
- •Ф ізичні явища та принцип дії пт 39
- •Глава1 напівпровідникові прилади
- •1.1 Електронно-дірковий перехід
- •1.1.1 Загальні відомості.
- •1.1.2 Утворення переходу.
- •1.1.3 Контакт метал – напівпровідник.
- •1.2 Напівпровідникові діоди
- •1.2.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 1.2
- •1.2.2 Характеристики, параметри, область застосування
- •1.2.3 Дослідження напівпровідникових діодів на комп'ютері
- •1.3 Біполярні транзистори
- •1.3.1 Загальні відомості
- •1.3.2 Фізичні явища й принцип дії бт за схемою із загальним емітером
- •1.3.3 Транзистори Шотки
- •1.3.4 Дослідження бт за допомогою комп'ютера
- •1.3.5 Розрахунок режиму спокою підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •1.3.6 Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •1.4 Польові транзистори (пт)
- •1.4.1 Загальні відомості
- •1.4.2 Фізичні явища та принцип дії пт
- •1.4.2.1 Польові транзистори з керуючим переходом
- •1.4.2.2 Польові транзистори з ізольованим затвором
- •1.4.3 Лізмон-транзистори
- •1.4.4 Мнон - транзистори
- •1.4.6 Дослідження польових транзисторів на комп’ютері
- •Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •Напівпровідникові джерела й приймачі оптичного випромінювання
- •1.5.1 Загальні відомості
- •1.5.2 Оптопари (оптрони)
- •1.6 Перемикаючі прилади
- •1.6.1 Загальні відомості
- •Фізичні явища та характеристика
- •1.7 Інтегральні мікросхеми
- •1.7.1 Загальні положення
- •Глава 2 підсилювачі та генератори електричних сигналів
- •2.1 Загальні відомості.
- •Принцип побудови підсилювальних каскадів.
- •Підсилювальні каскади на біполярних транзисторах.
- •2.3.1 Підсилювальний каскад на біполярному транзисторі за схемою із загальним емітером
- •2.3.2 Підсилювальний каскад на біполярному транзисторі із загальним колектором (емітерний повторювач)
- •2.3.3 Дослідження підсилювачів на біполярних транзисторах
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •Підсилювальний каскад на польовому транзисторі
- •2.5 Багатокаскадні підсилювачі
- •2.6 Каскади посилення потужності
- •2.7 Зворотні зв’язки в підсилювачах
- •Підсилювачі постійного струму
- •2.8.1 Підсилювачі постійного струму на транзисторах.
- •2.8.2 Операційні підсилювачі
- •2.8.3 Дослідження операційних підсилбвачів
- •1 Завдання для домашньої підготовки
- •2 Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •2.9 Генератори гармонійних коливань
- •2.9.1 Загальні відомості
- •2.9.4 Дослідження генераторів синусоїдальних коливань
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •2.10 Виборчі підсилювачі
- •2.11 Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •Глава 3 імпульсні пристрої
- •3.1 Загальна характеристика імпульсних сигналів і пристроїв
- •3.2 Ключовий режим роботи транзисторів
- •3.3 Логічні елементи
- •3.3.1 Загальні відомості
- •3.3.2 Логічні елементи в інтегральному виконанні
- •3.3.2.1 Діодно-транзисторні логічні елементи
- •3.3.2.2 Транзисторно логіка -транзисторна
- •3.3.2.3 Логічні елементи на мон-транзисторах
- •3.3.2.4 Логічні елементи на мен-транзисторах
- •3.3.2.5 Інтегральна інжекційна логіка
- •3.3.2.6 Логічні елементи емітерно-зв'язкової логіки
- •3.3.3 Дослідження логічних елементів на комп’ютері
- •3.4 Тригери
- •3.4.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 3.3
- •3.4.2 Характерні явища для тригерів
- •3.4.3 Дослідження тригерів на комп'ютері
- •3.5 Компаратори і тригери шмітта, генератори імпульсів
- •3.5.1 Загальні відомості
- •3.5.2 Особливості й фізичні явища. Принцип дії.
- •3.5.2.1 Компаратор
- •3.5.2.2 Тригер Шмітта
- •3.5.2.3 Мультивібратори
- •3.5.2.4 Одновібратори
- •3.5.2.5 Блокінг-генератор
- •Генератори лінійно змінюваної напруги
- •3.5.3 Дослідження імпульсних пристроїв на операційних підсилювачах
- •Завдання для домашньої підготовки
- •1 Для компаратора
- •2 Для тригера Шмітта
- •2.1 Записати визначення тригера Шмітта.
- •3 Дослідження схеми мультивібратора
- •4 Для одновібратора:
- •4.1 Записати визначення одновібратора.
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •1 Дослідження схеми компаратора.
- •Дослідження схеми тригера Шмітта
- •3 Дослідження схеми мультивібратора
- •4 Дослідження схеми одновібратора
- •До пункту 3.5.2.2
- •До пункту 3.5.2.3
- •3.6 Інтегруючі і диференціюючі rc-ланцюги
- •3.6.1 Інтегруючий rc-ланцюг
- •3.6.2 Диференціюючий rc-ланцюг
- •Глава 4 елементи електронної пам’яті
- •Загальні відомості
- •4.2 Мікросхеми постійних запам'ятовувальних пристроїв
- •4.3 Мікросхеми програмувальних постійних запам'ятовувальних пристроїв
- •Контрольні питання
- •4.4 Принцип побудови динамічного запам'ятовувального елемента
- •Контрольні питання
- •4.5 Елемент флеш- пам'яті
- •4.6 Фероелектрична пам'ять
- •4.7 Магнітна пам'ять
- •4.8 Новий напрямок - спінтроніка
- •Глава 5 перетворювальні електронні пристрої
- •5.1 Загальні відомості
- •5.2 Однофазний однопівперіодний випрямляч
- •5.3 Однофазний двухпівперіодний випрямляч із нульовим виводом
- •5.4 Однофазний мостовий випрямляч
- •5.5 Випрямлячі - помножувачі напруги
- •5.6 Згладжуючі фільтри
- •5.6.1 Дослідження двлпівперіодних випрямлячів однофазного струму
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •5.7 Стабілізатори напруги
- •5.7.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •5.7.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •Контрольні питання
- •5.7.3 Дослідження стабілізаторів напруги
- •Завдання для домашньої підготовки
- •2 Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •5.8 Керовані випрямлячі
- •5.9 Інвертори
- •Конвертори
- •Глава 6 Блоки живлення персональних компютерів
- •Додаток а електричні кола постійного струму Основні визначення і закони
- •1 Джерела електричної енергії (джерела живлення).
- •Розрахунок лінійних кіл постійного струму з одним джерелом живлення.
- •Розрахунок лінійних ланцюгів з декількома джерелами живлення.
- •Додаток б електричні кола змінного струму Поняття про змінний струм
- •Основні поняття синусоїдальної функції
- •Зображення синусоїдальної величини вектором
- •Кутова частота і фазові співвідношення
- •Початковий фазовий кут, або початкова фаза.
- •Прості електричні кола змінного струму
- •Список літератури
4.3 Мікросхеми програмувальних постійних запам'ятовувальних пристроїв
У мікросхемах ППЗП, які поставляються заводом виготовлювачем, всі ЕП, розташовані у вузлах матриці, з'єднані зі стовпцями плавкими перемичками (рис. 4.3).
Рисунок 4.3 - Елемент пам'яті мікросхем ППЗП:
а) — на діодах;
б) — на багатоемітерних транзисторах;
в) — на діодах Шотки
Запис інформації в ППЗП здійснюється користувачем перетинанням перемичок (рис. 4.3, а,б) або електричним пробоєм діодів Шотки (рис. 4.3, в). Для плавких перемичок використовують тонкі плівки з ніхрому або полікристалічного кремнію; струм пережигання дорівнює 50-100 мА, у результаті чого перемичка руйнується.
Структура ППЗП на багатоемітерних транзисторах показана на (рис. 4.4). Пам'ять побудована по системі 2,5D з організацією 4x2 біт. Кожний багатоемітерний транзистор у матриці являє собою два ЕП (по числу емітерів) і програмується на запам'ятовування двухразрядного слова.
Рисунок 4.4 - Структура ПЗП з організацією 4x2 біт
В ЕП на транзисторах VTІ-VT4 запрограмовані для зберігання відповідно слова 01,10,11 і 00.
Нехай значення адреси рядка Х0 = 1 (А1 = 0) і стовпця Y1 = 1 (А2 = 1); при цьому відкриваються транзистори VT2 і VT7, і через них протікає в буфер струм, що відображає балку. 1. Транзистор VT8 - закритий, оскільки його колектор не має зв'язку з емітером VT2, що відображає “ 0”.
У результаті зчитування на виході буфера BD формується слово D2D1 = 01. Число транзисторів, що підключаються до кожного виходу адреси стовпця, визначається розрядністю збереженого слова.
Мікросхема ППЗП за структурою аналогічна масочними, однак допускає однократне програмування користувачем. Найпоширенішою мікросхеми ППЗУ серії ДО556, виготовлені по ТТЛШ-технології: функціональний склад цієї серії включає мікросхеми ємністю від 1 До до 64 Кбіт зі словниковою (чотирьох і восьмиразрядною) організацією із часом вибірки 45-85 нс й споживаною потужністю 0,6-1 Вт (рис. 4. 5).
Різновидом ППЗП є програмувальні логічні матриці (ПЛМ або PLM), до яких ставляться мікросхеми КР556 (РТ1, РТ2). Вони мають ідентичні характеристики й конструктивні параметри, однак відрізняються за типом виходу: РТ1 мають вихід з відкритим колектором, РТ2 - із трьома станами (рисунок 5, в). Обидві мікросхеми призначені для реалізації пристроїв, що виконують логічні операції над двійковими змінними.
Аналізовані ПЛМ розраховані на 16 вхідних змінних, інверсії від яких одержують усередині мікросхеми. Функціональні можливості даних ПЛМ: вісім логічних сум, кожна з яких може включати до 48 логічних добутків з 16 змінних і їхніх інверсій.
Рисунок 4.5 - Умовне позначення ВІС ППЗП
Програмування ПЛМ полягає в пережиганні плавких перемичок у необхідних вузлах. Це виконують вмонтовані в ПЛМ спеціальні схеми, які управляються сигналом PR. Спочатку програмують матрицю , потім матрицю 4M і вихідні підсилювачі. Для керування доступом до мікросхеми використовують сигнал , наявність якого дозволяє також нарощувати число вхідних змінних і вихідних функцій способом об'єднання декількох ПЛМ.
Широко застосовуються мікросхеми ПЛМ, які програмуються способом замовленого фотошаблона. Такі мікросхеми включені в комплект деяких мікропроцесорних серій ВІС як ПЗП мікрокоманд.
Характеристики найпоширеніших мікросхем РПЗП-ЕС на МНОН-транзисторах представлені в таблиці 4.2, а умовні графічні позначення деяких з них показані на рис. 4 6.
Здатність до багаторазового програмування забезпечується застосуванням ЕП з якостями керованих перемичок. Цю функцію виконують транзистори типу ЛІЗМОН або МНОН. Вони являють собою спеціальні МОН-транзистори, у яких область під затвором і підкладкою може накопичувати й зберігати заряд, створюваний електричним способом.
Таблиця 2 - Характеристики мікросхем РПЗП-ЕС на МНОН-транзисторах
Тип мікросхеми |
Тип транзистора |
Ємність, біт |
t,мкс |
Pcc,мВт |
Ucc,B |
КР558РР1 |
p-МНОН |
256x8 |
5.0. |
300 |
5-12 |
КР1601РР1 |
p-МНОН |
1Кх4 |
1,8 |
625 |
5-12 |
КР16.01РРЗ |
p-МНОН |
2Кх8 |
1,6 |
825 |
5-12 |
КР558РР2 |
n-МНОН |
2Кх8 |
0,35. |
480 |
5 |
КР558РРЗ |
n-МНОН |
8Кх0,4 |
0,4 |
400 |
5 |
КР1611РР1 |
n-МНОН |
8Кх8 |
0,3 |
850 |
5 |
Рисунок 4.6 - Умовні позначення мікросхем РПЗП-ЕС на МНОН-транзисторах
Для програмування ППЗП й репрограмуючих ПЗП використовують спеціальні пристрої — програматори. Для ряду мікросхем пам'яті програмування виконують за допомогою комп'ютера.