![](/user_photo/_userpic.png)
книги из ГПНТБ / Физико-химические методы исследования цементов учеб. пособие
.pdfЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКИЙ МЕТОД ИССЛЕДОВАНИЯ
1. ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКОГО АНАЛИЗА.
ПРИНЦИП д е й с т в и я э л е к т р о н н о г о м и к р о с к о п а
Дальнейшее изучение тонкой структуры веідестн, в значи тельной степени определяющей п.\ свойства, стало возможным лишь при использовании в микроскопии электронных лучей, имеющих более короткую длину волны, чем видимый свет.
Электронный микроскоп является единственным прибором, позволяющим непосредственно видеть и изучать те мельчай шие частицы (агрегаты атомов и молекул), из которых состо ят почти все окружающие нас твердые тела. Основное отличие электронного микроскопа от светового заключается в том, что для получения увеличенного изображения объекта вместо лу чей света используется ноток электронов.
Известно, что быстролетящпе электроны обладают волновыми свойствами, т. е- способны дифрагировать н интер ферировать. На этом и основано .применение электронных лу чей для микроскопических исследований. Благодаря отрица тельному электростатическому заряду пучок электронов, про ходя через кристаллический образец, претерпевает 'изменения.
Под влиянием положительно заряженных ядер происходит рассеяние электронов, при этом скорость их не изменяется, а изменяется только направление. Такое рассеяние электронов называется упругим или когерентным. Когда же пучок элект ронов взаимодействует в образце с электронами атомов, про исходит изменение скорости электронов ів пучке, и рассеяние в этом случае 'называется неупругим. Когерентное рассеяние электронов в кристаллах приводит к образованию дифракци онной картины и играет наиболее важную роль в формирова нии изображения и контраста.
Скорость электронов пропорциональна приложенному по тенциалу. Длина волны, связанная с движением электронов, onределяется уравненіиѳм
m v J
где h — постоянная Планка, m — масса электрона,
V — скорость электрона-
Для ускорения электронов обычно используют электриче ские поля с ускоряющим напряжением в пределах 30—100 кв.
О
При этом длина волны находится ів пределах от 0,07 до 0,04 А, что обусловливает полезное увеличение электронных микрос копов до 100000 — 200000 раз и позволяет наблюдать и изу чать объекты в сто раз более мелкие, чем при наблюдении в световых микроскопах. Если наплучшее разрешение в свето-
вой |
микроскопии |
О |
разрешаю |
составляет примерно 1000 А, то |
|||
щая |
способность |
электронных микроскопов достигает 10 — |
|
|
О |
|
составляет |
—15 А, а теоретически возможное разрешение |
О
2—3 А, т. е. могут быть разрешены детали, размеры которых меньше атомных.
Объектами исследования и электронном микроскопе чаще всего являются дисперсные порошки, отпечатки (реплики) по верхности, окисные плевки, а также ультратон кие срезы ве щества.
Наблюдение увеличенных изображении объектов с по мощью электронно-оптических устройств возможно в следую щих случаях:
1. В проходящем потоке электронов — просвечивающий электронный микроскоп — изображение создается за счет различного пространственного рассеяния электронов в объек те.
2- В отраженном потоке электронов — отражательный электронный микроскоп — изображение создается потоком электронов, отраженных от поверхности исследуемого образ ца.
3. В собственном электронном излучении — эмиссионный электронный микроскоп, — изображение формируется элект ронами, испускаемыми пли раскаленной поверхностью самого исследуемого образца, или в результате ее бомбардировки электронами или ношами.
4. Получение теневых увеличенных изображений — тене вой электронный микроскоп.
Наиболее широко распространенными н совершенными моделями электронного микроскопа являются микроскопы просвечивающего типа. Широкое применение просвечивающе го микроскопа .сделалось возможным благодаря разработан ным прямой и косвенной методикам препарирования объектов.
В каждом электронном микроскопе можно выделить сле дующие основные узлы (рис. 33) :
Рис. 33. |
Схема |
и ход |
|
лучей |
в |
электронном |
|
микроскопе |
просвечива |
||
ющего |
типа: / —катод, |
||
2 —управляющий |
элек |
||
трод, 3—анод, |
конден- |
сорная линза, 5—объект, б1—апертурная диафраг ма, 7—объективная лин за, 8 — промежуточное изображение, 9 — диаф рагма, 10—проекционная линза, II — флюореспирЗпощпн экран, 12 — фо
топластинка
1) осветительную систему, явля ющуюся источником электронов и состоящую из электронной тушки п копдепсорііоіі линзы;
2) камеру для образцов с пред метным столиком;
3) объективную линзу для полу чения первичного увеличенного изо бражения объекта;
4) одну или несколько проекци онных линз для вторичного увели чения;
5) фотокамеру с флюореецпруюющнм экраном н фотокасетой для наблюдения и фотографирования ис следуемого объекта-
Перечисленные узлы электрон ного микроскопа объединяются в од ну общую конструкцию, называе мую колонной микроскопа.
Электроны ври прохождении че рез вещество сильно рассеиваются. Например, при ускоряющем напря жении 50 кв лист алюминия толщи ной 0,1 мм плil слой воздуха толщи ной 20 см полностью рассеивают (поглощают) электронный пучок. Вследствие этого в электронно-опти ческих системах необходимо поддер живать высокий вакуум.
Разрежение, обеспечивающее свободный пробег электронов внут ри колонны микроскопа, должно со ставлять 1 • 10- '1 — 5 • ІО-'1 мм рт. ст. Хороший вакуум является обяза тельным условием работы микроско па-
2. МЕТОДЫ ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКОГО ИССЛЕДОВАНИЯ.
Методы исследования в электронной микроскопии подраз деляются -на прямые и косвенные. Основное различие этих ме тодов состоит в том, что в первом случае исследуется сам
объект, а во втором—отпечатки с его поверхности, называе мые репликами. Выбор того пли иного метода определяется как характером самого объекта, такт задачами исследования.
Прямые методы 'Исследования обычно применяются при определении формы, размеров, однородности исследуемого ма териала, а также для научения интерференции и структуры тонких .пленок и ультра тонких срезовНаиболее широко пря мые методы 'применяются при исследовании биологических объектов.
Среди прямых .методов различают методы, отличающиеся условиями образования изображения: светопольный, темнополыйый и метод муара.
Светопольный метод основан на исследовании объекта в проходящем пучке электронов и является основным в просве чивающей электронной .микроскопии. Электроны, проходя че рез объект, -испытывают рассеяние, которое тем больше, чем больше толщина объекта и атомный помер элемента, из кото рого состоят частицы исследуемого вещества. Электроны, рас сеянные сверх определенного и небольшого по величине угла, поглощаются аппертурной диафрагмой и не участвуют в фор мировании изображения. Поэтому частицы вещества, образо ванные элементам с малым атомным номером (например, уг леродом), иа экране микроскопа дадут изображение с малым контрастом, а частицы, образованные элементом с большим атомным номером (например, платиной), дадут значительно более контрастное изображение.
Темнопольный метод основан на том, что изображение соз дается не основным освещающим пучком, прошедшим сквозь объект без существенного отклонения, а рассеянными лучами. Достичь этого можно либо наклоном осветительной системы, либо горизонтальным .смещением аппертурной диафрагмы объективной линзы.
Этот метод дает хорошие результаты при исследовании кристаллических объектов. Если электронный луч, отражен ный от кристаллографической плоскости, весь попадет в аппертуру, то он даст резкое изображение большой интенсивно сти. При исследовании диффузно-рэссеивающих (аморфных) объектов более плотным и толстым участкам, вызывающим большее -рассеяние, на изображении будут соответствовать бо лее яркие участки.
Метод муара. Возможности непосредственного наблюдения кристаллических решеток ограничены разрешающей способ ностью электронных микроскопов. Современные приборы по зволяют наблюдать решетки с меж.плоскостным расстоянием
О
2—3 А. Это осуществляется косвенным методом при помощи явления муара.
Впервые на возможность наблюдения кристаллических ре шеток посредством явления муара указал Щубмимов А. В. в 1927 г. Позднее, в 1956—1957 гг. было показано, что электронномикроскопическое изучение муаровых картин позволяет обна руживать дислокации в кристаллах.
Муаровые картины в электронном микроскопе (можно по лучать двумя способами. Первый основан на наложении друг на друга параллельно ориентированных кристаллов различ ных веществ, отличающихся величинами межплоскостных рас стоянииВо втором способе применяются кристаллы одного и того же соединения, поедвинутыс один относительно другого на небольшом угол. При просвечивании таких пар кристаллов в результате дифракционных явлении возникают муаровые узо ры, что позволяет определять шежплоскостпые расстояния кристаллической решетки, а появление искажений 'узоров свидетельствует о наличии в решетке определенного ти па дислокаций.
Развитие электронно-микроскопических исследований за трудняется сложными -методами препарирования объекта, ко торый при 'исследовании в электронном микроскопе прямыми методами должен удовлетворять ряду требований;
1) должен быть достаточно прозрачным |
для |
элект |
ронный лучей; |
!г |
Н! і |
2) не должен разрушаться и заряжаться под |
действием |
потока электронов, так как исследование при этом затрудня ется или становится вовсе невозможным;
3) поглощение электронов веществам должно быть мини мальным, так как при поглощении электроны почти полностью теряют энергию, передавая ее объекту венде тепла, что вызы вает его разогревания и может привести к разрушению.
Обычно толщина препарата для элсктронпо-мпкроскопн-
О
ческах исследований не должна превышать 200—300 А. Прямые іметоды включают изучение объектов в проходящем
и отраженном пучке электронов. Просмотру на просвет могут подвергаться препараты, приготовленные нз жидких или газо образных сред, содержащие частицы не более 1 мк; ультратоіткпе срезы, получаемые с помощью микротомов; различно го рода пленки, толщина которых не должна превышать 2—3-10“ 5 мм.
Препарирование путем осаждения из газовой фазы при меняется преимущественно при изучении дымов п пылиШиро ко распространенным способом приготовления препаратов для исследования на просвет является суспензнрование в жидких средах. При этом исследуемый объект наносится на поддержи вающие пленки—«пленки-подложки», которые в электронном
микроскопии выполняют то же назначение, что н предметные стекла в световой литр оскопим.
По составу пленки могут быть органическими (коллодии, формварм, полистирол) и неорганическими (уголь, кварц, окись алюминия и т. д.). Первые наиболее просты но спосо бу приготовления и поэтому наиболее распространены. Недо статком их являются низкая .прочность в условиях резкого из менения температуры и высокой интенсивности электронного луча. Поэтому при исследовании веществ при больших увели чениях и большой плотности электронного луча используются пленки из кварца, окиси алюліинпя или угля.
На отражение исследуются отполированные поверхности
тел.
Косвенный метод mpименяетея при исследовании рельефа и структуры массивных тел. При этом объектом исследования является не салі образец, а отпечаток с него — реплика. Поэтаму этот метод называется еще ліетодом реплик. Первая реплика была изготовлена путем электролитического окисле ния поверхности алюминия с последующим отделением плен ки химическим путем. Различают одноступенчатые и двухсту пенчатые реплики.
Одноступенчатые реплики представляют собой тонкие плен ки, тем или иным способом нанесенные на исследуемую по верхность. Наиболее точное отображение поверхности полу чится на стороне пленки, которая примыкает к образцу, при чем эта сторона даст обратное изображение поверхности.
В зависимости от способа нанесения и состава пленки имогут иметь либо одинаковую толщину на всем протяжении, ли бо разную. Идеальным примером первого случая являются ок сидные пленки, второго — пластические (коллодневые) •
Оксидные пленки, получаемые за счет окисления ряда ме таллов, совершенно точно воспроизводят рельеф исследуемой поверхности. При этом они не обнаруживают собственной структуры и обладают высоким разрешением. Близкими к ок сидным по однородности и толщине являются реплики, полу чаемые испарением в вакууме.
Двухступенчатые реплики (реплика с реплики) отличают ся от одноступенчатых только тем, что конечная реплика сни мается не с поверхности образца, а с контактной стороны промежуточного отпечатка. Материал для конечной реплики тот же, что и для одноступенчатой; промежуточный отпечаток получают главным образом из органического вещества, реже —из металла. Двухступенчатые оксидные реплики получают путем нанесения на исследуемую поверхность матрицы из толстого слоя металла (алюминия) с последующим окнелени-
ем контактной стороны матрицы по способу приготовления одноступенчатых оксидных реплик.
Реплики, приготовленные из органического вещества (ра- с1воров коллодия в амилацетате, формвара в дпоксане и др.), получили общее название лаковых. Одноступенчатые лаковые реплики весьма удобны для изучения протравленных полиро ванных шлифов. В двухступенчатых репликах лаковая плен ка может оыть либо конечной репликой, либо промежуточным
отпечатком. |
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
Вакуумным испарением могут быть получены одно- и двух |
||||||||||
ступенчатые реплики пз окиси кремния, |
металла |
іпн |
|
угля |
||||||
(рис. 34). ' |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Кварцевые реплики приме |
|||||||||
|
няются при изучении поверхно |
|||||||||
|
стей |
металлов |
(Al, |
Си, |
Ni |
и |
||||
|
др.) |
Металлические |
реплики |
|||||||
|
наиболее широко |
используют |
||||||||
|
ся в'биологии |
и металлургии. |
||||||||
|
По |
сравнению с |
кварцевыми |
|||||||
|
металлические |
реплики |
явля |
|||||||
|
ются |
более |
прочными. |
|
|
|
||||
|
Угольные |
реплики по спо |
||||||||
|
собу изготовления |
разделяют |
||||||||
|
ся на два |
типа: 1) получаемые |
||||||||
|
пз паров |
бензола |
с -последую |
|||||||
|
щей |
полимеризацией, |
2) |
|
по |
|||||
|
лучаемые из твердого угля |
пу |
||||||||
- |
тем |
вакуумного |
распыления. |
|||||||
Первые |
получили |
|
название |
|||||||
Рис. 34. ^Схема устаіюпкн-для |
бензольных, |
вторые |
— уголь |
|||||||
напыления: У—стеклянный ко |
ных. По распространенности |
и |
||||||||
локол, 2—объект, 3—графито |
применимости к широкому кру |
|||||||||
вый стержень |
||||||||||
|
гу объектов, |
|
по качеству |
са |
мих реплик (прочность, устойчивость, разрешение) угольные реплики превосходят все остальные.
Наиболее сложным является получение реплики с порис тых и порошкообразных тел. В первом случае трудности свя заны с необходимостью отделения реплики от поверхности с весьма развитым рельефом, во втором—с необходимостью предварительного закрепления очень мелких частиц.
Общим принципом получения реплик является примене ние одноступенчатых реплик, если для объекта -можно подо брать растворитель, и двухступенчатых, если этого сделать не
удается. |
і |
|
! |
3. ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СЫРЬЕВЫХ МАТЕРИАЛОВ И ПРОДУКТОВ ОБЖИГА ЦЕМЕНТНОЙ СЫРЬЕВОЙ СМЕСИ.
Применение электронного микроскопа позволило изучить структуру и выявить особенности строения различных сырье вых 'Компонентов, применяемых для производства вяжущих материалов.
Так, с помощью электронного микроскопа было установ
лено: |
' |
■Аллофсш |
(Аі20 3• ruSiCV рН20 ) , являющийся компо |
нентом івсех глин, используемых цементной промышленностью, состоит из округлых комковатых агрегированных частиц.
Каолинит (А120 3-25і02 • 2Н20) имеет форму шести угольных чешуек, часто с преобладающим удлинением в од ном направлении. Размер частиц каолинита от 0,3 до 4 мк при толщине 0,05—2,0 мк.
Монтмориллонит (А120 3 -45і0 2- пН20) представляет собой скопления чрезвычайно мелких частиц неопределенной формы. Отдельные кристаллики имеют форму чешуек с разме ром около 0,002 мк. Галлуазит (А120 3-2В'Ю2• 4Н20) име ет форму длинных вытянутых трубочек с диаметром пример но 0,04—0,2 мк.
Гидрослюды (мусковит, биотит, иллит и др.) в основном состоят из чешуйчатых частиц размером от 0,1 до 0,3 мк.
Кальцит (СаС03). присутствующий практически во всех вяжущих материалах и продуктах пх гидратации, характери зуется пластинчатыми кристаллами, имеющими форму ромба.
Окись кальция и окись магния (СаО и MgO). Свежепрокаленная при 900°С СаО характеризуется пластинчатой фор мой частиц. При более высоких температурах и длительном нагревании агрегаты уплотняются и частицы приобретают бесформенную структуру. Кристаллы СаО и MgO могут иметь и кубическую форму.
Электронный микроскоп, так же как и обычный световой, позволяет контролировать изменение структуры и свойств ис следуемых веществ. Но контроль этот осуществляется не не прерывно, а лишь через некоторые промежутки времени, в те чение которого матрнал должен быть выключен из экспери мента іи подвергнут соответствующей обработке. Это затруд няет использование электронного микроскопа в работах по изучению кинетики .процессов- В то же время получаемые с по мощью электронного микроскопа постаданные данные того пли иного процесса представляют собой большую ценность. В частности, ® процессе обжига цементного клинкера интересно проследить за процессами распада отдельных компонентов
сырьевой смеси, образования кристаллов новых фаз, их роста и изменения и т, д. Естественно, что такое исследование может быть проведено лишь путем получения клинкера при различ ных режимах обжига н охлаждения, снятия с поверхности об разцов, изломов и специально приготовленных шлифов реп лик и рассмотрения их под микроскопом.
Так, отмеченное в главе IV влияние добавок — минерали заторов — на кристаллизацию клинкерных минералов хорошо подтверждается электронно-микроскопическим исследованием образцов затвердевшей жидкой фазы клинкеров с теми же добавками. В образце без добавки (рис. 35 а) размеры флук-
Рис. 35. Микроструктура жидкой фазы цементного клинкера иод элек тронным микроскопом ix -1 0 0 ): а—без добавки минерализаторов, б—с до бавкой CaSO,, в—Na^SiFo
туаций (скоплении молекул н атомов, являющихся в дальней шем центрами кристаллизации) колеблются в широких преде лах, результатом чего может явиться неравноімернозернистая структура клинкера. Резкое различие в характере флуктуаций
наблюдается |
в образцах затвердевшей жидкой фазы с добав |
|
ками CaS04 и |
Na2SlFfi |
(рис. 35 б, в). Укрупненным флукту |
ациям в случае добавки |
CaS04 соответствует крупнозернис |
|
тая структура |
клинкера, а очень мелкие размеры .флуктуации |
в жидкой фазе с добавкой Na2,S'iFf, обусловливают мелко зернистую структуру клинкера (ом. рис. 32 6, в).
1 ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУР ПРОДУКТОВ, ОБРАЗУЮЩИХСЯ ПРИ ГИДРАТАЦИИ ЦЕМЕНТА
В последнее время все большее внимание уделяется изуче нию структур гидратированных цементов. На основании элек тронно-микроскопического исследовании гидратации отдель
ных клинкерных минералов установлено, что все продукты гидратации имеют кристаллические формы-
Изучение характера кристаллизации продуктов гидрата ции отдельных клинкерных минералов н различных цементов можно проводить как методом реплик, так и в разбавленных суспензиях.
При исследовании по методу реплик цементное тесто дол жно иметь небольшое водоцементное отношение и после за твердения давать достаточно прочный цементный камень, с ко торого и производится снятие реплик.
Более распространено изучение процессов гидратации вя жущих материалов в разбавленных суспензиях. Суспензии го товятся при соотношении Т : Ж от 1 : 20 до 1 : 1000Капля сус пензии через некоторое время наносится на подложку и после соответствующих операции по подготовке препарата рассмат ривается под микроскопом. Из одной и той же суспензии ре комендуется готовить несколько препаратов, что позволяет более правильно охарактеризовать кристаллическую структу ру новообразований в массе гидратирующегося материала.
Детальные электронно-микроскопические исследования продуктов гидратации отдельных минералов клинкера и раз личных видов цементов проведены Шпыновой Л. Г. и Никопец И. И.
В процессе гидратации минералов в естественных услови ях образуется ряд новообразований, определяющих структуру и свойства цементного камня.
Электронно-микроскопическое исследование гидрата оки си кальция, всегда присутствующего в продуктах гидратации цемента, показало, что Са(ОН)2 имеет форму гексагональных пластинок. В-процессе затвердевания воздушной извести сцеп ление -пластинок происходит по плоскости. При увлажнении из весткового камня вода, проникая внутрь крпсталлоагрегатов по плоскостям сцепления пластинок, оказывает расклинива ющее действие. Это ослабляет сцепление -кристаллов друг с другом и приводит первоначально к-уменьшению прочности
затвердевшей извести, а в дальнейшем — к разрушению кам ня.
Продукты гидратации C2S. Размеры и форма частиц, сос тавляющих осадок суспензии C2S, очень разнообразны: от ок руглых частиц и иглообразных кристаллов размером менее 1 мк до зерен в 60—70 мк.
Образец затвердевшего C2S в ранние сроки твердения слагается из отдельных блоков, каждый из которых состоит из нескольких параллельно ориентированных слоев, образован ных мельчайшими игольчатыми кристаллами- В более поздние