

118.

с.

44.

А.

А., Т р у с о в

Л.

И. — «Кристаллография»,

1969,

Ч е р н о в

119.

т. 14, с. 218.

В.

Ф., Т р у с о в

Л.

И. — «Кристаллография»,

1970,

Д о р ф м а н

т.

15,

с.

788.

120. Т р у е о в Л. И. — ФММ, 1969, т. 28, с. 282.

1962, v. 224,

121.

C h o i

J. Y.,

S h e w m a n

Р. G. — «Trans. А1МЕ»,

122.

p.

589.

R.,

R o l i n s

D. A. — «Metallurgie»,

Oct.

1966,

D u c k e l t

123.

p.

163.

I.,

R h e a d

G.

E. — «Surface Sei.»,

1967,

v. 7,

P e r d e r a u

126.

S а t о H., S h i n о z а k i S., С i с о 11 e L. — «J. Vacuum

Sei. and

127.

Technoh», 1969, v. 6, p. 62.

M . G. — «Thin Films», 1969,

C h a d d e r t o n

L. T.,

A n d e r s o n

V. 1, p . 229.

J.

128.

H e n n i n g

C.

A. O.,

L o m b o a r d

J. С., В о t h e

С. — «J.

129.

Appl. Phys. Letters»,

1969, v. 14, p. 109.

симпо­

Д о р ф і м а н

В.

Ф. — В кн.:

Рост

кристаллов. Труды

зиума по росту

кристаллов

7-го Международного

конгресса

130.

кристаллографов. Т. 9. М., «Наука», 1972, с. 268.

Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводі-

131.

никах. М ., «Мир», 1969. 398 с. с ил.

М я с н и к о в

Н.

А„

Б о л ь ш у н Е. В. — «Кинетика и катализ»,

132.

1967, т. 8, с. 182.

G a t e s Н .

С . — «Surface Sei.»,

1969, v. 13,

S o c h a n s k i

J.,

133.

р. 393.

А.

Г.,

Ф е д о р у с А. Г. — «Письма

в ЖЭТФ»,

Н а у м о в е н

1969, т. 10,

с.

11.

135.

K i n a w i

А.

А., H u d s o n

J.

В. — «J. Vacuum

Sei.

and

Tech-

136.

nol.», 1967, V. 4, p. 230.

J.

S. — «Surface

Cci.»,

1969,

v. 15,

H u d s o n

J.

B., S a n d e j a s

137.

p. 27.

H„

M e r g e r P.

D.,

S h e r w o o d

R.

G. - ^ «Surface

J a e g e r

Sri.». I960. V.

13, p. 349,

138.

J o y s e

В. II.,

N e a v e

J.

H., W a t t s

В.

E. — «Surface

Sei.»,

139.

1969, V. 15, p. 177.

D. K., — «Surface Sei.», 1969,

v.

15,

C h a r i

g

J.

M.,

S k i n n e r

140.

p. 127.

А.

А. Мультпплетпая теория

катализа.

Ч.

I

М.,

Б а л а н д и н

141.

М ГУ. 1963. 103 с. с ил., ч. II. М., МГУ, 1964,

243 с. с ил.

T a y l o r

Н. S. — «Proc. Roy. Soc.», 1926,

v.

108А, р. 105.

142.

А ш м о р

П.

Катализ и

ингибирование

химических

іреакцнн.

Пер. с англ. М .,

«Мир»,

1966. 497 с. с ил.1

144.

Д о р ф м а н

В.

Ф.,

С и б и р ц е в

Л.

С .— ДАН

СССР,

1968,

145.

т. 181, с. 874.

В.

Ф.,

Х а н И, Д. — «Неорганические материалы»,

Д о р ф м а н

146.

1968, т. 5. с. 1670.

Л у к ь я н о в

В.

М. — ФТТ, 1968,

т. 10,

Т р о ф и м о в В. II.,

147.

-с. 1889.

т.

11,

с. 2139.

Н а б и т о в и ч И. Д. —■ ФТТ, 1969,

СССР,

1967,

148.

Д и с т л е р

Г.

И.,

К о б з а р е в а

С. А. — ДАН

149.

т. 172, с. 1069.

М.,

П а л а т и н к Л.

С.,

С о к о л

А.

А.,

А р х н-

К о сев и ч В.

150.

по® П. П, — ДАН СССР, 1968, т. 180, с. 586.

R о t Е. А., — «RCA

Rev.», 1963, ѵ. 23, р. 449.

37.

151.

M i n d e n

Н. Т. — «J. Crystal

Growth»,

1971, v. 8, р.

1

И в а н о в

Г.

А.,

С а в и ц к а я

Я. С.,

В е л и к ж а и и и а Л.

А. —

52.

153.

«Неорганические материалы»,

1969, т. 5,

с. 1915.

Д о р ф м а н

В.

Ф.,

П ы л к и и

Б.

Н. — «Кристаллография»,

154.

1972, т. 17, с. 00

1965, т.

10,

с.

586.

С в е т л о в

С.

П. — «Кристаллография»,

155.

A d a m s к у R.

F. — «J. Appl. Phys.»,

1969, v. 40, p. 4301.

Пер.

156.

К р и к op и an

E. — В кн.: Монокристаллические .пленки.

157.

с англ. Под ред. 3. Г. Пинскера. М., «Мир», 1966, с. 146.

ред.

Т ун Р.

Э. — В кн.:

Физика

тонких пленок.

Т. I. Под

159.

Х н р с Д.,

П а у н д Г. Испарение

и конденсация. Пер.

с

англ.

М., «Металлургия», 1966, 196 с. с ил. Сер. «Успехи физики ме­

160.

таллов». Т. II).

Л. — В

кн.:

Физика

тонких

пленок.

X иір с Д.,

М о а з е д К .

Т. IV. Под ред.

Г Хасса

и Р.

Туна.

Пер. с англ.

М.,

«Мир»,

161.

4970, с. 123.

G. — «Kristall

und

Technik»,

1970,

'Bd 5,

Z i n s m e i s t e r

162.

S. 207.

D.

R.,

V e n a b l e s

I. A. — «Adv. in

Physics»,

\

F r a n k l

1970,

163.

V. 19, p. 409.

R h о d i n T. N.,

R o l l i n s

R. — «J. Chem. Phys.»,

W a 11 о n D.,

164.

1963, V. 38, p. 2698.

1967, т. 53,

с.

2090.

Ч е р н о в А. А. — ЖЭТФ,

СССР»,

1968,

165.

Д о р ф м а н

В.

Ф., Г а л и н а

М.

Б .— «ДАН

166.

т. 182, с. 372.

В.

Ф., Г а л и н а

М.

Б.,

Т р у с о в

Л. II. — «Кри­

Д о р ф м а н

сталлография»,

1969, т. 14, с. 71.

169. J o y c e

В.

A.,

B r a d l e y R. R., B o o k e r Q. R. — «Phil. Mag.»,

1967, V.

15,

p.

1167.

171. L e w i s

В., C a m p b e l l D. S. — «J. Vacuum Sei. and Techno!.»,

1967, V.

4, p. 209.

173.

гии. ии-та Т. 19. Вып. 2).

П.

Е. — ФММ,

1969, т. 28, с.

426.

Г о л о с о в

Н.

С., П о п о в

174.

R o m a n o w s k i W. — «Surface

Sei.»,

1969,

v.

18, с. '373.

18,

175.

P a u n o v

M.,

K a i s h e w

R. — «Surface Sei.»,

1969,,

v.

176.

p. 268.

L.,

H i r t h

P. — «Surface

Sei.»,

1969, v. 15,

p.

403.

K e n t у J.

J.

178.

K u n t z e R.,

C h a m b e r A.,

P r u t t e n M. — «Thin Solid

179.

Films»,

1969, V. 4, p. 47.

13, S.

213.

G r a d

m a n

U. — «Ann. Physik»iv1964, Bd

180.

G г а d m а n N. — «Ann. Physik»,

1966, Bd

17, S.

91.

183.

E n g e l

O. — «J.

Res.

and Dev. British

cast-iron res. assoc.»,

184.

1953, V. 5, p. 249.

С.,

П а п и р о в И. И.

Ориентированная

П а л а т н и к

Л.

185.

•кристаллизация. М., «Металлургия», 1964.

409 с. с ил.

C u r t i s

В. J.,

B r u n n e r Н. — «J. Crystal Growth», 1970, v. 6,

р. 269.

188.

2-nd Colloq. on Thin Films, Budapest, 1967).

1964,

V a g n e r

R.

S.,

E l l i s

W. C. — «J. Appl.

Phys. Letters»,

189.

V. 1, p. 89.

E l l i s

W. C. — «J.

Appl.

Phys.»,

1965,

v. 36,

B a r n s R. L.,

190.

р. 2296.

M.

С., Д о р ф м а н

В. Ф.,

С е в а с т ь я н о в

Б е л о к о н ь

В . В.— В

кн.:

Вычислительная

техника.

Труды

конференции

191.

ИНЭУМ . Вып. 1. М „ изд. ИНЭУМ, 1967, с. 140.

П. и

А л е к с а н д р о в

Л.

И., В а у л и н

Ю. Д.,

М и г а л ь В.

др. — В юн.: Материалы

Всесоюзного

совещания

по дефектам

структуры

в

полупроводниках.

Ч.

2.

Новосибирск,

«Наука»,

192.

1970 с, 58.

С .

Е.

Е. — «J. Crystal

Growth» ,1970, v. 7, р. 259.

S t e w a r t

193.

M a t t h e n s J .

W. — «Phil. Mag.», 1961, v. 6, p. 1347.

Г.

Ф,.

194.

Д о р ф м а н

В. Ф.,

Б е л о к о н ь

М. С.,

К р а с н о в а

Т о л к а ч е в а

Г.

П. — Неорганические материалы»,

1965, т.

I,

195.

с. 1016.

X. Г. Дефекты в кристаллах. Пер. с англ. М.,

В а н Б ю р е н

196.

И Л , 1962. 584 с. с ил.

Phys.»,

1962,

v.

33,

B o o k e r

G.

R.,

S t i c k l e r R. — «J. Appl.

p. 3281.

197.

N o t i s

M.

R., C o n r a d

ü .

P . — «j. Appl.

Phys.»,

1964,

v. 54,

198.

p.

3619.

D .

P. — «J. Appl. Phys.», 1963,

v. 34,

p. 2813.

M i l l e r

v.

38,

199.

B o b b

L.

C.,

H o l l o w a y

H. — «J. Appl.

Psys.»,

1967,

200.

p. 2711.

H .

H. — «Кристаллография»,

1971, т. 16, с. 394,

Ш е ф т а л ь

201.

М а г о м е д о в

X.

А.,

Ш е фRт. а л ь

Н.

Н. — «Кристаллография»,

202.

1964, т. 9, с. 902.

E v a n s

J. — «Trans.

Met. Soc.

AIME»,

R e v e s z

A.

G.,

203.

1964, V. 230, p. 581.

L i

С. H. — «J. Electrochem. Soc.», 1962, v. 109, p. 952.

В. И.,

204.

Г и м м е л ь ф а р б

Ф. А.,

К и с т о в a

E.

M.,

М а с л о в

С а х а р о в

Б. А.,

Ф и с т у л ь

В.

И. — «Неорганические

мате­

205.

риалы», 1970, т. 6, с. 461.

1963, ѵ. ПО, p. 1065.

G r o s s m a n

J. J. — «J. Electrochem. Soc.»,

206.

N e w m a n

R.

C.,

W a k e f i e l d

J. — «J.

Electrochem.

Soc.»,

207.

1963, V. 110, p. 1068.

полупроводников.

M .,

Ме­

Ш а ш к о в

Ю.

M.

Металлургия

208.

таллургиздат,

1960,

21і2 с. с ил.

State

Electronics»,

1963,

C o u r v o i s i e r

J.

С.

е.

а. — «Solid

209.

V. 6, р. 265.

В.

В. «Кристаллография»,

1964, т. 9. с. 300.

П о с т н и к о в

210.

R i c h a r d s

F.

L.

е.

а. — «J. Appl.

Phys.»,

1963, v. 34, р. 3418.

211.

В л а с о в

В.

А.,

С е м и л е т о в

С.

А. — «Кристаллография»,

212.

1967, т. 12,

с 871.

Т a k a g і М. — «J. Phys. Soc. Japan», 1954, v. 9, p. 359.

213.

В а с и л ь е в

В.

Д.,

Т и х о н о в а

А.

А. — «Кристаллография»,

214.

1966,

т.

11,

с.

668.

М.

С.

Кинетика и

катализ. Л.,

ЛГУ,

1968,

3 а X ар ье в ск и й

215.

314 с.

К-,

N i

dee

S.,

T a k e s h i

T.,

J u n i c h i

N .—

M a s a s h i

216.

«Japan J. Appl. Phys.»,

1968, v. 7, p.

1132.

Phys.»,

1971,

v.

42,

O r e n

R.,

G h a n d h i

S.

K- — «J. Appl.

217.

p. 7Ö2.

b J.,

de

N e u f v i l l e

J.,

M o s s

S.

C., O v s h i n s k y

F e i n

l ei

218.

S .

R., — «Appl. Phys. Letters»,

1971, v. 18, p. 254.

F a b e r

E.

C., T a u b e r

R.

N.,

B a r r e t

B. — «J. Appl. Phys.»,

219.

1969, V. 40, p. 2958.

H.,

O k u r a

K,

M i n a m i g a

A . —

T a r u i

V.,

T e s h i m a

220.

«J, Electrochem. Soc.», 1963, v. 110, p. 1167.

М и к

Дж .,

К р э г с

Дж . Электрический пробой в газах. Пер. с

221.

анг. М., ИЛ., 1960,

606 с. с ил.

Процессы

обмена мест.

Под

З а й т

В.

Диффузия

в металлах.

222.

ред. Б. Болтакса. Пер. с англ. М., ИЛ,

1958, 381 с. с ил.

р.

165.

R а І-С h о u d h и г у

Р.—«J. Crystal Growth»,

1971,

v. 8,

223.

З о т о в

Ю.

А., М а с л о ®

В. Н„ М и т и н

А.

П. — ДАН СССР ,

224.

1965, т. 161, с. 1126.

Е. — В

кн.: Современная вакуумная

В о л с к и й

С., Жд а - н ю к

техника. М ., ИЛ , 1963,

с.

324.

225.

Y

п g

S. W.,

С h i a n g

Y.

S. — «J. Electrochem.

Soc.»,

1966,

226.

V. 113, р. 192.

F.,

S w a n n

R. C.

G. — «Solid State

Electronic

S t e r l i n g

Н.

227.

Internat. J.»,

1965,

v. 9,

p.

653.

E.

M.

Статистическая

физика.

Л а н д а у

Л. Д.,

Л и в ш и ц

'Изд.

2-е М .,

«Наука»,

1964.

568 с. с

ил.

(Сер. «Теоретическая

228.

физика». Т. V).

E l l i s

W. S.,

J a c k s o n

K-

A.,

A r n o l d

W a g n e r

R.

S.,

229.

S. M. — «J. Appl. Phys.»,

1964, V.

35, p.

2999.

A.,

A r n o l d

W a g n e r

R.

S.,

E 11 i s W. S.,

J a c k s o n

K .

230.

S. M. — «J. Appl. Phys. Letters»,

1964, v. 4,

p. 89.

p. 2525.

M e n d e l s o n

S. — «J. Appl. Phys.»,

1965, v. 36,

231.

W a g n e r

R. S. — «J. Appl. Phys.»,

1967, v. 38, p. 4.

Growth»,

232.

G i v a r g i z o v

E.

I.

(Гиваргизов

E. И.)

«J.

Crystal

233.

1971, V. 9, p. 326.

1966, v. 37, p. 2399.

S 11 a r i k J. P. — «J. Appl. Phys.»,

234.

V a n T o m e

L. J. — «J. Appl. Phys.»,

1966, v. 37, p. 3894.

235.

Д е р я г и н

'Б.

В.,

Ф е д о с е е в

Д.

В.,

Л у к ь я н о в и ч В. М.

и др, — «ДАН СССР», 1968, т. Ш ,

с. 1094.

236.

C r a w f o r d

J. С.,

D г a g s d о

г

f

R.

D. — «J.

Appl.

Phys.»,

1965, V. 36,

p.

2766.

239.

Нитевидные

кристаллы

и

неферромагнитные

.пленки.

Труды

I научной

конференции

Воронежского

политехнического

ин-та.

240.

Ч. I. Воронеж, 1970,

286 с. с ил.

П.

С.,

Д р о н ю к

С а и д у л о в а А.

В., Б о г о я в л е н с к и й

241.

М. И. — ФТТ,

1963, т. 5, с. 2580.

Г л а з о в

В.

М., З е м с к о в

В. С. Физико-химические основы

242.

легирования полупроводников. М ., «Наука»,

1967. 371 с. с ил.

S t e w a r t

С.

Е. Е. — «J.

Crystal

Growth»,

1971,

v.

8,

р.

259.

243.

R а Т-С h о u d h и г у

P.,

S a l k o v i t z

E.

J. — «J.

Crystal

244.

Growth», 1970, V. 7,

pp. 353,

360.

строение

кристалла.

М „

Л е м м л е й н

Г.

Г.

Секториальное

245.

Изд-во АН СССР,

1948. 38 с.

1966, v. 112,

p.

748.

W i l l i a m s

F. V. — «J. Electrochem. Soc.»,

246.

M u 11 i n J.

B. Compound

Semiconductors. V.

I.

Preparation of

247.

■ III—V Compounds. N. Y., Reinhold,

1962.

State

Electronics»,

P e a k e r

A.

R. — S m i t h

B.

L. — «Solid

248.

1970, V. 13,

p.

1407.

Ф. А.,

Т.

Э. С.,

М а с л о в

Г н м м е л ь ф а р б

К а п е л и о в и ч

249.

В. H. и др. — «Кристаллография»,

1969,

14, с.

1104.

14,

p.

185.

K n a p p e t

J.

Е. — «Solid

State Electronics»

,1971,

v.

1250.

B l a c k J. F. — K u

S. M . — «J. Electrochem. Soc.»,

1966,

v.

113,

251.

p. 249.

1967, v. 113, p. 813.

K u

S. M. — «J. Electrochem. Soc.»,

1963,

v. 6,

252.

К u

S. M.,

В 1a c k J. F. — «Solid

State

Electronics»,

253.

p. 505.

F.

A. — «J.

Electrochem.

Soc.»,

1962,

v.

109,

P i z z a r e l l o

254.

p. 226.

J.

., A m

i c k

J.

A. — «J.

Electrochem.

Soc.»,

1966,

T i e t j e n

255.

V. 113, p. 724.

B., T i e t j e n

J. J. — «Trans.

Metallurg.

Soc.»,

C l o u g h

R.

1966, V. 113, p. 724.

259.

M i zu по О.,

K i k u

chi

S., S e hi Y. — «Japan J. Appl. Phys»

260.

1971, V. 10, p. 208.

B e l l

R. O., M e n n a A. A. — «J. Electrochem.

W e i n s t e i n

M„

Soc.», 1962, V.

III,

p.

674.

261.

R i b e n A. R., F o u c h t

D.

L., O l d h a m

W.

G. — «J.

Eleclro-

262.

chem. Soc.», 1966, v. 113, p. 245

L. — «IBM

Jp.. Res.

R i d e о u t V. L.,

В 1а к e s 1e e А. E., E s a k i

263.

and Dev.», 1970, v. 14, p. 61.

Rev.»,

1963,

v.

12,

523.

C a v e E. F„

C r o r n y

B. R. — «RCA

264.

T a k a b a y a s h i

M.,

N a k a g a w a

J.,

K a l s u m u r e

FI.—

265.

«Toshiba Rev.», 1964, v. 12, p. 1279.

1965,

v.

112, p.

746.

M i c h e l it s c h

M. ■— «J. Electrochem. Soc.»,

266.

S h a w D. W. — «J. Electrochem. Soc.»,

1966,

v.

113,

p. 904.

267.

Д о р ф м а и

В.

Ф., То

п о р о в с « нм

С.

А.,

X о л м я н с к и іі

268.

В. И. — «Кристаллография»,

1972, т. 17, с. 390.

Soc.»,

1968,

D r u m С. М.,

C l a r k

С.

А. — «J. Electrochem.

270.

«Electronics»,

1969,

v. 42,

№

6, p.

67.

[«Электроника,

1969,

271.

T. 42, № 6, c. 67].

G. E. — «The Bell

System

Teehnol. J.»,

B o y l e

W.

S.,

S m i t h

272.

1970, V. 49, p. 587.

io

G. F.,

S m i t h

G.

E. — «J. Appl.

T o m p s e t t

M.

F., A m e i

273.

Phys. Letters», 1970, v. 17, p. 111.

12, p.

1

H a l s o r

J.

L. — «Solid

State

Teehnol.», 1969, v.

274.

I p r i A.

C. — «Solid

State Teehnol.»,

1970, v.

13, p. 37.

1966,

275.

R a n d

J.

M.,

A s h w o r t h

J.

L. — «J. Electrochem. Soc.»,

276.

V. 113,

p.

48.

S.,

W a d а

K-,

T a n i g u c h i

1. — «Japan

J.

Appl.

J а m az а k i

277.

Phys.», 1970, V. 12, p. 1467.

R. R.,

C a

m a c h e

R.

R. — «J.

IC а s e у

J.

J.,

V e r d e r b e r

278.

Electrochem. Soc.», 1967, v. 114, p. 201.

Appl.

Phys.»,

1968,

H a s e g a w a

F.,

S a i t o

T. — «Japan J.

279.

V. 7, p.

1342.

К i k u c h i S.,

M a r u y a m a

M. — «Japan

J. Appl.

M i z u n о О.,

280.

Phys.» ,1970, V. 9, p. 1544.

Electrochem.

Soc.»,

1969,

R i c h m a n

D.,

A r l et t

K- A. — «J.

281.

V. 116,

p.

872.

.

S h i e b e r

M. — «J.

Electrochem.

Soc.»,

1970,

A v i g a l

Y.,

283.

B i c k n e l l R.

W. — «Phil.

Mag.», 1966,

v.

14, p.

31.

v. 236,

284.

B l a n k

J. M.,

R u s s s e l

V. A. — «Trans. AIME»,

1966,

285.

p. 291.

D. J. — «Solid

State Electronics»,

1970,

v. 13,

p.

415.

D u m i n

286.

D u m i n

D. J. — «J. Electrochem. Soc.»,

1971, v. 118, p. 95.

287.

G u t t i e r r e z

A.,

P o m m e r i n g

FI.

D.,

J a s p e r

M. A.,

M a n

t z o u r a m i s

A.

P. — «Solid

State

Electronics»,

1970.

V. 13,

p.

1200.

290.

M u r p h y

B. L. — «IEEE J. Solid

Slate Circuits»,

1970,

291.

V. SC— 5,

p.

1.

1971, v. 44, JTs 15,

p. 76.

De F a l c o

J. A. — «Electronics»,

[«Электроника», 1971, т. 44, № 15].