- •Корпускулярно-волновой дуализм микрообъектов
- •Элементы квантовой механики
- •Квантовая теория свободных электронов в металле
- •Введение в теорию твердых тел
- •Основы физики лазеров
- •Элементы физики ядра и элементарных частиц
- •§ 1. Краткие исторические сведения
- •§ 2. Тепловое излучение
- •§ 3. Излучение абсолютно черного тела. Закон Кирхгофа.
- •Итоги лекции n 1
- •Лекция n 2 Проблема излучения абсолютно черного тела. Формула Планка. Закон Стефана-Больцмана, закон Вина § 1. Проблема излучения абсолютно черного тела. Формула Планка
- •§ 2. Закон Стефана-Больцмана и закон Вина
- •Итоги лекции n 2
- •Лекция n 3 Проблема фотоэффекта. Уравнение Эйнштейна для фотоэффекта § 1. Проблема фотоэффекта
- •§ 2. Уравнение Эйнштейна для фотоэффекта
- •Итоги лекции n 3
- •Лекция n 4 Боровская теория атома водорода Спектр излучения атома водорода в теории Бора § 1. Боровская теория атома водорода
- •Первый постулат Бора:
- •Второй постулат Бора:
- •§ 2. Спектры излучения атома водорода в теории Бора
- •Итоги лекции n 4
- •Корпускулярно-волновой дуализм микрообъектов
- •Лекция n 5 Свойства фотонов. Вероятностная интерпретация плотности энергии и интенсивности электромагнитной волны
- •§ 1. Свойства фотонов
- •2. Масса фотона
- •3. Энергия фотона
- •§ 2. Неделимость фотона
- •§ 3. Интерференция одиночных фотонов
- •§ 4. Вероятностная интерпретация плотности энергии и интенсивности электромагнитной волны
- •Итоги лекции n 5
- •§ 1. Гипотеза де Бройля. Волновые свойства электронов
- •Лекция n 6 § 2. Дифракция одиночных электронов
- •§ 3. Волновая функция и волна де Бройля
- •§ 4. Соотношения неопределенностей
- •Итоги лекции n 6
- •§ 2. Понятия об операторах физических величин
- •§ 3. Решение уравнения Шредингера для простейших случаев: свободная частица и частица в бесконечно глубокой одномерной потенциальной яме
- •§ 2. Квантовые числа
- •§ 3. Спектры атома водорода в теории Шредингера
- •§ 4. Волновая функция основного состояния атома водорода
- •Итоги лекции n 8
- •§ 2. Физические основы периодической системы элементов д. И. Менделеева
- •§ 3. Молекула
- •§ 4. Объяснение температурной зависимости теплоемкостей газов
- •Итоги лекции n 9
- •§ 1. Электронный газ в модели одномерной бесконечно глубокой ямы
- •§ 2. Электронный газ в модели бесконечно глубокой трехмерной потенциальной ямы
- •Итоги лекции n 10
- •Элементы квантовой статистики
- •Лекция n 11
- •§2. Анализ функции f(e)
- •Итоги лекции n 11
- •Лекция n 12 Результаты квантовой теории электропроводности. Термоэлектронная эмиссия. Бозоны. Распределение Бозе-Эйнштейна § 1. Результаты квантовой теории электропроводности металла
- •§ 2. Термоэлектронная эмиссия
- •§ 3. Бозоны. Распределение Бозе-Эйнштейна
- •Итоги лекции n 12
- •§ 2. Диэлектрики и полупроводники
- •§ 3. Собственная проводимость полупроводников
- •§ 2. Акцепторные примеси. Полупроводники p-типа
- •§ 3. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковый диод
- •§ 4. Полупроводниковый триод - транзистор
- •Основы физики лазеров лекция n 15
- •§ 1. Вводные сведения
- •§ 2. Вынужденное (стимулированное) излучение
- •§ 3. Состояние с инверсией населенности
- •§ 4. Оптический резонатор
- •§ 5. Способы создания инверсии населенности
- •§ 6. Виды лазеров и их применение
- •§ 2. Дефект массы и энергия связи атомного ядра. Ядерные силы
- •§ 1. Некоторые сведения из истории открытия деления ядра урана
- •§ 2. Цепная ядерная реакция. Ядерная бомба
- •§ 3. Ядерный реактор
- •§ 4. Реакция синтеза атомных ядер. Проблема управляемых термоядерных реакций
- •Итоги лекции n 17
- •§ 1. Радиоактивность. Историческое введение
- •§ 2. Закон радиоактивного распада
- •§ 3. Взаимодействие радиоактивного излучения с веществом
- •§ 4. Методы регистрации ионизирующих излучений
- •Итоги лекции n 18
§ 4. Полупроводниковый триод - транзистор
Полупроводниковый триод, или транзистор, - это электронный прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Состоит он из двух p-n переходов, созданных в одном кристалле.
В зависимости от чередования переходов различают p-n-p и n-p-n транзисторы. Средняя часть триода называется базой. Толщина ее должна быть по возможности меньше. Области с противоположным типом проводимости, прилегающие к базе, называют эмиттером и коллектором. Конструктивно коллектор имеет больший объем, чем эмиттер.
Рассмотрим принцип работы транзистора на примере схемы, изображенной на рисунке 14.7 (схема с общей базой).
Рис. 14.7
На переход "эмиттер-база" подается небольшое постоянное смещение Uэ в прямом направлении и усиливаемый переменный сигнал. Переход "база-коллектор" смещается в обратном направлении значительно большем, чем Uэ напряжением Uк. При таких смещениях сопротивление перехода "эмиттер-база" невелико, сопротивление перехода "база-коллектор" велико. Это позволяет взять в качестве нагрузки большое сопротивление Rвых.
На рисунке 14.8 изображены графики потенциала в зависимости от координаты x в направлении перпендикулярном плоскостям p-n и n-p переходов (см. рисунок 14.7).
Рис. 14.8
В случае отсутствия смещения двойной электрический слой, как мы узнали выше, препятствует движению основных носителей через p-n переход. При прямом смещении перехода "эмиттер-база" величина барьера уменьшается и "барьер" может превратиться в "горку", с которой будут "скатываться" основные носители (см. рис. 14.5б).
Так дырки из эмиттера (у нас - p-область) будут в большом количестве переходить в область базы (n-область в нашем случае). Если база достаточно тонкая, то большая часть пришедших из эмиттера дырок за счет диффузии дойдет до перехода "база-коллектор", не успев рекомбинировать. А здесь для них, дырок, приготовлена потенциальная "горка", с которой они "скатываются" в область коллектора. У хорошего транзистора до 99% (и больше) основных носителей, вышедших из эмиттера, доходят до области коллектора. Можно считать, что ток коллектора Iк примерно равен току эммитера Iэ. При изменении тока эмиттера, вызванном входным сигналом, настолько же изменится и ток коллектора. При этом мощность выходного сигнала будет больше, чем у входного, так как разность потенциалов на переходе "база-коллектор" больше, чем на переходе "эмиттер-база", а электрическая мощность, как известно, равна произведению тока на напряжение.
P = IU.
Таким образом, рассмотренная нами схема с общей базой усиливает сигнал по мощности.
Итоги лекции N 14
-
Атомы пятивалентных элементов, таких как фосфор (Р), мышьяк (As), сурьма (Sb), добавленные в кристаллическую решетку четырехвалентных полупроводников германия (Ge) или кремния (Si), называются донорными примесями.
-
Каждый атом донорной примеси может поставить в зону проводимости один электрон. Полупроводник с донорной примесью называется полупроводником n-типа, т.к. носителями заряда в этом случае яляются электроны, заряд которых отрицателен (от лат. negativ - отрицательный).
-
Энергия связи донорного электрона с ионным остатком ~ 10-2 эВ, поэтому при комнатных температурах все донорные электроны переходят в зону проводимости (полная ионизация доноров). Вследствие этого примесная электронная проводимость не зависит от температуры, а определяется только концентрацией доноров.
-
Атомы трехвалентных элементов, таких как бор (В), алюминий (Al), галлий (Ga), индий (In), добавленные в кристаллическую решетку четырехвалентных полупроводников германия (Ge) и кремния (Si) называются акцепторными примесями.
-
Каждый атом акцептора может забрать из валентной зоны один электрон, создавая в ней носитель положительного заряда - дырку. Такой примесный полупроводник называется полупроводником р-типа (от лат. positiv - положительный).
-
Энергия, необходимая для ионизации акцептора невелика (~10-2 эВ), поэтому уже при комнатных температурах все акцепторы будут ионизированы. Вследствие этого дырочная проводимость не будет зависеть от температуры, а определяется только концентрацией акцепторов.
-
Контакт из двух примесных полупроводников с разным типом проводимости называется p-n-переходом. Такой переход обладает односторонней проводимостью. На основе свойств p-n перехода работает полупроводниковый диод.
-
Прибор, состоящий из двух p-n переходов, созданных в одном кристалле, называется полупроводниковым триодом или транзистором. Транзистор используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов.