
- •Ф ізичні явища та принцип дії пт 39
- •Глава1 напівпровідникові прилади
- •1.1 Електронно-дірковий перехід
- •1.1.1 Загальні відомості.
- •1.1.2 Утворення переходу.
- •1.1.3 Контакт метал – напівпровідник.
- •1.2 Напівпровідникові діоди
- •1.2.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 1.2
- •1.2.2 Характеристики, параметри, область застосування
- •1.2.3 Дослідження напівпровідникових діодів на комп'ютері
- •1.3 Біполярні транзистори
- •1.3.1 Загальні відомості
- •1.3.2 Фізичні явища й принцип дії бт за схемою із загальним емітером
- •1.3.3 Транзистори Шотки
- •1.3.4 Дослідження бт за допомогою комп'ютера
- •1.3.5 Розрахунок режиму спокою підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •1.3.6 Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •1.4 Польові транзистори (пт)
- •1.4.1 Загальні відомості
- •1.4.2 Фізичні явища та принцип дії пт
- •1.4.2.1 Польові транзистори з керуючим переходом
- •1.4.2.2 Польові транзистори з ізольованим затвором
- •1.4.3 Лізмон-транзистори
- •1.4.4 Мнон - транзистори
- •1.4.6 Дослідження польових транзисторів на комп’ютері
- •Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •Напівпровідникові джерела й приймачі оптичного випромінювання
- •1.5.1 Загальні відомості
- •1.5.2 Оптопари (оптрони)
- •1.6 Перемикаючі прилади
- •1.6.1 Загальні відомості
- •Фізичні явища та характеристика
- •1.7 Інтегральні мікросхеми
- •1.7.1 Загальні положення
- •Глава 2 підсилювачі та генератори електричних сигналів
- •2.1 Загальні відомості.
- •Принцип побудови підсилювальних каскадів.
- •Підсилювальні каскади на біполярних транзисторах.
- •2.3.1 Підсилювальний каскад на біполярному транзисторі за схемою із загальним емітером
- •2.3.2 Підсилювальний каскад на біполярному транзисторі із загальним колектором (емітерний повторювач)
- •2.3.3 Дослідження підсилювачів на біполярних транзисторах
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •Підсилювальний каскад на польовому транзисторі
- •2.5 Багатокаскадні підсилювачі
- •2.6 Каскади посилення потужності
- •2.7 Зворотні зв’язки в підсилювачах
- •Підсилювачі постійного струму
- •2.8.1 Підсилювачі постійного струму на транзисторах.
- •2.8.2 Операційні підсилювачі
- •2.8.3 Дослідження операційних підсилбвачів
- •1 Завдання для домашньої підготовки
- •2 Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •2.9 Генератори гармонійних коливань
- •2.9.1 Загальні відомості
- •2.9.4 Дослідження генераторів синусоїдальних коливань
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •2.10 Виборчі підсилювачі
- •2.11 Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •Глава 3 імпульсні пристрої
- •3.1 Загальна характеристика імпульсних сигналів і пристроїв
- •3.2 Ключовий режим роботи транзисторів
- •3.3 Логічні елементи
- •3.3.1 Загальні відомості
- •3.3.2 Логічні елементи в інтегральному виконанні
- •3.3.2.1 Діодно-транзисторні логічні елементи
- •3.3.2.2 Транзисторно логіка -транзисторна
- •3.3.2.3 Логічні елементи на мон-транзисторах
- •3.3.2.4 Логічні елементи на мен-транзисторах
- •3.3.2.5 Інтегральна інжекційна логіка
- •3.3.2.6 Логічні елементи емітерно-зв'язкової логіки
- •3.3.3 Дослідження логічних елементів на комп’ютері
- •3.4 Тригери
- •3.4.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 3.3
- •3.4.2 Характерні явища для тригерів
- •3.4.3 Дослідження тригерів на комп'ютері
- •3.5 Компаратори і тригери шмітта, генератори імпульсів
- •3.5.1 Загальні відомості
- •3.5.2 Особливості й фізичні явища. Принцип дії.
- •3.5.2.1 Компаратор
- •3.5.2.2 Тригер Шмітта
- •3.5.2.3 Мультивібратори
- •3.5.2.4 Одновібратори
- •3.5.2.5 Блокінг-генератор
- •Генератори лінійно змінюваної напруги
- •3.5.3 Дослідження імпульсних пристроїв на операційних підсилювачах
- •Завдання для домашньої підготовки
- •1 Для компаратора
- •2 Для тригера Шмітта
- •2.1 Записати визначення тригера Шмітта.
- •3 Дослідження схеми мультивібратора
- •4 Для одновібратора:
- •4.1 Записати визначення одновібратора.
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •1 Дослідження схеми компаратора.
- •Дослідження схеми тригера Шмітта
- •3 Дослідження схеми мультивібратора
- •4 Дослідження схеми одновібратора
- •До пункту 3.5.2.2
- •До пункту 3.5.2.3
- •3.6 Інтегруючі і диференціюючі rc-ланцюги
- •3.6.1 Інтегруючий rc-ланцюг
- •3.6.2 Диференціюючий rc-ланцюг
- •Глава 4 елементи електронної пам’яті
- •Загальні відомості
- •4.2 Мікросхеми постійних запам'ятовувальних пристроїв
- •4.3 Мікросхеми програмувальних постійних запам'ятовувальних пристроїв
- •Контрольні питання
- •4.4 Принцип побудови динамічного запам'ятовувального елемента
- •Контрольні питання
- •4.5 Елемент флеш- пам'яті
- •4.6 Фероелектрична пам'ять
- •4.7 Магнітна пам'ять
- •4.8 Новий напрямок - спінтроніка
- •Глава 5 перетворювальні електронні пристрої
- •5.1 Загальні відомості
- •5.2 Однофазний однопівперіодний випрямляч
- •5.3 Однофазний двухпівперіодний випрямляч із нульовим виводом
- •5.4 Однофазний мостовий випрямляч
- •5.5 Випрямлячі - помножувачі напруги
- •5.6 Згладжуючі фільтри
- •5.6.1 Дослідження двлпівперіодних випрямлячів однофазного струму
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •5.7 Стабілізатори напруги
- •5.7.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •5.7.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •Контрольні питання
- •5.7.3 Дослідження стабілізаторів напруги
- •Завдання для домашньої підготовки
- •2 Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •5.8 Керовані випрямлячі
- •5.9 Інвертори
- •Конвертори
- •Глава 6 Блоки живлення персональних компютерів
- •Додаток а електричні кола постійного струму Основні визначення і закони
- •1 Джерела електричної енергії (джерела живлення).
- •Розрахунок лінійних кіл постійного струму з одним джерелом живлення.
- •Розрахунок лінійних ланцюгів з декількома джерелами живлення.
- •Додаток б електричні кола змінного струму Поняття про змінний струм
- •Основні поняття синусоїдальної функції
- •Зображення синусоїдальної величини вектором
- •Кутова частота і фазові співвідношення
- •Початковий фазовий кут, або початкова фаза.
- •Прості електричні кола змінного струму
- •Список літератури
1.4.3 Лізмон-транзистори
ЛІЗМОН-транзистор — це МОН-транзистор ( метал-оксид-напівпровідник) з індукованим каналом типу або . ЛІЗМОН-транзистори застосовуються для побудови пам'яті. На МНОН-транзисторах звичайно будують елемент пам'яті, що може працювати в таких режимах:
зберігання інформації;
зчитування інформації;
стирання інформації
програмування.
Такі транзистори мають один або кілька затворів. Структурна схема ЛІЗМОН-транзистора з одним затвором показана на рис. 1.22,а. Металевий затвор цього транзистора розміщений у діелектрику, що являє собою діоксид кремнію, і не має металевого виводу. Він відділений від кристала діелектриком товщиною 0,1 нм. Цей затвор називають плаваючим (ПЗ).
В
Iпр
В
а) б
хІ уІ X
1
Vt2
VT1
Vt1
Y1
в) г)
Рисунок 1.22 – Структурна схема ЛІЗМОН-транзистора:
а) з одним затвором;
б) із двома затворами;
в) умовне позначення ЛІЗМОН-транзистора з одним затвором;
г) умовне позначення ЛІЗМОН-транзистора з двома затвороми;
При подачі напруги на плаваючий затвор з'являється провідний канал і транзистор відкривається, відбувається записування логічної одиниці, при відсутності напруги транзистор закривається, у цьому випадку відбувається записування логічного нуля.
На
структурній схемі (рис.1.22,б) показаний
транзистор із двома затворами. У цьому
випадку робота транзистора здійснюється
в такий спосіб. Для забезпечення режиму
програмування на стік і виток подається
позитивний імпульс напруги амплітудою
25 В. При цьому на
-переходах
виток-підкладка й сток-підкладка
спостерігається інжекція
заряду.
Частина електронів попадає на ПЗ, у
результаті накладки на ПЗ негативного
заряду гранична напруга на передатній
характеристиці зміщається в область
більш високого рівня. Це відповідає
логічному нулю. Якщо заряд на ПЗ відсутній
- це відповідає логічній одиниці.
Стирання записаної інформації складається у витисненні заряду із ПЗ, при чому дана операція здійснюється одним зі способів:
За допомогою імпульса напруги на затворі. У цьому випадку електрони на ПЗ витісняються в підкладку електричним полем і відновлюється стан логічної одиниці.
За допомогою ультрафіолетового випромінювання через прозоре скло в кришці корпуса. У цьому випадку ультрафіолетове випромінювання викликає посилення теплового руху й електрони розсмоктуються із ПЗ у підкладку.
ЛІЗМОН-транзистори в режимі зчитування працюють у такий спосіб. На затвор подається напруга зчитування, значення якої лежить між двома граничними рівнями. Якщо в елемент пам'яті записана логічна одиниця, то транзистор відкривається, якщо ж логічний нуль - закривається.
Забезпечення роботи транзистора в режимі зберігання інформації здійснюється за рахунок відсутності заряду на електродах ПЗ, що не допускає розпливу заряду в підложку.