2.2. Масочные пзу на основе матрицы моп-транзисторов

Пример схемы данного ПЗУ представлен на рисунке 27.2. Запись информации осуществляется подключением или неподключением МОП-транзистора в соответствующих точках БИС. При выборе определенного адреса на соответствующей адресной линии появляется активный сигнал логической 1, т. е. потенциал, близкий к потенциалу источника питания + 5 В. Данная логическая 1 подается на затворы (базы) всех транзисторов строки и открывает их. Если сток транзистора металлизирован, на соответствующей линии данных появляется потенциал порядка 0,2…0,3 В, т. е. уровень логического 0. Если же сток транзистора не металлизирован, указанная цепь не реализована, на сопротивлении не будет падения напряжения, т. е. в точке будет потенциал +5 В, т. е. уровень логической 1. Например, если в показанном на рисунке 27.2 ПЗУ на адрес подать код 01₂, на линии адреса будет активный уровень 1, а на шине данных D3…D0 будет код 0010₂.

Рисунок 27.2 – Схема масочного ПЗУ на основе матрицы МОП-транзисторов

2.3. Масочные пзу на основе матрицы биполярных транзисторов

Пример схемы данного ПЗУ представлен на рисунке 27.3.

Рисунок 27.3 – Схема масочного ПЗУ на основе матрицы

Биполярных транзисторов

Запись информации осуществляется также металлизацией или не металлизацией участка между базой и адресной линией. Для выбора строки ЗЭ на линию адреса подается логическая 1. При металлизации она подается на базу транзистора, он открывается вследствие разницы потенциалов между эмиттером (земля) и базой (примерно + 5 В). При этом замыкается цепь: + 5 В; сопротивление ; открытый транзистор, земля на эмиттере транзистора. В точке при этом будет потенциал, соответствующий падению напряжения на открытом транзисторе – порядка 0,4 В, т. е. логический 0. Таким образом, в ЗЭ записан ноль. Если участок между линией адреса и базой транзистора не металлизован, указанная электрическая цепь не реализована, падения напряжения на сопротивлении нет, поэтому на соответствующей линии данных будет потенциал +5 В, т. е. логическая 1. При подаче, например, адреса 00₂ в приведенном на рисунке 27.3 ПЗУ на ШД появится код 10₂.

Примеры масочных ПЗУ приведены на рисунке 27.4, а в таблице 27.1 – их параметры.

Рисунок 27.4. – Функциональные обозначения масочных ПЗУ

Таблица 27.1. Параметры масочных ПЗУ
Обозначение БИС	Технология изготовления	Информационная емкость, бит	Время выборки, нс
505РЕ3	pМОП	512×8	1500
К555РE4	ТТЛШ	2К×8	800
К568РЕ1	nМОП	2К×8	120
К596РЕ1	ТТЛ	8К×8	350

2.4. Запоминающий элемент пзу

Основой данного ЗЭ является биполярный транзистор VT. База транзистора подключена к адресной линии АЛ, а эмиттер – линии данных ЛД (рисунок 27.5).

Для выбора данного ЗЭ необходимо на базу транзистора подать уровень логической 1, тогда транзистор VT открыт и на разрядной линии данных будет потенциал, близкий к +5 В (отличающийся от него на величину падения напряжения на открытом транзисторе), т. е. логическая 1.

Рисунок 27.5 – Запоминающий элемент ПЗУ на биполярном транзисторе

Для программируемого ПЗУ, запоминающий элемент которого показан на рисунке 27.5, при сохранении плавкой вставки П замыкается цепь "+5 В; открытый транзистор VT; плавкая вставка П; ЛД, подключенная к потенциалу земли через сопротивление (на рисунке 27.5 не показано и находится за пределами ЗЭ)". Вследствие протекания тока по данной цепи потенциал ЛД повышается почти до +5 В, как было сказано выше. Если вставка расплавлена, ток по данной цепи не течет, на ЛД – потенциал земли, что соответствует занесению в данный ЗЭ логического нуля.