
- •Ф ізичні явища та принцип дії пт 39
- •Глава1 напівпровідникові прилади
- •1.1 Електронно-дірковий перехід
- •1.1.1 Загальні відомості.
- •1.1.2 Утворення переходу.
- •1.1.3 Контакт метал – напівпровідник.
- •1.2 Напівпровідникові діоди
- •1.2.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 1.2
- •1.2.2 Характеристики, параметри, область застосування
- •1.2.3 Дослідження напівпровідникових діодів на комп'ютері
- •1.3 Біполярні транзистори
- •1.3.1 Загальні відомості
- •1.3.2 Фізичні явища й принцип дії бт за схемою із загальним емітером
- •1.3.3 Транзистори Шотки
- •1.3.4 Дослідження бт за допомогою комп'ютера
- •1.3.5 Розрахунок режиму спокою підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •1.3.6 Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •1.4 Польові транзистори (пт)
- •1.4.1 Загальні відомості
- •1.4.2 Фізичні явища та принцип дії пт
- •1.4.2.1 Польові транзистори з керуючим переходом
- •1.4.2.2 Польові транзистори з ізольованим затвором
- •1.4.3 Лізмон-транзистори
- •1.4.4 Мнон - транзистори
- •1.4.6 Дослідження польових транзисторів на комп’ютері
- •Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •Напівпровідникові джерела й приймачі оптичного випромінювання
- •1.5.1 Загальні відомості
- •1.5.2 Оптопари (оптрони)
- •1.6 Перемикаючі прилади
- •1.6.1 Загальні відомості
- •Фізичні явища та характеристика
- •1.7 Інтегральні мікросхеми
- •1.7.1 Загальні положення
- •Глава 2 підсилювачі та генератори електричних сигналів
- •2.1 Загальні відомості.
- •Принцип побудови підсилювальних каскадів.
- •Підсилювальні каскади на біполярних транзисторах.
- •2.3.1 Підсилювальний каскад на біполярному транзисторі за схемою із загальним емітером
- •2.3.2 Підсилювальний каскад на біполярному транзисторі із загальним колектором (емітерний повторювач)
- •2.3.3 Дослідження підсилювачів на біполярних транзисторах
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •Підсилювальний каскад на польовому транзисторі
- •2.5 Багатокаскадні підсилювачі
- •2.6 Каскади посилення потужності
- •2.7 Зворотні зв’язки в підсилювачах
- •Підсилювачі постійного струму
- •2.8.1 Підсилювачі постійного струму на транзисторах.
- •2.8.2 Операційні підсилювачі
- •2.8.3 Дослідження операційних підсилбвачів
- •1 Завдання для домашньої підготовки
- •2 Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •2.9 Генератори гармонійних коливань
- •2.9.1 Загальні відомості
- •2.9.4 Дослідження генераторів синусоїдальних коливань
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •2.10 Виборчі підсилювачі
- •2.11 Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •Глава 3 імпульсні пристрої
- •3.1 Загальна характеристика імпульсних сигналів і пристроїв
- •3.2 Ключовий режим роботи транзисторів
- •3.3 Логічні елементи
- •3.3.1 Загальні відомості
- •3.3.2 Логічні елементи в інтегральному виконанні
- •3.3.2.1 Діодно-транзисторні логічні елементи
- •3.3.2.2 Транзисторно логіка -транзисторна
- •3.3.2.3 Логічні елементи на мон-транзисторах
- •3.3.2.4 Логічні елементи на мен-транзисторах
- •3.3.2.5 Інтегральна інжекційна логіка
- •3.3.2.6 Логічні елементи емітерно-зв'язкової логіки
- •3.3.3 Дослідження логічних елементів на комп’ютері
- •3.4 Тригери
- •3.4.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 3.3
- •3.4.2 Характерні явища для тригерів
- •3.4.3 Дослідження тригерів на комп'ютері
- •3.5 Компаратори і тригери шмітта, генератори імпульсів
- •3.5.1 Загальні відомості
- •3.5.2 Особливості й фізичні явища. Принцип дії.
- •3.5.2.1 Компаратор
- •3.5.2.2 Тригер Шмітта
- •3.5.2.3 Мультивібратори
- •3.5.2.4 Одновібратори
- •3.5.2.5 Блокінг-генератор
- •Генератори лінійно змінюваної напруги
- •3.5.3 Дослідження імпульсних пристроїв на операційних підсилювачах
- •Завдання для домашньої підготовки
- •1 Для компаратора
- •2 Для тригера Шмітта
- •2.1 Записати визначення тригера Шмітта.
- •3 Дослідження схеми мультивібратора
- •4 Для одновібратора:
- •4.1 Записати визначення одновібратора.
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •1 Дослідження схеми компаратора.
- •Дослідження схеми тригера Шмітта
- •3 Дослідження схеми мультивібратора
- •4 Дослідження схеми одновібратора
- •До пункту 3.5.2.2
- •До пункту 3.5.2.3
- •3.6 Інтегруючі і диференціюючі rc-ланцюги
- •3.6.1 Інтегруючий rc-ланцюг
- •3.6.2 Диференціюючий rc-ланцюг
- •Глава 4 елементи електронної пам’яті
- •Загальні відомості
- •4.2 Мікросхеми постійних запам'ятовувальних пристроїв
- •4.3 Мікросхеми програмувальних постійних запам'ятовувальних пристроїв
- •Контрольні питання
- •4.4 Принцип побудови динамічного запам'ятовувального елемента
- •Контрольні питання
- •4.5 Елемент флеш- пам'яті
- •4.6 Фероелектрична пам'ять
- •4.7 Магнітна пам'ять
- •4.8 Новий напрямок - спінтроніка
- •Глава 5 перетворювальні електронні пристрої
- •5.1 Загальні відомості
- •5.2 Однофазний однопівперіодний випрямляч
- •5.3 Однофазний двухпівперіодний випрямляч із нульовим виводом
- •5.4 Однофазний мостовий випрямляч
- •5.5 Випрямлячі - помножувачі напруги
- •5.6 Згладжуючі фільтри
- •5.6.1 Дослідження двлпівперіодних випрямлячів однофазного струму
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •5.7 Стабілізатори напруги
- •5.7.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •5.7.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •Контрольні питання
- •5.7.3 Дослідження стабілізаторів напруги
- •Завдання для домашньої підготовки
- •2 Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •5.8 Керовані випрямлячі
- •5.9 Інвертори
- •Конвертори
- •Глава 6 Блоки живлення персональних компютерів
- •Додаток а електричні кола постійного струму Основні визначення і закони
- •1 Джерела електричної енергії (джерела живлення).
- •Розрахунок лінійних кіл постійного струму з одним джерелом живлення.
- •Розрахунок лінійних ланцюгів з декількома джерелами живлення.
- •Додаток б електричні кола змінного струму Поняття про змінний струм
- •Основні поняття синусоїдальної функції
- •Зображення синусоїдальної величини вектором
- •Кутова частота і фазові співвідношення
- •Початковий фазовий кут, або початкова фаза.
- •Прості електричні кола змінного струму
- •Список літератури
1.5.2 Оптопари (оптрони)
Найпростіша оптопара складається зі світлодіода й фотодіода, розміщених у загальному корпусі. Як джерела випромінювання використовують світлодіоди й мініатюрні лампи накалювання, спектрально погоджені з фотоелектричним напівпровідниковим приймачем випромінювання, а як фотоприймачі застосовують фотодіоди, фототранзистори, фототиристори й фоторезистори У цей час швидко розвивається ціла галузь науки й техніки оптоелектроніка, що вирішує такі ж інформаційні завдання, що й електроніка, але з більшим арсеналом засобів, запозичених з електроніки й оптики. Оптопари є найпростішим її продуктом. Оптичне середовище поширення сигналу може мати вигляд прозорого компаунда на основі полімерів або особливого скла. Використовуються волоконні світловоди, які являють собою нитку із прозорого діелектрика. Світловий промінь надходить у торець світловода.
Рисунок 1.32 - Оптопари
Після багаторазового повного відбиття від бічних стінок нитки він виходить з іншого кінця світловода, одержавши невелике ослаблення. За допомогою волоконного світловоду можна помістити приймач від випромінювача на значні відстані, забезпечивши їх високу електричну ізоляцію при збереженні керування, стійкого до перешкод. Важливим показником роботи оптопари є її швидкодія. Найнижчою швидкодією володіють фоторезисторні оптопари (час перемикання до 3 мс). Діодні оптопари мають найкращу швидкодію (час перемикання до 2 нс). Транзисторні й резисторні оптопари мають час перемикання відповідно 3 і 15 мкс. Висока електроізоляція входу й виходу в оптопарах дозволяє за допомогою низьких напруг управляти високим (сотні кіловольтів) напругою; при цьому різко підвищуються комутаційні можливості складних інформаційних систем, легко погодяться ланцюги, які працюють на різних частотах, росте їх стійкість і т.д. Таким чином, оптопара має два керуючих входи.
Контрольні питання
До пункту 1.5.1
Що відносять до оптичних випромінювань.
На чому заснована робота напівпровідникових приймачів оптичного випромінювання?
Дати визначення внутрішнього фотоефекта.
Що відносять до напівпровідникових джерел випромінювання?
Замалювати умовне графічне позначення світлодіода.
Описати принцип дії світлодіодів.
Замалювати ВАХ світлодіода.
Дати визначення фоторезистора.
Замалювати умовне графічне позначення фоторезистора.
Замалювати ВАХ фоторезистора.
Описати пристрій фоторезистора.
Визначити характеристики фоторезистора.
Дати визначення фотодіоду.
Замалювати умовне графічне позначення фотодіода.
Замалювати ВАХ фотодіода.
Описати режими роботи фотодіодів.
Замалювати схему та визначити характеристики режиму фото генератора.
Замалювати схему та визначити характеристики режиму фотоперетворювача.
Дати визначення фототранзистора.
Замалювати умовне графічне позначення фототранзистора біполярного.
Замалювати ВАХ фототранзистора біполярного.
Замалювати умовне графічне позначення фототранзистора польового.
Замалювати ВАХ фототранзистора польового.
Замалювати умовне графічне позначення фототиристора.
Замалювати ВАХ фототиристора.
Описати принцип дії фототиристора.
Замалювати умовне графічне позначення фотоелемента.
Замалювати ВАХ фотоелемента.
Замалювати умовне графічне позначення оптопари.
Замалювати ВАХ оптопари.
До пункту 1.5.2
Дати визначення оптопари.
Замалювати схему включення оптопари.
Визначити характеристики оптопари.