Добавил:

ivanov666 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Башкирский Государственный Аграрный Университет

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

книги из ГПНТБ / Лавренко, В. А. Рекомбинация атомов водорода на поверхностях твердых тел

.pdf

Скачиваний:

Добавлен:

22.10.2023

Размер:

12.65 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1516 / 2216 17 18 19 20 21 22 > Следующая >>>

кислоты, 34	мл уксусного	ангидрида, 27,5 мл	азотной кислоты
(уд. в. 1,35),	1 мл соляной	кислоты (уд. в. 1,19)	при 85—95° С.

Полученные для различных граней монокристаллического ни келя катодные поляризационные кривые (рис. 27) описываются уравнением Тафеля и показывают, что характер процесса выделения водорода зависит от кристаллографической ориентации поверх

ности. Д л я граней

(111) и (100) кривые т|н, — lg і

имеют

перегиб,

который обычно связывают с перезарядкой поверхности

электрода

[319]. Д л я грани

(ПО)

наблюдается прямолинейная

зависимость

без перегиба,

свидетельствующая

об отрицательном

заряде

поверх

ности в исследованном интервале

потенциалов. Это дает

основание

полагать,

что

на

плоскостях

(111) и (100) наблюдается

иден

тичный механизм

водородного

перенапряжения,

отличный от

механизма

процесса

на

плос

кости

(ПО).

Из

исследованных

граней

монокристалла

никеля

грань

Рис 27.

Катодные поляризационные крн

(ПО)

характеризуется

наи

вые для гранен

монокристалла никеля:

меньшей

работой

выхода

а — (111); 6 — (100); в — (110).

электрона

4,64

эв

І320І, в

связи

с чем проявляет

наиболее

прочную

связь

при

адсорбции

атомов

газа

1321,

322]. Д л я установившегося процесса

катодно

го выделения водорода в случае грани (ПО) можно, по-видимому, допустить некоторое затягивание электрона в сферу адсорбирован ного атома водорода, вследствие чего создаются условия для пред почтительного отрицательного заряжения поверхности. Этому мо жет способствовать и геометрическое расположение атомо» никеля в плоскости (ПО) с чередованием выступающих рядов и промежут ков. Упрочнению адсорбционной связи для плоскости (110) спо собствуют также дефекты структуры. Мы уже отмечали в § 14, что эта грань является наименее плотноупакованной по сравнению с гранями (111) и (100), поэтому можно ожидать для нее наибольше го числа выхода дислокаций.

Д л я установления лимитирующей стадии водородного пере напряжения на исследуемых гранях по экспериментальным поля ризационным кривым рассчитывали значения стехиометрического числа v согласно Гориучи [323, 324]

Здесь J 0 — ток обмена; F — число Фарадея.

Вычисленные значения v составляют 1,54, 0,93 и 1,00 для гра ней (ПО), (100) и (111) соответственно. Исходя из полученных зна чений v можно сделать вывод, что для граней (100) и (111) замедлен ный разряд не является стадией, лимитирующей скорость процесса выделения водорода. Лимитирующей стадией при v = 1 может

быть либо процесс рекомбинации мигрирующих по поверхности адсорбированных атомов

				Н а Д с +	Н а Д с = Н „				(15.1)
либо	процесс электрохимической				десорбции
		Наде +		Н 3 0 + +		е =	Н 2 +	Н 2 0 .	(15.2)
Экспериментальные			значения			перенапряжения			водорода	при
і =	1 а/см2	т]нг 0 0 ) = 0,89		в, гін,1 1 '		=	0,78 в.	Соответствующие		ра
боты	выхода	электрона	4,89 и 5,22			эв	[320],	и прочность связи		при

адсорбции уменьшается при переходе от грани (100) к грани (111). Таким образом, полученные данные свидетельствуют о том, что с увеличением энергии адсорбционной связи перенапряжение водо

рода	возрастает, т. е.	скорость реакции уменьшается.
Д л я установления		механизма катодного процесса на	гранях
(100)	и (111) необходимо рассмотреть зависимость скорости		реакции

от энергии адсорбционной связи. Впервые на изменение механизма

перенапряжения	водорода	с	изменением энергии	связи	Me—Н
было указано в	[312, 54].	Как	показано в § 3 главы	I I , а	также в

1325], увеличение прочности адсорбционной связи при взаимодейст

вии

налетающей частицы

адсорбированной

на

поверхности

всегда приводит к увеличению скорости реакции. Этому

механизму

должны

следовать как электрохимическая десорбция

при

катодном

выделении водорода, так и гетерогенная рекомбинация

газообраз

ных

атомов.

случае,

когда

катодное

выделение

водорода

лимитируется

.стадией

каталитической

рекомбинации,

причиной

замедленности

реакции является наличие зависящего от свойств

кристалла

ак-

тивационного

барьера

(§ 2

главы I I , [326]), который необходимо

преодолеть движущимся

по поверхности атомам,

прежде чем

они

образуют устойчивое состояние, отвечающее минимуму

энергии.

При таком механизме процесса

более прочная адсорбционная связь

приводит к уменьшению скорости рекомбинации за счет уменьшения подвижности адсорбированных атомов. Следовательно, можно счи тать, что перенапряжение водорода на гранях (100) и (111) никеля определяется механизмом каталитической рекомбинации мигрирую щих атомов.

При рекомбинации газообразных атомов водорода на этих же поверхностях граней никеля получены значения вероятности реак

ции (коэффициенты рекомбинации у) уооо) =			0,083 ± 0,011 и Yon) =
=	0,052 +	0,010. В данном случае скорость	реакции увеличивает
ся	с ростом	энергии связи при адсорбции атомов водорода. Т а к а я

ситуация и должна отвечать протеканию реакции по механизму

Райдила	тт	,	тт	_ н	п ос,
	П а д е ~ Г		і і н а л г т а ю щ и й — П 2 .

Учитывая полученное значение v — 1,54 и геометрические осо бенности расположения атомов грани (110), можно предположить, что на одних участках поверхности по-прежнему механизм пере напряжения лимитируется стадией (15.1), тогда как на других

10*

147

участках — процессом со	стехиометрическим числом v =	2, т.	е.
замедленным разрядом.
Д л я плоскости (ПО)	было получено значение упо =	0,112	±

± 0,017. Поскольку рекомбинация газообразных атомов на всех

исследованных	гранях монокристалла никеля характеризуется
одним и тем же	механизмом (15.3), большую величину уіі0	легко

объяснить увеличением адсорбционной активности этой плоскости

(Y(iio) >	Y(ioo) > Y(iii))- В то же время нельзя проводить сравнение ве
личины	водородного перенапряжения		тцш)	= 0,74	в с г \| ( 1 0 0 )		и П(Ш)
		из-за различия в механизме про
		цесса.
			Катодные процессы в значи
		тельной		степени		усложняются
		при	переходе к		поликристалли
		ческому металлу. На рис. 28 при
		ведены поляризационные					кривые
		для деформированного и					полнос
	4 іді,а/см*	тью рекристаллизированного ни-
		келя *. Перенапряжение водоро-
	б
		да	на деформированном				металле
Рис. 28.	Катодные поляризационные	оказалось		меньше,		чем на отож
кривые для поликристаллического ни		женном: при 1 а/см2				0,75	и 0,88 в
келя:
		соответственно. При				каталитичес
о — деформированного; б — рекрнсталлн-
зованного.		кой рекомбинации атомов водоро
		да из газовой фазы также					наблю

дается увеличение скорости реакции для деформированного металла: Удеф = 0,119 и у о т о ж = 0,051. Поскольку энергия связи адсорбиро ванных атомов для деформированного металла значительно больше, чем для отожженного (прежде всего за счет большей плотности дислокаций), и процесс в газовой фазе протекает по механизму (15.3), то и для катодного выделения водорода на поликристалли ческом никеле, по-видимому, можно считать в качестве предпочти тельного механизм в соответствии с (15.2).

Значительная неоднородность отдельных участков поверхности


отожженного металла	(границы зерен		с максимальным количест
вом дефектов структуры и зерна)		приводит, как и в случае		грани
(ПО), к появлению	смешанного	механизма электролитического
процесса. Можно далее предположить,			что на границах зерен	меха

низм процесса выделения водорода сходен с таковым для деформи

рованного металла, тогда как на		зернах наиболее вероятным я в л я
ется сочетание	механизма (15.2)	с каталитической рекомбинацией
и замедленным	разрядом.

На возможность протекания электрохимической реакции по различному механизму на разных участках поверхности электрода

* Следует отметить, что воспроизводимость результатов измерений на поли кристаллическом металле ниже по сравнению с хорошей воспроизводимостью данных на монокристаллическом никеле. Это также наблюдалось при исследова нии каталитической рекомбинации газообразных атомов.

впервые указал А. Н. Фрумкин [56]. При выделении водорода на никеле это находит подтверждение как для поликристаллического металла, так и для грани (ПО) монокристалла.

Проведенное исследование показало, что структура никелевого электрода не только влияет на величину скорости реакции, но и определяет механизм процесса.

§ 16. РОЛЬ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ И КОЛЛОИДОВ

ВМОНОКРИСТАЛЛАХ ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНЫХ СОЛЕЙ. РЕКОМБИНАЦИЯ НА ПЛЕНКАХ

Вработах Гарнера, Грея и сотрудников [327, 328, 329] при рас

смотрении каталитических процессов	особое внимание		обращено
на природу дефектов в катализаторах. По мнению		Риза	[269], во
многих случаях скорость протекания	поверхностной	реакции кон

тролируется скоростью миграции дефектов в решетке катализатора. Основные проблемы химии твердых тел, содержащих дефекты, состоят в отсутствии надежных методов определения концентрации дефектов (контроля за весьма малыми изменениями состава твердого тела). Затруднительным является также получение в решетке за данного количества дефектов структуры определенного типа. В щелочногалоидных кристаллах можно получать различные концентра ции разнообразных точечных дефектов и контролировать их коли чество благодаря появлению специфических оптических свойств [330, 331]. Это /-"-центры—-вакантные анионные узлы с захвачен

ными электронами;	[/-центры, представляющие собой F-центры,
замещенные атомами водорода		(отрицательный заряд сохраняется);
V -центры — положительные		дырки, захваченные вакантными ка-
тионными узлами;	/-"-центры	— электроны, захваченные F-цент-

рами; парные /-"-центры, ассоциированные дефекты (коллоиды) и т. д. Наличие определенных типов точечных дефектов приводит к

значительным	особенностям	несовершенного кристалла	в отличие
от идеального,	где каждый	атом или ион находится в	положении,

которое характеризуется минимумом потенциальной энергии [332]. Кристаллы щелочногалоидных солей не только наиболее выгодные объекты для дифференцированного изучения влияния точечных дефектов на их реакционную способность, но и позволяют выяснить вклад разориентировки поверхности при напылении на скол кри сталла тончайших слоев (пленки) металла. В этом направлении бы ла выполнена теоретическая работа Ван дер Мерве [333], где рас смотрено несоответствие кристаллических решеток и силы связи на поверхности раздела между ориентированными пленками и под

ложками. Необходимо отметить, что изучению структуры	и физи
ко-химических свойств тонких пленок придается особое	значение

в связи с их неравновесностью [334] и как метод изучения самого твердого тела [335].

При исследовании каталитической активности монокристаллов щелочногалоидных солей чрезвычайно интересным является

выяснение влияния точечных дефектов (F-, V-, tZ-центры), коллои

дальных

дефектов (дефекты, полученные при коагуляции

/-"-центров),

а также нарушения кристаллической решетки

в результате

много

кратного

введения

выведения

центров

окраски.

Исследования

проводили на монокристаллах NaCl, КС1, KJ,

выращенных по мето

ду

Киропулоса

кварцевом

тигле с соблюдением

всех

мер

пред

к,см-1

осторожности в отношении их чи

стоты.

Исходным

материалом

служила

соль марки

«оч».

В качестве примера более под

робно

остановимся

на

особенно

стях

кристаллов,

содержащих

/••-центры. Кристаллы окрашива

лись

электролитически

введе

нием в нагретый образец окрас

ки с плоского калиевого элект

рода. После окрашивания крис

і"

таллы

быстро

охлаждались

WO 500 600

700 800

900

1000

Л, WW

темноте до комнатной температу

Рис. 29.

Поглощение

кристалла

КС1,

ры и

содержали

только

ґ-цент-

•окрашенного F-центрами. Температура

ры, что контролировали по их

••окрашивания 720° С:

/ — исходная f-полоса,

измеренная в тем

спектрам

поглощения

(рис.

29,

ноте до

опыта;

— та

же

полоса

после

кривая / ) . Аналогичная

картина

спыта.

наблюдается

для

кристалла

NaCl. Концентрация F-центров

определялась по формуле Сма-

кулы

[336]

для

кристаллов

NaCl составляла

•

101 5

см~3

2 • 101 7 см~ъ,

а для кристаллов

КС1 — 2 • 101 6

см~ъ

1,5

•

101 8

см~ъ.

Спектроскопически

[330]

контролировали

также

содержание

во

дородных

сУ-центров

образцах

NaCl

КС1 —

1,0

•

101 7

см~ъ,

также

К-центров в

кристаллах

К J

(1,0

•

101 7

слГ"3 ).

Электролитический способ окрашивания кристаллов позволяет получать образцы с нарушенной кристаллической решеткой. Это достигается неоднократным введением и выведением /^-центров при достаточно высоких температурах (на 50° ниже точки плавле ния). В опытах использовали кристаллы, в которых процесс введе


ния	и выведения окраски				повторялся 10 раз. Образцы, содержа
щие	коллоиды		различных		размеров,		получали	продолжительным
отжигом в		темноте окрашенных				кристаллов с		большой		исходной
концентрацией			F-центров		(рис.	30, 31).
Образцы-диски готовили скалыванием кристалла по плоскости
(100). Толщина образца не превышала							0,3 мм, его площадь на				80%
перекрывала сечение реакционной трубки. Измерения										спектров
поглощения		производили			на спектрофотометре СФ-4А.					Кинетику
рекомбинации			атомов	водорода		изучали при общем			давлении		газа
в системе 0,27			мбар	при	комнатной		температуре		по	методикам,
описанным		в §§ 5, 7 главы I I I .
	Перед началом опыта образцы выдерживали в разрядной трубке

к, аг'

250

200\

150

100

0І	1	1	1	1	1	1
Ш	500	600	700	800	900	1000	\,HM

Рис. 30. Спектры поглощения кристалла КІС, окрашенного коллоидами. Температура окраски — 700° С:

/— отжиг 5 ч при 300° С; 2 — при 350° С.

И,СМ'1

500

600

700

800

900 • Л,Ш

Рис. 31. Спектры поглощения кристалла NaCI, окрашенного коллои дами. Температура окраски — 730° С:

/ — отжиг 5 ч при 325° С; 2 — при 400° С

в атомах водорода в течение 1 ч\ при этом разогрев образцов контро лировался и достигал ~ 1 2 0 ° С. При этих температурах образовав шиеся на свету Ri, R2 и ./V-полосы разрушались, и оставалась М- полоса, которая составляла 20—25% от общей высоты F-полосы.

При каждом фиксированном расстоянии образца от источника


атомов в течение 3—5 мин достигался стационарный						разогрев,
который	не	превышал	50°. Такие значения		разогрева	в	случае
NaCl, K G и КД не приводят к существенному					изменению	характера
и числа	изучаемых дефектов. На рис. 29 (кривая 2) приведен						спектр
поглощения		исходного	образца	КС1 после опыта. Максимальная
относительная погрешность при				расчете вероятности		рекомбина

ции атомов водорода, определяемая, в основном, ошибкой в изме рении расстояния и температуры образца, находилась для боль

шинства

опытов в пределах 18—25%. Вычисленные значения

ве

личины у приведены

в табл.

18.

Т а б л и ц а

(V ± Д V) • ю«

Структура

поверхности

кристалла

NaCl

KC1

Монокристалл

без точечных дефектов

1,50 ±0,25

1,10±0,30

1,30 ±0,30

Концентрация

^-центров

2,10 ±0,40

N f =

6,0-1016

слГ3

—

N/ , = 2,0-1010

слГ3

3,20

±0,50

1,50+0,35

N f =

2,0

10"

САГ3

N F =

1,5-1018

см 3

—

2,30 ±0,35

—

Коллоиды

и единичные

f-центры

3,10 ±0,60

Коллоидальные образования из f-цен-

тров

кристаллической

решетки

3,90 ±0,60

Нарушения

результате

многократного

введе

ния и выведения ^-центров

0,17 ±0,05

0,66±0,18

Концентрация

tV-центров

N y

1,0 X

1,10±0,20

0,80 ±0,20

X 1017 сн~3

Концентрация

У-центров

Ny =

1,0 X

1,60 ±0,50

X Ю1 7 слГ3

Введение в решетку кристалла центров окраски (F -, V-центры)

как

в случае

NaCl, так и в случае КС1, KJ способствует

повыше

нию

каталитической

активности

этих

монокристаллов

примерно

в полтора

раза. При больших концентрациях

F-центров

скорость

поверхностной реакции возрастает приблизительно в два раза.


Отметим,	что ^-центры — точечные			дефекты — в	данном случае
оказывают почти такое же влияние,				как и дислокации. Это можно
объяснить тем, что дефекты		решетки		характеризуются повышенным
значением	поверхностной	энергии,		что облегчает	адсорбцию на
них атомов газа и в конечном			итоге способствует более интенсивно
му протеканию каталитической			реакции, идущей по схеме Райдила.

Образцы, содержащие коллоиды, характеризуются еще более значительным возрастанием вероятности поверхностной рекомби нации атомарного водорода. Согласно обобщенной модели гетеро генных реакций Робертса и Андерсена [337], агрегаты из многих дефектов, благодаря постепенному изменению электронных энерге тических состояний по мере увеличения размеров становятся тер модинамически неустойчивыми и могут в ряде случаев служить теми зародышевыми центрами, на которых развивается реакция.

Наличие точечных дефектов в кристаллической решетке обеспе чивает появление в ней энергетических локальных электронных уровней. Взаимодействие адсорбированных атомов с этими уровня ми дефектов [200] наступает более легко, чем с уровнями совершен ной решетки кристалла. Электрон может быть переведен с занятых

уровней дефектов	на адсорбированные атомы газа,		превращая их
в ионы, или образовывать на		поверхности область с высокой поля
ризуемостью. Эти энергетические уровни электронов			обеспечивают,
как известно [269], механизм		легкого переноса энергии электронов
в поверхностной	области.

Что касается влияния ІУ-центров, представляющих по сути анионы водорода (атомы внедряются в решетку в резуль:аге соответствующей термообработки кристалла в водородной среде), то, очевидно, здесь имеет место общее уменьшение энергии связи поверхности скола кристалла с адсорбированными атомами водо рода. Увеличение содержания ^/-центров в решетке кристаллов щелочногалоидных солей всегда приводит к уменьшению коэффи циента рекомбинации водорода.

В противоположность этому коллоиды, полученные при коагу ляции ^-центров, представляют собой, по-видимому, места по верхности, характеризующиеся наиболее прочной связью с атомами из газовой фазы. Существенное уменьшение скорости взаимодейст вия атомарного водорода наблюдается для поверхностей кристал лов NaCl и КС1, подвергнутых предварительному многократному введению и выведению /^-центров. В данном случае происходит раз рушение кристаллической решетки. При этом совершенно изменя ется поверхностный слой твердого тела, а следовательно, величи на и характер сил, действующих между ним и адсорбированными атомами. Д л я рассматриваемой реакции это и приводит к резкому уменьшению поверхностной активности.

Таким образом, введением в кристалл различного числа дефек тов определенного типа можно не только увеличивать, но и умень шать его каталитическую активность. Такое регулирование ката литической активности твердых тел в принципе открывает возмож ности приготовления катализаторов с заданными свойствами.

Мы измерили коэффициенты рекомбинации атомарного водоро да при комнатной температуре и парциальном давлении рн = = 0,05 мм рт. ст. для различных образцов NaCl: свежего скола поверхности (001), скола, предварительно выдержанного в вакууме, с нанесенными на поверхность' пленками золота толщиной 100,

200 и 1000 А, а также чистого

золота — отожженного,

травленого

в плавиковой кислоте и с нанесенной

пленкой

золота

толщиной

200 А. Эти опыты, прежде всего, преследовали цель выяснения вли

яния толщины напыленного слоя, роли подложки,

также

сравне

ния активности

пленки и

массивного образца. Заключение

о влия

нии того или иного фактора на изменение величины

коэффициента

рекомбинации можно

сделать

благодаря

применению

статистиче

ского анализа к результатам многократно повторяемых

опытов,

используя метод сравнения двух средних

с помощью

^-критерия

(см. § 12

главы

I I I ) . Результаты

определения

для

указанных

образцов

приведены в

табл. 19. Приведены

средние

значения v и

соответствующие

значения

дисперсии

а.

Т а б л и ц а

Материал

Тип образца

Число

V-10»

а! -10»

О" -10s

измерении

NaCl

Скол

на

воздухе

Выдержан в

вакууме

Пленка

100 А

200 А

1000 А

Отожженный

Травленый

Au -f- Au

Пленка

200А

Результаты статистической обработки позволяют сделать сле

дующие выводы. Д л я

разных

образцов

NaCl, исследуемая

поверх-

- ность (001) которых получалась скалыванием на воздухе, коэффи


циенты	рекомбинации YH статистически			не	отличаются друг от
друга. Различие в Y может		быть	отнесено	за	счет	ошибок		экспе
римента	(воспроизводимости),		характеризующихся				дисперсией
Ствосп =	9 • Ю - 6 . Выдержка	поверхности		скола в		вакуумной		уста
новке в течение 1 ч при работающем высоковакуумном							паромасля-

ном насосе без применения вымораживающей азотной ловушки приводит к образованию на поверхности образца тончайшей угле водородной пленки. Эта пленка видна в электронном микроскопе (рис. 32) в местах, не занятых напыленным на NaCl золотом. Однако такая пленка не приводит к статистически значимому изменению значения коэффициента рекомбинации.

Напыление на поверхность скола кристалла в вакууме пленки


золота толщиной			100 А также	не приводит к заметному изменению
значения	Y п 0		сравнению с	коэффициентом рекомбинации для
NaCl. Значения			коэффициента	рекомбинации для массивного крис
таллического		золота определялись на			отожженной пластине золота
и на той	же	пластине, подвергнутой			предварительному травлению

в царской водке. Травление	способствует увеличению	коэффициен
та рекомбинации. Напыление	пленки золота толщиной	1000 А дает
значение у, не отличающееся	от значения у для массивного травле
ного образца. Пленка золота	200 А имеет коэффициент	рекомбина

ции, статистически значимо отличающийся от коэффициентов ре

комбинации как для

NaCl

(и не отличающегося

от него — для NaCl

с пленкой

золота толщиной

100 А), так и для массивного

золота.

Таким образом,

при увеличении

толщины

напыленного

слоя и

связанном с ним увеличении

ча

сти

поверхности

кристалла,

за

нятой

золотом,

происходит

по

степенный рост у, который при

дальнейшем увеличении толщины

снова уменьшается, достигая зна

чения у дл я массивного

золота

Такой экстремальный

харак

тер

зависимости

= f

(х),

где

х — толщина пленки, может быть

600 800

1000 Х,А

Объяснен

СЛедуЮЩИМ

Образом.

2 0 0

Поскольку

процесс

рекомбина-

Рис. 33. Рекомбинация атомов водорода

ЦИИ атомов

МОЖНО

считать

ЭТО-

н а

пленках Аи, нанесенных

на NaCl.

марно-локальным, то измеряемое

значение у

должно

подчиняться

закону

аддитивности

У =

7Аи(пл)'5пл + ТЫаС^ЫаС! +

7Аи(мас)5м а с-

(16.1)

Здесь

YNaci,

7Аи(пл)

и 7ди (мас) — коэффициент

рекомбинации

ато-

мов

водорода

дл я поверхности

NaCl,

напыленной

пленки

золота

и массивного золота;

SNaci,

и S M a c

— соответствующие доли по

верхности

исследуемого

кристалла.

Если бы каталитические

свойства золота были одинаковы неза

висимо

от того, в каком

виде

оно находится — массивного

образца

или

тонкой

пленки,— т. е.

уди(пл) =

ТАи(мас),

то

изучаемая

зави-

симость должна была бы иметь вид, показанный на кривой 1 рис.-33; ход последней определяется лишь постепенным «заполнением» поверхности NaCl пленкой золота, которая, как известно, до тол щин порядка 103 А является несплошной. Наличие максимума (кривая 2) указывает на то, что улщпл) > УАи(мас). Это свидетель ствует о большей термодинамической нестабильности тонкой плен ки. Об этом же , видимо, говорит и аномально большое значение среднеквадратичной ошибки (и дисперсии) дл я образцов с пленкой золота в 200 А на подложке из NaCl и золота. Кривая 3 представля ет собой гипотетическую кривую, отвечающую случаю сохранения нестабильности и повышенной адсорбционной способности при зна чительной толщине пленки. Различие хода экспериментальной кри

вой 2 и <3 при больших х объясняется	изменением свойств пленки:
с ростом толщины она переходит в	более устойчивое состояние,

соответствующее массивному металлу, т. е. перестает быть собствен но тонкой пленкой.

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1516 / 2216 17 18 19 20 21 22 > Следующая >>>

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ