- •Isbn 5-7629-0807-0 © cПбГэту "лэти", 2007 Введение
- •Основы физико-химического анализа многокомпонентных систем
- •2. ТриангуляциЯ и тетраэдрация. Диаграммы состояния многокомпонентных систем
- •3. Диаграммы "состав – свойство" многокомпонентных систем
- •Контрольные задания
- •4. Прогнозирование полупроводниковых свойств в многокомпонентных системах
- •5. Материалы современной оптоэлектроники и наноэлектроники
- •5.1. Расчет параметров кристаллической решетки и ширины запрещенной зоны в гетероструктурах
- •Контрольные вопросы
- •5.2. Приближение ковалентного радиуса и виртуального кристалла
- •5.3. Построение зонных диаграмм гетероструктуры
- •5.4. Расчет коэффициентов преломления и диэлектрической проницаемости твердых растворов
- •Контрольный вопрос
- •5.5. Расчет упругих напряжений и деформаций
- •Контрольный вопрос
- •5.6. Влияние пластической деформации на электрофизические и оптические свойства материалов и характеристики приборов на гетероструктурах
- •Контрольный вопрос
- •5.7. Твердые растворы на основе соединений а2в6 и а4в6
- •Заключение
- •Приложение
- •197376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5
Контрольные задания
По геометрическому образу конкретной тройной системы А – В – С, содержащему геометрические образы изотерм ликвидуса и изоконцентрат солидуса (выдается преподавателем), выполнить следующие задания:
3.1. Для заданной системы А – В – С, в которой существует твердый раствор вида AхB1–хC или ABхC1–х, восстановить по кривым изотерм ликвидуса вид Т – х-диаграммы для частных двойных диаграмм А – В, А – С, В – С.
3.2. Для заданного значения состава твердых растворов х (соответственно, заданного значения ширины запрещенной зоны ΔЕg) построить зависимость температуры роста от состава жидкой фазы (концентрации растворителя).
4. Прогнозирование полупроводниковых свойств в многокомпонентных системах
В 1893 г. А. Вернер ввел в химию новое допущение, согласно которому атом металла обладает способностью соединяться с определенным числом (обычно 4 или 6) других атомов, ионов или молекул, координируя их вокруг себя в определенном геометрическом порядке.
Теория таких комплексов была развита в 1931 г. Л. Полингом. Он показал, что гибридизация s-орбитали и 3р-орбиталей (sp3-гибридизация) приводит к образованию тетраэдрических орбиталей, гибридизация этих четырех орбиталей с двумя d-орбиталями (sp3d2) – октаэдрических орбиталей, направленных к 6 вершинам октаэдра, а гибридизация sp3d-орбиталей соответствует направлениям к вершинам квадрата.
Для полупроводниковых фаз особый интерес представляют материалы, в которых реализуется sp3-гибридизация (С – алмаз, Si, Ge), а также бинарные соединения А3В5, А2В6. Аналогом элементов четвертой группы являются и соединения А1В7.
Для прогнозирования полупроводниковых фаз в многокомпонентных материалах Н. А. Горюновой были сформулированы 2 правила [16]:
1. Состав сложных фаз, являющихся аналогами элементов четвертой и восьмой главных подгрупп Периодической системы, должен быть таким, чтобы среднее число вакантных электронов на атом равнялось четырем (условие "4").
2. Если элементы меньших групп рассматривать как катионы, а больших – как анионы (для тройных соединений 2 вида – однокатионные и двухкатионные соединения), то фаза-аналог образуется лишь при реализации полной валентности. Это означает, что число электронов, отдаваемых катионом для образования ионно-ковалентных связей, должно быть равно числу их электронов, недостающих до октета у аниона.
Громоздкость аналитических выражений, связывающих свойства многокомпонентных материалов с их составом, приблизительность учета различных физических эффектов, а зачастую и неопределенность областей существования фаз сдерживают развитие материаловедения.
Использование приемов по анализу свойств на геометрических образах многокомпонентных систем делает ФХА эффективным методом исследования. При выборе систем многокомпонентных материалов и сплавов, например для целей оптоэлектроники, исключительное значение имеет анализ на геометрических образах концентрационных зависимостей значений ширины запрещенной зоны, параметров кристаллической решетки, коэффициента преломления, расположения областей с прямой и непрямой энергетической структурой зон, изотерм ликвидуса и изоконцентрат солидуса и т. п. Некоторые из этих зависимостей рассмотрены в разд. 3, другие будут изложены в последующих разделах пособия.
В этом разделе рассмотрим вопросы, связанные с возможностью предсказания полупроводниковых свойств в многокомпонентных материалах путем анализа особенностей химической связи на геометрических образах.
Задача 4.1. Найти число всех возможных вариантов NА тройных систем А – В – С, где А, В, С – элементы из разных групп Периодической системы Д. И. Менделеева, при расположении этих элементов в кристаллической структуре, соответствующей формуле АВ. Номер группы возрастает от А до С и изменяется от 1 до 7.
Решение. Число решений из 7 элементов по 3 компонента Ni равно: . Однако правильный ответ , так как для тройных систем возможны варианты и .
Задача 4.2. Определить, существует ли в системе А – В – С возможность образования тройного алмазоподобного соединения со структурой сфалерита, если А – элемент 1-й группы, В – 3-й группы, С – 6-й группы (например, Cu – In – Se).
Решение. Условие "4" может быть реализовано только в двух двойных системах Cu – Se и In – Te. В двойной системе Cu – In никакое соотношение между элементами не дает в среднем 4 электрона на каждый атом при sp3-гибридизации. Фигуративные точки Cu2Se3 и In2Se – это составы, формально отвечающие формуле фигуративной точки. Соединения с такой формулой могут реально не существовать. Разрез Cu2Se3 – In2Se в концентрационном треугольнике Cu – In – Se соответствует геометрическому образу составов в системе Cu – In – Se, в которых на каждый атом приходится в среднем 4 электрона.
Условие "8" удовлетворяет фигуративным точкам In2Se3 и Cu2Se на сторонах концентрационного треугольника и разрезу In2Se3 – Cu2Se. Точка пересечения составов Cu2Se3 и In2Se и In2Se3 и Cu2Se соответствует геометрическому образу состава тройного соединения, для которого удовлетворяются оба условия "4" и "8": Cu2Se3 + In2Se = In2Se3 + Cu2Se. Этой точке соответствует тройное соединение CuInSe2.
Задача 4.3. Определить состав возможных тройных двухкатионных соединений в системах: а) 1 – 4 – 5; б) 1 – 4 – 6; в) 1 – 5 – 6; г) 2 – 4 – 5.
Ответ: а) АВ2С3; б) А2ВС3; в) А3ВС4; г) АВС2.
Задача 4.4. Определить состав возможных тройных однокатионных соединений в следующих системах: а) 2 – 5 – 7; б) 3 – 4 – 7; в) 2 – 4 – 7; г) 2 – 3 – 7; д) 3 – 4 – 6.
Ответ: а) А2ВС ; б) А3В2С; в) А3ВС2 ; г) А4ВС3; д) А2ВС.
Задача 4.5. Используя аналитические выражения для четырехэлектронного условия хА + уВ + (1 – х – у)С = 4 и условие полной валентности для однокатионного тройного соединения , доказать, что не существует однокатионных тройных соединений, кроме рассчитанных в предыдущей задаче.
Указание. Для однокатионных тройных растворов из совместного решения уравнений по условиям "4" и "8" получим: ; .
Из соотношения равенства количества атомов в подрешетке металла и неметалла (формула АВ) следует, что у < .
Таким образом, 0 < < .
Задача 4.6. Найти геометрический образ составов четверной системы Ag – In – Sb – Te , удовлетворяющих условиям "4" и "8".
Ответ. Для двухкатионных материалов в концентрационном тетраэдре Ag – In – Sb – Te – это линия х InSb – (1 – x)AgInTe2; для трехкатионных – линия х AgIn Te2 – (1 – x)Ag3SbTe4.