- •Цель и задачи курса
- •Введение
- •Взаимодействие рентгеновских лучей с веществом
- •Основы теории дифракции на кристаллах
- •2.1 Допущения теории дифракции
- •2.2 Уравнение Вульфа-Брэггов.
- •2.3 Уравнения Лауэ.
- •Обратная решётка
- •3.1 Понятие обратной решётки.
- •3.2 Интерференционная функция Лауэ
- •3.3 Сфера Эвальда
- •Методы рса
- •4.1 Метод Лауэ
- •4.2 Метод вращающегося монокристалла
- •4.3 Метод порошков (Метод Дебая-Шеррера)
- •Основы теории рассеяния рентгеновских лучей веществом
- •5.1 Рассеяние рентгеновских лучей
- •5.2 Рассеяние свободными и связанными электронами. Атомный фактор
- •5.3 Рассеяние кристаллической решёткой
- •5.3.1 Структурный фактор
- •5.3.2 Закономерные погасания рефлексов
- •5.3.2.1 Рассеяние примитивной решёткой, состоящей из однородных атомов с размазанной электронной плотностью
- •5.3.2.2 Рассеяние сложной кристаллической решёткой с однородными атомами
- •Кубическая объёмно-центрированная I–решётка. Структурный тип вольфрама.
- •Гцк решётка. Структурный тип меди.
- •5.3.2.3 Рассеяние сложной решёткой с разнородными атомами
- •5.3.3 Интегральная интенсивность и фактор Лоренца
- •5.3.4 Интенсивность отражений от поликристаллических образцов и фактор повторяемости
- •5.3.5. Интенсивность дифракционных максимумов
Основы теории дифракции на кристаллах
2.1 Допущения теории дифракции
Поскольку длина волны РИ соизмерима с межатомными расстояниями, будет наблюдаться дифракция рентгеновских лучей на веществах с кристаллической решеткой (кристаллах). Следовательно, по дифракционной картине можно изучать структуру вещества, т.е. реализовать рентгеноструктурный анализ.
Теория дифракции рентгеновского излучения на кристалле построена на допущениях:
- лучи РИ параллельны и монохроматичны ;
- электроны сосредоточены в атоме (пренебрегаем размерами атома);
- кристаллическая решетка примитивна;
- атомы неподвижны;
- поглощение РИ в кристалле отсутствует;
- кристалл идеален;
- размеры кристалла малы по сравнению с расстоянием до наблюдателя.
Существует два подхода : метод Вульфа –Брэггов и метод Лауэ .
2.2 Уравнение Вульфа-Брэггов.
Дифракция рассматривается как результат взаимодействия волн после их зеркального отражения от атомных плоскостей.
Атомная плоскость – воображаемая плоскость, которую можно провести через атомы, из которых состоит кристаллическая решетка (рис.1).
Рис.1
Плоскости с атомами расположены на некотором расстоянии dhkl, где hkl - индексы Миллера, определяющие положение атомной плоскости относительно начала координат (рис.2).
Рис.2
Рассмотрим распространение рентгеновских лучей на примере лучей 1 и 2. Луч 1 отражается атомом А и движется под тем же углом, под которым и падал. Лучи 2 и 2′ движутся параллельно лучам 1 и 1′, но луч 2 проходит, по сравнению с лучом 1, дополнительное расстояние А′B + BA″. Разность хода лучей приведет к возникновению разности их фаз. Если разность фаз лучей будет в точности равна 2, то лучи 1′ и 2′ будут в одной фазе и при их сложении можно наблюдать усиление. Разности же фаз 2 соответствует путь длиной равной длине волны рентгеновского излучения. Итак, лучи, отраженные параллельными плоскостями кристалла дадут максимум интенсивности, если А′B + BA″ = n , где n = 1,2,3... . Из рис.2 видно, что А′B = BA″ = dhkl sin и А′B + BA″ = 2dhkl sin . Таким образом, условие усиления отраженных лучей выглядит так:
2dhkl sin = n .
Это условие Вульфа–Брэггов. Русский кристаллограф Вульф и, независимо от него английские физики отец и сын Брэгги вывели это уравнение. Условие Вульфа–Брэггов связывает направления, вдоль которых возникают рассеянные рентгеновские лучи, т.е. угол , с межплоскостным расстоянием dhkl в кристаллической решетке. Порядок отражения учитывает число n. Отражение, т.е. сложение волн, происходит лишь тогда, когда рассеянные волны оказываются в фазе, т.е. когда разность хода равна целому числу n длин волн .
Итак, уравнение В - Б описывает распределение максимумов дифракционной картины. Условие возникновения максимумов – синфазность отраженных волн. Используя это уравнение можно решать многие задачи рентгеноструктурного анализа. Для этого достаточно измерить углы Θ, соответствующие максимумам интенсивности на дифрактограмме (рентгенограмме), т.е. углы рассеяния рентгеновских лучей с известной длиной волны, а затем рассчитать межплоскостные расстояния dhkl для исследуемого кристалла и потом с их помощью определить параметры его элементарной ячейки. Такой подход прост, но дает довольно ограниченные результаты. Богаче его, но сложнее подход Лауэ.