Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Физика и химия материалов оптоэлектроники...doc
Скачиваний:
34
Добавлен:
11.11.2019
Размер:
922.11 Кб
Скачать

Контрольные вопросы

5.1. Почему известную формулу = нельзя использовать при расчетах оптических приборов среднего ИК-диапазона, например в системах твердых растворов на основе соединений А4В6 (Pb1–xSnxTe, Pb1–xSnxSe ) и А2В6 (HgxCd1–xTe )?

Ответ. При малых значениях Δ нельзя пренебрегать изменением положения уровня Ферми при изменении концентрации носителей заряда (эффект Бурштейна−Мосса).

5.2. При изучении свойств системы АВС построена экспериментальная нелинейная зависимость ширины запрещенной зоны Δ для квазибинарного разреза AxB1–xC с изотипной зонной структурой.

Определить условия применимости приближения

Δ (х) = х Δ АС + (1 − xВСсx (1x).

Оценить значение коэффициента нелинейности с.

Ответ. Интерполяционное выражение такого вида можно использовать, если максимальное отклонение (прогиб) зависимости Δ (х) от линейной зависимости наблюдается для составов х ≈ 0,5. Значения коэффициента нелинейности с легко оценить по учетверенному значению прогиба зависимости Δ (х) при х = 0,5.

5.2. Приближение ковалентного радиуса и виртуального кристалла

При решении материаловедческих задач параметры твердых растворов оценивают с использованием приближения виртуального кристалла (ПВК) или приближения ковалентного радиуса (ПКР). При использовании ПВК для твердых растворов, например АхВ1–хС, атомы элементов А и В, замещающие друг друга в подрешетке металла, заменяются на "идеальный виртуальный атом" А*. При этом виртуальному атому присваиваются аддитивные свойства атомов А и В со статистическими весами, соответствующими функциональному составу А*(х) = х А + (1 – х)В.

В приближении ПКР предполагается постоянство ковалентного радиуса каждого из атомов заданного сорта независимо от состава твердого раствора. Для материалов А3В5, кристаллизующихся в решетке сфалерита, используются тетраэдрические ковалентные радиусы r.

Задача 5.16. Определить соотношения между параметрами решетки а и длиной химической связи bАВ для бинарного соединения АВ со структурой типа сфалерит.

Ответ: bАВ = rA + rB = .

Задача 5.17. Эффективная длина химической связи в АхВ1–хС для приближения ПВК bАВ = f (x), а для ПКР bАB = const, bАC = const. Показать, что оба приближения ПВК и ПКР дают выражения для параметра а(х) от состава АхВ1–хС, соответствующие правилу Вегарда: а(х) = х аAС + (1 – х) аВС.

Задача 5.18. Охарактеризовать углы между химическими связями при реализации sp3-, sp2-, p3-, sp-гибридизации в материалах. На примере соединения А3В5 пояснить принцип sp3-гибридизации при образовании структуры сфалерита. Объяснить, как распределяется эффективный заряд по остову кристалла.

Задача 5.19. Доказать, что зоны Бриллюэна для полупроводников со структурой алмаза (Si, Ge), сфалерита (А3В5, А2В6) и каменной соли (А4В4) имеют подобный вид.

Указание. Принять во внимание, что трансляционная симметрия – гранецентрированная кубическая решетка Браве (ГЦК). В обратном пространстве этой решетке соответствует объемно центрированная кубическая решетка (ОЦК). При построении зоны Бриллюэна учесть две координационные сферы (в первой координационное число – 8 узлов, во второй – 6).