5 Послідовність виконання роботи:

5.1 Зняття вхідних статичних характеристик транзистора І_Б = f(U_БЕ) при U_КЕ = const

Перед зняттям характеристик заготовляють таблицю спостережень (табл.1 і табл.2).

Таблиця 1

UКЕ = 0 , В		UКЕ = 5 , В
UБЕ , В	ІБ , мА	UБЕ , В	ІБ , мА

Вхідні статичні характеристики транзистора знімають для двох значень напруги U_КЕ . Напругу між базою та емітером змінюють потенціометром R₁.

5.2 Зняття вихідних статичних характеристик транзистора І_К = f(U_КЕ) при І_Б = const

Таблиця 2

ІБ = 500 , мкА		ІБ = 1000 , мкА		ІБ = 2000 , мкА
UКЕ , В	ІК , мА	UКЕ , В	ІК , мА	UКЕ , В	ІК , мА

Вихідні статичні характеристики знімають для трьох значень струму бази, котрі встановлюють потенціометром R1 та підтримують у процессі спостережень незмінними. Напругу U_КЕ змінюють, потенціометром R2.

5.3 Побудова статичних характеристик транзистора.

За результатами вимірювань (табл.1 і табл.2) побудувати сімейства вхідних та вихідних статичних характеристик транзистора на міліметровому папері. Зразковий приклад цих характеристик приведено на рис.2, 3.

Рис. 3 Рис.2

5.4 Визначення вхідного та вихідного опорів, коефіцієнтів підсилення транзистора.

За вихідними статичними характеристиками (рис.3) можна знайти вихідний опір транзистора R_вих для заданої точки Т. По прирощенням ∆U_КЕ і ∆І_К між точками В і С при постійному струмі І_Б = 40 мкА

R_вих = ∆U_КЕ / ∆І_К =(15В - 1В) / (1,4-0,9)10^-3 А = 28000 Ом = 28 кОм.

Вхідний опір транзистора R_вх визначаємо за вхідними статичними характеристиками (рис.2). Точка Т відповідає тому ж режиму, що й на вихідних характеристиках (І_Б = 40 мкА).

По прирощенням ∆І_Б та ∆U_БЕ між точками А і Б при постійній напрузі U_КЕ = 8 В, знаходимо

R_вх = ∆U_БЕ /∆І_Б = (185 мВ-140 мВ) / (50-30)10^-3 мА = 2250 Ом = 2,25 кОм.

Коефіцієнт підсилення струму К_І визначаємо за вихідними характеристиками транзистора (рис.3). Нехай транзистор працює при напрузі між колектором і емітером U_КЕ = 8 В, а струм бази дорівнює І_Б = 40 мкА. Цьому режиму на сімействі вихідних характеристик транзистора відповідає точка Т.

По прирощенням ∆І_К та ∆І_Б між точками А і Б при постійній напрузі U_КЕ знаходимо

К_І = ∆І_К /∆І_Б = (1,6 - 0,6 )мА / (60 - 20)10^-3 мА = 25, при U_КЕ = 8 В = const.

Коефіцієнт підсилення напруги К_U визначаємо за вхідними характеристиками транзистора (рис.2).

Нехай І_Б = const = 30 мкА (т. КА).

Для точки К U_БЕ = 110 мВ, U_КЕ = 0 В

Для точки А U_БЕ = 140 мВ, U_КЕ = 8 В.

К_І = ∆ U_КЕ /∆ U_БЕ = (8 - 0)В / (140-110)10^-3 В = 270.

Коефіцієнт підсилення потужності К_Р визначаємо за формулою:

К_Р = К_І К_U = 25∙270 = 6750.

6 Зміст звіту:

6.1 Найменування та мета роботи.

6.2 Схема дослідження.

6.3 Перелік приладів.

6.4 Результати вимірювань (таблиці).

6.5 Вхідні статичні характеристики транзистора І_Б = f(U_БЕ), при U_БЕ = const (на міліметровому папері).

6.6 Вихідні статичні характеристики транзистора І_К = f(U_КЕ), при І_Б = const (на міліметровому папері).

6.7 Розрахунок основних параметрів транзистора: вхідного і вихідного опорів, коефіцієнтів підсилення струму, напруги, потужності.

6.8 Висновки.

7 Контрольні питання:

7.1 Чому БТ називається біполярним.

7.2 Які режими роботи має БТ?

7.3 Що називається динамічним режимом роботи БТ.

7.4 Яка схема включення найбільш використовується і чому?

7.5 Назвіть h-параметри БТ і їх фізичні властивості?

7.6 Які електроди має БТ і вимоги до них?

7.7 У якій області знаходиться транзистор p-n-p- структури, якщо U_БЕ = - 0,2 В В; U_КЕ = 6В?

8 Література:

8.1 Васильєва Л.Д., Медеведенко Б.І., Якименко Ю.І. «Напівпровідникові прилади»: Підручник . – К.: ІВЦ «Видавництво «Політехніка»», 2003. – 388 с.

8.2 Ю.П. Колонтаєвський, А.Г. Сосков, “Промислова електроніка та

мікросхемотехніка: теорія і практикум.».- К.: «Каравела», 2004. – 368 с.

8.3 В.Ю. Лавриненко, «Справочник по полупроводниковым приборам. 10-е изд., перераб. И доп. – К.: Техника, 1984. – 424 с.

8.4 Мілих В.І., Шавьолкін О.О. Електротехніка, електроніка та мікропроцесорна техніка: Підручник. За ред.. В.І. Мілих. – К.: Каравела, 2007. – 688 с.

8.5 Конспект лекцій.