Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
МП-л.р.КЕ-2010.doc
Скачиваний:
6
Добавлен:
05.09.2019
Размер:
2.8 Mб
Скачать

Лабораторна робота № 3

Тема: Дослідження біполярного транзистора

1 Мета роботи: Вивчення особливостей роботи біполярного транзистора, увімкнутого за схемою зі спільним емітером; побудова статичних ВАХ та визначення його основних параметрів (коефіцієнтів підсилення за струмом, за напругою та потужністю, вхідного та вихідного опорів).

2 Апаратура та прилади: ПЕОМ, програма Electronics Workbench.

3 Схема дослідження: 1 кОм

1 кОм

1 кОм

1В 1кОм 10В

Рис.1

4 Основні теоретичні положення:

Транзистором (від TRANSFER RESISTOR – такий, що перетворює опір) називається НП прилад, який має один або декілька p-n переходів, три або більше виводів і здатний підсилювати потужність електричного сигналу.

Біполярний транзистор – це НП прилад, призначений для підсилення потужності сигналу, який має 2 p-n переходи, використовує носії зарядів двох різних типів: електронів та дірок і керується струмом.

Як елемент електричного кола, транзистор зазвичай використовується так, що один з його електродів є вхідним, другий вихідним, а третій – спільний відносно входу та виходу. У коло вхідного електроду вмикається джерело вхідного змінного сигналу, який треба підсилити за потужністю, у коло вихідного – навантаження, на якому виділяється підсилена потужність.

Розрізняють три схеми вмикання транзисторів:

  • з спільною базою - з СБ;

  • з спільним емітером - з СЕ;

  • з спільним колектором - з СК.

Схема зі спільним емітером (рис.1) найбільш розповсюджена.

Основні параметри біполярного транзистора для схеми з спільним емітером визначаються за формулами:

Rвх UБЕ / ΔІБ , при ΔUКЕ = const (сотні Ом – одиниці кОм);

Rвих UКЕ / ΔІК , при ΔІБ = const (одиниці – десятки кОм);

КІ = ΔІК / ΔІБ , ΔUКЕ = const (десятки – сотні);

КU = ΔUвих / ΔUвх , ΔIвх = const (сотні – тисячі);

КР = КІ ∙ КU (тисячі – десятки тисяч);

Для визначення статичних параметрів транзисторів використовують два види статичних характеристик:

- вхідні ІБ = f(UБЕ) при UКЕ = const (рис.2);

- вихідні ІК = f(UКЕ) при ІБ = const (рис.3).