Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Лавренко, В. А. Рекомбинация атомов водорода на поверхностях твердых тел

.pdf
Скачиваний:
29
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
12.65 Mб
Скачать

яр'-состояний атомов

углерода с соответствующим ростом ра­

боты

выхода. Электроны в такой

стабильной

яр3 -конфигура-

ции

мало способны

к взаимодействию

с внешними

электронами,

что должно обусловливать слабую адсорбционную способность кар­ бидов с высоким статистическим весом 3-СОСТОЯНИЙ.

Эти выводы согласуются с результатами

Рамквиста [380], кото­

рый, исследуя электронную структуру

карбидов M e l v G — M V ! C

методами электронной спектроскопии, показал переход электро­

нов от металла к неметаллическому компоненту и на основании это­ го объяснил ряд физических свойств указанных соединений в об­ ласти гомогенности.

Сравнение экспериментальных кривых (7) и (2) (см. рис. 49, 50) обнаруживает хорошую корреляцию. Причина этого, как нам кажется, состоит в электронном характере хемосорбции атомов водорода на поверхностях карбидов, которая сопровождается по­ следующей их рекомбинацией в результате взаимодействия с ато­ мами водорода, налетающими из газовой фазы. Естественно ожи­ дать, что при прочих равных условиях (состояние поверхности, степень дефектности) электронный характер адсорбционного взаимо­ действия между атомом и поверхностью будет оказывать решающее влияние на процесс рекомбинации, для которого рассматриваемая поверхность является катализатором. Как и ранее, можно пола­ гать, что большей энергии адсорбции будет соответствовать и боль­ шая вероятность рекомбинации.

В [386] приведена краткая сводка существующих вариантов модели адсорбции и показано, что при хемосорбционном характере взаимодействия в зависимости от соотношения величины работ выхода электрона адсорбента ср, потенциала ионизации J и валент­ ности атома адсорбата в системе возникает смешанная ионноковалентная и металлическая связь. Это согласуется с современной квантовой теорией адсорбции, в соответствии с которой всякий адсорбированный атом находится в состоянии непрерывного элект­ ронного обмена с адсорбентом [387, 388], так что становится очевид­ ным влияние как электронной структуры поверхности, так и приро­

ды адатома,

на характер и энергию адсорбции.

 

 

В [389] показано, что адсорбаты с большим потенциалом иони­

зации J >

ф, имеющие незаполненные

или частично

заполненные

валентные оболочки, могут образовывать с адсорбентом

полярные

ковалентные

связи

за счет

локального

орбитального

перекрытия

волновых функций. Именно этот случай

реализуется для

водорода,

имеющего

J

= 13,6

эв и

электронную

конфигурацию

валентной

подоболочки

Is1 .

 

 

 

 

 

Согласно

данным

работы [390], общая ширина валентной зоны

и зоны проводимости, которые перекрываются у карбидов переход­

ных металлов, составляет Д — 11 эв, например, для

TiCA =

=

10,66 эв. В сочетании со значением фтю — 4 эв величина

энергии

от уровня потенциала в вакууме до дна зоны А оказывается

порядка

15

эв.

 

Таким образом, уровень ионизации адатома водорода (13,6 эв) близок по энергии глубоко лежащим уровням валентной зоны соот­ ветствующего карбида, которая образуется, как известно, из sp- состояний подрешетки углерода. Поэтому можно ожидать возник­ новения ковалентной связи адсорбированных атомов водорода с sp-состояниями карбида, причем со смещением электронной плот­ ности в сторону атомов водорода, стремящихся к заполнению ва­ лентной подоболочки до ^-конфигурации. С этих позиций стано­ вится очевидным, что чем выше в карбидных фазах локализация электронов в 5р3 -состояниях подрешетки углерода, тем меньше сте­ пень участия их в связях с адсорбированными атомами, тем соот­ ветственно меньше адсорбирующая способность карбида и вероят­ ность рекомбинации на нем атомов водорода. Но поскольку локали­ зация электронов в 5/>3 -состояниях сопровождается ростом работы

выхода,

на что уже указывалось выше, постольку

становится по­

нятной

корреляция концентрационных зависимостей

ср и у для кар­

бидных

фаз титана

и ниобия (см. рис. 41 и 42). Эта

корреляция не

всегда,

однако, носит однозначный характер.

 

Так, для NhCx

(рис. 42) при небольшом числе дефектов увеличе­

ние работы выхода сопровождается некоторым уменьшением энер­ гии адсорбции и величины у, но затем становится более существен­ ным вклад от все увеличивающейся концентрации углеродных вакансий, вблизи которых адсорбция водорода энергетически более

выгодна, чем в их отсутствии. Это приводит к

плавному

возраста­

нию величины у вплоть до состава, отвечающего х

= 0,8.

При со­

ставах, более дефектных

по сравнению с NbCo.s, в результате одно­

направленного действия

обоих факторов — увеличения числа вакан­

сий и

уменьшения

работы

выхода — наблюдается

резкий

рост у.

Д л я

ТіС л наблюдается

полная корреляция

с

работой выхода

и увеличение у для наиболее дефектного карбида

более чем в два

раза по сравнению

со стехиометрическим. В этом

случае

оба фак­

тора — и снижение

ср и увеличение дефектности

решетки — спо­

собствуют росту у. Аналогичное поведение величины у в области гомогенности должно наблюдаться и для других карбидов металлов

IV группы, для которых

характерна

делокализация

электронов

из 5р3 -состояний с ростом

дефектности

по углероду;

в частности,

это подтверждается для ZrCx

(табл. 31). По таблице можно просле­

дить интересную зависимость — наблюдается рост у для стехиомет-

рических

составов карбидов в рядах: TiC (0,023) -> VC (0,035) -»-

- > С г 3 С 2

(0,039); ТаС (0,026) -»- WC (0,032). Имеющиеся эксперимен­

тальные данные неполные, и поэтому речь может идти лишь о тен­ денциях изменения у, а именно: при перемещении по периодам от Me I V C к Me V I C увеличивается коэффициент поверхностной реком­ бинации у. Исходя из приведенных рассуждений следует ожидать

снижения в этом направлении работы

выхода.

С изложенными представлениями

хорошо согласуется полу­

ченное низкое значение у для карбида бора BjC, имеющего конфи­

гурацию валентных электронов В и С s2p

и s2 p2 соответственно.

1/4

12

2—2052

177

В конденсированном состоянии в атомах компонентов при" соответст­ вующем возбуждении электронов вследствие s ^ p - п е р е х о д о в реали­ зуются энергетически устойчивые sp3 и я/Я-состояния, мало способные к электронному обмену. С этой точки зрения малой величиной у об­ ладает алмаз (см. § 18), в структуре которого каждый атом прочно связан с четырьмя соседними атомами (расположенными по углам правильного тетраэдра) ковалентными связями, образующими замкнутую sp3-KOHCpnrypaunio 1391].

Полученные результаты § 20, в частности, данные, характеризую­ щие каталитическую активность нестехиометрических карбидов (дефектных по углероду), так же, как и данные о влиянии других типов дефектов, могут свидетельствовать о возрастании скорости гетерогенной рекомбинации в результате возрастания энергии связи хемосорбированных атомов газа на поверхности.

| 21. ОСОБЕННОСТИ КАТАЛИТИЧЕСКОГО ПОВЕДЕНИЯ ДЛЯ ГИДРИДОВ ЦИРКОНИЯ И ТИТАНА

Изучение взаимодействия атомов водорода с поверхностями гидри­ дов представляет значительный интерес, поскольку можно ожи­ дать существенного уменьшения адсорбционной способности гидридов по отношению к газообразному водороду — по сравнению с соот­ ветствующими металлами — и в связи с этим уменьшения коэф­ фициента рекомбинации у н для гидридов. В данном случае мы

имели бы наглядную

иллюстрацию неоднократно

подтверждаемой

концепции о том, что

рост свободной энергии поверхности

твердого

тела и, следовательно,

прочности адсорбционных

связей

приводит

к увеличению скорости

рекомбинации атомов газа.

 

Поскольку гидриды переходных металлов имеют широкий ин­ тервал гомогенности, представляется возможным изучить влияние

дефектности кристаллической решетки для образцов

различного

состава,

с

разным содержанием

 

незаполненных водородных

мест.

В [392]

исследованы образцы

гидридов циркония

Z r H 2 ;

ZrHi.gf

Z r H i r 8 5 ;

Z r H i , 7 5 ; ZrHi, 7 ;

ZrHi, 6

и

гидридов титана

T i H i , 9 3 ;

Т і Н І | 8 з ;

ТіНі,75;

ТіНі,б4; ТіНі,56 ;

Т і Н і і 4 7 ;

 

ТіНі, 4 з .

 

 

 

 

 

Гидриды циркония синтезировали из порошка циркония состава

Zr — 99,9,

Fe — 0,02,

О — 0,02,

Н — 0,02, Са,

Mg,

А1 <

0,01

в е с . % ,

а гидриды титана — из

порошка титана Ті — 99,85, Fe —

0,05, CI — 0,03, С — 0,012, N — 0,011, Si — 0,02,

Н — 0,03

 

вес.%

и водорода, полученного термическим разложением гидрида

титана.

Все исследования для гидридов проведены методом

электронного

парамагнитного резонанса с расположением образцов вне объема резонатора спектрометра. Расчет параметра А, определяющего ве­ личину коэффициента рекомбинации у, осуществляли с помощно

формул (5.45) и

(5.48) главы I I I . Эксперимент проводили при

общем

давлении водорода

в системе 0,5 мм рт. ст., концентрация

атомов

составляла ~ 1 , 0

101 5 см~3.

 

Д л я исследованных образцов получены следующие значения ко­

эффициента рекомбинации атомов водорода:

Z r H i i 6 — 4,2

• Ю - 2 ;

ZrHi.7 — 3,15 • 1СГ2 ;

ZrH,,7S — 2,17

. Ю - 2

;

Z r H , , 8 5

0,98 X

X Ю - 2 ;

ZrHi .9—1,33

• Ю - 2 ;

Z r H 2 . 0

— 1,61 • 10~2 ;

Ті Hi.43 —

1,2

• Ю - 2 ;

T i H i ,47 — 1,5 • 10-2 ;

7іНш

1,5

10~2 ;

T i H , .

6 4 -

1,8

• Ю - 2 ;

TiHi.75 — 1,7

• 10-2 ; T i H , - , 8 3

- 1,2 • 10~2 ;

T i H l i 0

3 — 1,8

x

X Ю - 2 .

Обсудим результаты, относящиеся к гидридам циркония. Полученные результаты свидетельствуют о том, что с ростом числа дефектов по водороду в гидридах циркония скорость процесса ре­ комбинации несколько падает, а затем существенно возрастает. Этот результат кажется неожиданным, поскольку с постепенным ростом дефектности можно было ожидать плавного возрастания ад­ сорбционной способности и скорости реакции.

Указанный характер зависимости у„ от состава гидрида можно объяснить, воспользовавшись полученными для тех ж е образцов данными по спектрам ядерного магнитного резонанса (ЯМР). Нейтронографическим методом было установлено [393], что стехиометрический гидрид циркония имеет структуру тетрагонально де­ формированного CaF2 , причем атомы водорода располагаются в тетраэдрических порах. Однако в нестехиометрических гидридах некоторое количество водорода располагается в октаэдрических позициях решетки металла, в частности, поданны м [394] в ZrHi,54 уже приблизительно 10% атомов Н занимают октаэдрические по­ ложения. Экспериментальные данные об атомах водорода, располо­ женных в октаэдрических положениях жесткой решетки, с помощью метода Я М Р впервые были получены, по-видимому, в [395].

Как известно [396], анализ кривых поглощения с использова­

нием метода моментов дает хороший

способ определения

структуры.

Однако дл я гидридов циркония,

в частности

ZrHi,g

и

ZrHi,?, в

[395] приведены аномально большие экспериментальные

значения

вторых

моментов

спектров поглощения, составляющие

при комнат­

ной температуре

~ 8 0 и 72 гс2

соответственно.

Этот

результат ка­

жется

весьма

сомнительным,

если

принять

во

внимание

данные

Малючкова и Финкельштейна

[397],

а также

других

авторов [398],

согласно которым дл я стехиометрического гидрида

Z r H 2

экспери­

ментальное значение второго момента составляет

14,8, а

теорети­

ческое — 15,7

гс2.

 

 

 

 

 

 

 

 

Полученные нами спектры протонного магнитного резонанса (ПМР) образцов гидридов циркония в области гомогенности сущест­ венно отличаются для стехиометрического Z r H 2 (рис. 43, /) и для дефектных ZrHx (х = 1,6—1,9). Если в первом случае в спектре наблюдается только одна широкая линия, то во втором случае на нее накладывается дополнительная узкая линия, интенсивность которой несколько возрастает примерно до состава ZrHi.s.

На

рис. 43, / /

показан типичный спектр ПМ Р для

дефектного

гидрида

циркония,

отвечающий составу Z r H j j . Д л я

последнего

V 4 + V 2

1 2

2-2052

 

179

характерна та же широкая линия, что и на рис. 43, /.отвечающая атомам водорода в основных (тетраэдрических) положениях, и дру­ гая, узкая линия, свидетельствующая о наличии некоторого коли­ чества атомов водорода в октаэдрических положениях.

Значения вторых моментов рассчитаны из соответствующих спектров поглощения (рис. 44). Максимальная погрешность для

экспериментальных

значений АЛ2 составляет + 1 гс2 . Д л я

сравне­

ния даны

также

значения

коэф-

^г

мррА

фициентов

рекомбинации

атомов

L

'26

водорода

на поверхности образцов

 

 

- гидридов

циркония того

же со-

4 ^ ч " \

" м

Рис. 43. Спектры ПМР гидридов

Рис. 44. Зависимость коэффициентов

циркония:

рекомбинации ун {1) и вторых мо-

/ — ZrHi, и zrHi<7.

ментов спектров ПМР (2) от состав"

 

гидридов циркония.

тов приблизительно в пять раз меньше, чем в [3951, и в то же время удовлетворительно совпадают с данными других авторов (например, [397]).

Второй

момент спектров ПМР, в основном, определяется

взаимо­

действием

между водородными атомами

(ионами) в решетке гид­

рида. Д л я образцов поликристаллической

структуры второй

момент

равен среднему вторых моментов отдельных изотропно ориентиро­ ванных кристаллических зерен. Д л я кристаллической решетки, содержащей несколько разновидностей магнитных ядер, формула Ван-Флека для второго момента имеет вид

Д Я 2

=

- | - J (J +

1) g^lNo*

2

п£ +

А

Ґ 2,J,(Jf+i)

g)f?-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(21.1)

Здесь

J — спиновое

число

ядра;

g—функция

формы

линии;

fi„ — ядерный

магнетон; N0

— число

магнитных

моментов

ядер в

системе, по которому берется сумма;

/у* — длина

вектора,

соеди­

няющего

ядра

/ и k;

— спиновое число

ядра / другой разновид­

ности; gf,\XoJf

е г о

магнитный

момент.

 

 

 

 

В

нестехиометрическом

гидриде

с

ростом дефектности

по во­

дороду и возрастанием /-/А эффективных длин связей между атомами

водорода, если принять во внимание только взаимодействие между магнитными диполями одного вида, следует ожидать постепенное уменьшение величины второго момента, вплоть до наиболее дефект­ ного из исследованных составов — ZrHi, 6 . Однако из-за наличия в ZrHx, помимо основных тетраэдрических положений, заметного количества атомов водорода в октаэдрических положениях при воз­ растании числа последних происходит существенное увеличение

•н

Рис. 45. Спектр протонного магнитного разонанса гидрида титана состава TiH, s 4 .

второго момента за счет второго члена уравнения (21.1). В зависи­ мости от превалирующего вклада одного или другого члена (21.1) имеет место восходящая либо нисходящая зависимость второго момента от состава (см. рис. 44).

Указанная зависимость, характеризующая структурные осо­ бенности гидрида циркония, хорошо объясняет и полученные вели­

чины

вероятности

рекомбинации

атомов

водорода н).

Дефекты

по водороду

способствуют

возрастанию прочности

адсорбционных

связей газообразного водорода с поверхностью исследуемого

образ­

ца

и увеличению

скорости

рекомбинации, однако в интервале

со­

ставов

х — 1,85—2,0 при

переходе от

стехиометрического

 

Z r H 2

к дефектным наблюдается некоторое уменьшение у,

по-видимому,

связанное с уменьшением энергии адсорбции для атомов

водорода,

находящихся

в октаэдрических

положениях

 

решетки.

 

 

 

 

Из

данных

по ПМР-спектрам ZrHj.

затруднительно

ответить

на вопрос о форме водорода

в этих гидридах

( Н +

или Н~) , т. е.

на

вопрос

о

правомочности

протонной

или

гидридной

теории.

Пока не известен эксперимент, который

бы

четко

опровергал

ту

или другую теорию [399]. Данные о скорости

поверхностной

реком­

бинации атомарного водорода, в частности, не слишком

большое

уменьшение ун

для Z r H 2 по сравнению с металлическим цирконием

скорее могут свидетельствовать о существовании в гидриде отрица­

тельно

заряженного

водорода.

 

 

 

Д л я

гидридов

титана ТіНЛ .

во всем

интервале

гомогенности

(х — 1,43—1,93)

получены

одинаковые

значения

коэффициента

рекомбинации

ун

=

0,015 ±

0,003, близкие к коэффициенту реком­

бинации

для

стехиометрического

гидрида

циркония.

Полученные

для тех же составов ТіНЛ . спектры протонного магнитного резонанса всех образцов характеризуются наличием только одной, широкой ли­ нии, обычно идентифицируемой вкладом от основных, тетраэдрических положений водорода.

Висследованном интервале составов отсутствуют заметные

количества

октаэдрических положений атомов. Характерный

ПМР-спектр

для образца, отвечающего составу ТіНі ,8з» приведен

на рис. 45. Экспериментальные значения вторых моментов, рассчи­

танные из соответствующих спектров поглощения,

составляют:

ТіНі.93

— 26,6;

Т і Н , , 8 3 — 26,1;

Т і Н і , 7 5

— 23,6; ТІН,, 6 4 — 22,6;

ТіНі,5б

— 21,2;

ТіН|,47

— 20,3;

ТіНі, 4 3

— 20,0 гс2 , что удовлетво­

рительно

согласуется

с результатами

теоретического

расчета для

Т і Н 2 — 23,8 гс2

І397І.

Плавное

убывание

второго момента ЯМ Р с

ростом дефектности по водороду в ТіІТА.

качественно

подтвержда­

ет зависимость

(21.1) для взаимодействия

магнитных диполей одно­

го вида,

в данном случае атомов водорода, заполняющих тетраэдри-

ческие

поры решетки.

 

 

 

 

 

Равенство коэффициентов рекомбинации атомов водорода для образцов гидридов титана различного состава может свидетельство­ вать о быстром заполнении тетраэдрических водородных вакансий на поверхности образцов нестехиометрического состава в среде, представляющей ~ 2 0 % атомов и ~ 8 0 % молекул водорода даже при комнатной температуре. Уже перед началом опыта по изме­ рению скорости рекомбинации в результате интенсивного взаимо­ действия и своеобразного «залечивания» поверхностных дефектов — водородных вакансий — за счет атомов водорода, поступающих из зоны высокочастотного разряда, сглаживаются различия в струк­ туре поверхности нестехиометрических образцов по сравнению с об­ разцом состава, близкого к стехиометрическому, что и приводит к одинаковым поверхностным свойствам.

ГЛАВА V

Т Е М П Е Р А Т У Р Н А Я ЗАВИСИМОСТЬ

КО Э Ф Ф И Ц И Е Н Т О В Р Е К О М Б И Н А Ц И И АТОМОВ

НА П О В Е Р Х Н О С Т И Т В Е Р Д О Г О Т Е Л А

Анализ элементарного акта рекомбинации атомов газа при низком

давлении на основе классической (§ 3 главы

I I ) и квантовой

(§ 4)

механики позволяет установить, что скорость

рекомбинации

растет

при увеличении энергии связи адсорбированного слоя с поверх­ ностью катализатора и уменьшении среднего расстояния этого слоя от указанной поверхности. В настоящей главе мы развиваем при принятых ранее предпосылках более простую классическую одно­ мерную модель с учетом колебательного движения адсорбирован­ ных атомов. Энергия колебаний, очевидно, непосредственно свя­ зана с температурой поверхности катализатора Г, и таким обра­ зом можно получить температурную зависимость коэффициента рекомбинации у при условии, что температура не изменяет других свойств слоя адсорбированных частиц.

Привлекая далее термодинамические соображения для рас­ смотрения заселенности каждого слоя, обнаруживаем, что ход за­ висимости у (Т) представляет собой ступенчатую или многогорбовую кривую, вид которой позволяет определить теплоты адсорбции различных слоев адсорбированных атомов. Результаты теоретиче­ ского анализа вполне согласуются с экспериментальными данными по температурной зависимости коэффициента рекомбинации, полу­ ченными по методике, описанной в § 9 главы I I I .

§ 1. КЛАССИЧЕСКИЕ ОДНОМЕРНЫЕ МОДЕЛИ

 

ЭЛЕМЕНТАРНОГО АКТА

РЕКОМБИНАЦИИ

 

Постановка задачи, как

и в главе I I , здесь такова.

Расположенная

в фиксированном положении стенка, создающая при

непосредствен­

ном соприкосновении с частицей бесконечно большую силу оттал­ кивания, вместе с тем притягивает удаленные частицы, и минимум кривой потенциальной энергии находится на расстоянии г от стен­ ки. В начальном состоянии одна частица сидит в потенциальной ло­ вушке (адсорбция), а извне к стенке приближается такая же части­ ца, причем между частицами действуют силы взаимного притяже­ ния. Требуется определить, произойдет или нет отрыв адсорби-" рованной частицы от стенки с образованием связанного состояния

двух частиц — молекулы (рекомбинация). Все движения происхо­ дят по одной прямой, т. е. мы рассматриваем одномерную модель

рекомбинации. В отличие от § 3,

4 главы

I I , здесь

будет

принято

во внимание, что адсорбированная

частица

находится

не на

дне по­

тенциальной ямы, а совершает колебательное движение с мгно­

венной скоростью (0 (t).

 

 

 

С этой точки зрения изучим такую же,

как и

ранее,

модель,

где кривая

потенциальной энергии частицы

вблизи

стенки

имеет

 

х=

V

 

 

 

х-а

 

 

о

і

 

 

 

О:

0

 

 

 

 

 

 

Рис. 46. Потенциалы взаимодействия: атома газа с поверхно­ стью по первой модели (а), по второй модели (б) и атомов газа (в).

вид, изображенный на рис. 46, а и еще одну модель с потенциалом, который приведен на рис. 46, б. Величина ср на рисунках изобра­ жает кинетическую энергию адсорбированного атома. Движущийся справа налево «свободный» атом имеет скорость — и, масса атома т. Если сй„акс = и>о> тогда очевидно,

- ^ = Ф,

Ф < с / 0 .

(V.1)

Потенциальная энергия взаимодействия атомов между собой в данной модели изображается прямоугольной потенциальной ямой (рис. 46, в). С помощью обозначений

 

 

 

Ш 2 =

i E o .

y 2 = _ 2 U ( b

'

 

 

 

( V 2 )

 

 

 

 

т

 

'

 

т

 

 

4

'

подобно

тому, как

делалось в

 

[3251,

получим

при

условии и <^ w

и U0

V0,

что рекомбинация

произойдет

в

случае

потенциала

рис. 46,

а,

если

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

о < - £ - < | » ~ г -

~ г -

+

^ ±

£

=

1

 

(V.3)

Предполагая далее, что адсорбированная частица в яме совер­

шает гармонические

колебания

с периодом

 

 

 

 

 

 

 

 

 

© =

со0 sin 2

я

,

 

 

 

 

(V.4)

получим

 

 

 

 

 

t

 

*

 

 

t

 

 

 

 

 

и — со0

sin 2л

 

V-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

— cog cos2

 

 

 

Ш =

5

- +

*

(V.9)

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ