Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Шпоры по организации ЭВМ 2007.doc
Скачиваний:
31
Добавлен:
02.05.2014
Размер:
2.18 Mб
Скачать

16.Организация модулей статического озу.

1)Рис карту адресного простр

2)Опр область вкл каждой микросх на карте адр простр-ва . Для каждой микросх строится ДШ на опр комб ША (на ДШ поступают старш разр с ША,а младш поступ на микросх ОЗУ)

8-ми разрядные модули памяти

16-ти разрядные модули памяти

ВНЕ- выборка старшего байта.

ВНЕ

А0

0

0

0

1

1

0

1

1


16-разр слово

старший байт

младший байт

нет обр-я

При обращении к 16 разр ШД в ШУ присутсвует сигнал ВНЕ, ктр в комбина-ции с Ао обеспеч-ивает обр-е к 16 разр слову отдельно млад или отдельно старш байту.Счетчик комнд после обрпо адресу автом увел на два (слова располагаются по четным адр т.е. Ао=0).

22.Организация кэш памяти.

Увеличение объема памяти приводит к уменьш быстродейств9 время на дешифрацию) .Кроме этого обращение в внешн памяти (выход за пределы кристалла) снижает быстр примерно на порядок по сравн с быстр внутри кристалла (СРU≈2 ГГц, обращение к памяти 125-133 МГц). Подавляющее большинство программ носит циклический характер.

КЭШ память предназначена для хранения последних наиболее часто встречающихся команд. КЭШ-память располагается или внутри кристалла проц или максимально близко к нему и время обр к КЭШ-памяти не порядок быстрее чем к глобальному ДОЗУ.

Копия в КЭШ

Инф

В КЭШ

В гл ДОЗУ

Чтение

Есть

Нет

Чтение

Запись+след слово

-

Чтение

Запись

Есть

Нет

-(обновл)

-

Запись

Запись

Ао-выбир байтв 16-ти разр слове

А1-выбир какое 16-ти разр слово берем

Пусть КЭШ-память имеет структуру 256 слов на 87 разрядов. Младш часть адресаL (разряды с А2 по А9) возбуждает одну из 87-разр ячеек КЭШ-памяти (8 разр указыв адр одной из 256 ячеек). Старш часть адр m наз-ся тегом и сопровождает данные записываясь в один из банков КЭШ-памяти. Проц обращаясь к памяти выставляет на ША адр , младшая часть адр возбуждает обну из 256 ячеек КЭШ-памяти, старшая часть адр сравнивается с тэгами записанными в 1 и 2 блоках КЭШ-памяти если m≠Tэги это значит копии в КЭШ памяти нет и необх обращаться к глод ДОЗУ (Hit=1),

если m=Теги это означает что такой адрес уже выставлялся и инф нах-ся в КЭШ-памяти (Hit=0) и сигнал А1 ч/з мультиплексор S вы-дает на ШД 16-ти разр данные одного из банков КЭШ-памяти. V-признак истинности инф,по сбросу сбрасывается в 0 при созд копии в КЭШ устанавл в 1. S-признак старости или выборки банка.

23.Организация виртуальной памяти.

Вирт память создает у польз-ля иллюзию будто бы при небольш (ограниченных) объемах физ ОЗУ, пользов-ль имееточень большие ОЗУ. Это достигается за счет использ внешних носителей инф.(напр HDD,стримеры,CD-ROM,Zip,Flash)

256К – физ ОЗУ ША – 23-разр -> 232=4 Гб

При орг Вирт памяти физ ОЗУ разбивается на страницы (размер произв опр-ся разработчиком). 1стр-16к=214 Все адр пространство разбивается на страницы. Nстр=232/214=218=256к страниц. В физ ОЗУ может нах-ся 16 стр.

М-абс номер стр L-номер ячейки на стр Р-поля признаков

Ассоциативное ОЗУ- ОЗУ в котором входной инф явл-ся данные а выходом явл адрес ячейки где эти данные нах-ся.\Контроллер Вирт памяти имеет столько ячеек АЗУ сколько физ страниц может располагаться в ОЗУ. Процессор выставляет 32-р адр на ША, АЗУ сравнивает М с М* загруженными в физ ОЗУ,если М=М*, то данная страница нах-ся в физ ОЗУ и № этой стр в физ ОЗУ задается полем К(4р), поле К возбуждает эту стр в физ ОЗУ, младш часть адреса L возбуждает ячейку памяти на выбранной странице, формируется сигнал Q который открывает буфер(Эл-т с 3 сост) и подключает физ ОЗУ с СМ. Если М≠М* это означает что данной стр в физ ОЗУ нет. Формируется сигнал Q который вызывает подп-рогр прерывания проц которой требуется загр недостающую стр внешн ЗУ (HDD) в физ ОЗУ,при этом необх-мо сделать следующее:

1)Анализируется поле признаков, проверяется поле v (v по сбросу сбрас в 0 изначально ЗУ пустое).Если осущ запись стр в физ ОЗУ в v устр 1. Чтобы уничножить стр достаточно v=0. Если v=0 значит в физ ОЗУ есть своб стр и на это место можно загр стр из внеш ЗУ .

2)Если все v=1 ,анализир признак старости стр R.Обычно признак старости R периодически сбрас в 0 по таймеру,при обращении к стр R автомат уст в 1.Если R=0 это значит что к данной стр давно не было обращений и на ее место можно загр требуемую стр, при этом возм след вариант:

а)Во время работы со старой стр команда записи не проходила, признак команды записи W=0 означает что точная копия этой стр нах-ся на винте => ее можно стирать в ОЗУ(v=0).

б)Проходила команда записи(w=1) означает что инф в ОЗУ отличается от копии на винте, тогда необходимо переписать инф с данной стр обратно на винт. Затем загрузить новую стр на место старой.

3)При работе со стр анализир-ся признаки приоритетов стр a и b.

a

b

0

0

0

1

1

0

1

1


-только для чтения ОС

-чтение + запись ОС

-чтение польз-ля + все ОС

-чт/запись польз+все ОС

Если объем стр мал, прерывание на данную стр происходит часто, “закачивается” инф маленькими порциями, но если объем стр большой прерыв происх реже, но перегоняются большие объемы инф. Для орг вирт памяти требуются средства аппаратной поддержки.