- •1. Нарисуйте схему однополупериодного выпрямителя на выпрямительных диодах.
- •2. Нарисуйте схему выпрямителя с нулевой точкой на выпрямительных диодах.
- •3. Нарисуйте мостовую схему выпрямления на выпрямительных диодах.
- •4. Нарисуйте схему стабилизации на стабилитроне кс 156 а.
- •5. Нарисуйте схему генератора на туннельных диодах.
- •6.Объясните использование варикапов на электронных схемах.
- •7. Нарисуйте схему эмиттерной температурной стабилизации.
- •8. Объясните причины уменьшения коэффициента усилителя каскада.
- •10. Объясните причину отличие реальной частотной характеристики от идеальной.
- •12. Объясните причину отличие реальной амплитудной характеристики от идеальной.
- •13. Как определяется чувствительность усилителя?
- •14. Как определяется полоса пропускания усилителя?
- •15. Расшифруйте маркировку следующих транзисторов: гт 311б, 2т 907а, кт 814а.
- •16. Где используются комплементарные транзисторы?
- •17. В каких схемах используется режим с? Почему?
- •18. В каких условиях режим а имеет преимущества?
- •20. При подаче на вход усилительного каскада синусоидального напряжения на выходе получается последовательность однополярных импульсов. Что это означает?
- •21. Как снимаются входные статические характеристики транзистора?
- •22.Как определяется уровень нелинейных искажений по динамической характеристике?
- •23. Где используетя схема с общим коллектором?
- •24 .Для чего служит делитель напряжения r1r2?
- •25. Что происходит если в цепи эмиттера убрать конденсатор Сэ?
- •26. Какое усиление даёт каскад, если в цепи эмиттерного сопротивления обрыв?
- •27. Можно ли соединить каскады без разделительного конденсатора?
- •28. В каких случаях получается электрический и тепловой пробой в полупроводниковых диодах?
- •29.Что означают цифры в обозначении стабилитронов?
- •30. Как составляется эквивалентная схема резистивного каскада?
- •31. Как составляется эквивалентная схема трансформаторного каскада?
- •32. Для чего вводится понятие относительное усиление?
- •33. Можно ли использовать режим б в однотактной схеме?
- •34. Как снимаются выходные статические характеристики транзисторов?
- •35.Что такое туннельный эффект и где используется?
- •36. Объясните процесс возбуждения электронов?
- •37.Как образуется донорная примесь?
- •38.Как образуется акцепторная примесь?
- •39. Что такое полупроводник n-типа?
- •40. Что такое полупроводник p-типа?
- •41.Объясните причину возникновения дрейфового тока?
- •42. Объясните причину возникновения диффузионного тока?
- •43.Объясните процесс образования электронно-дырочного перехода?
- •44.Приведите характеристику мощного выпрямительного диода?
- •45. Нарисуйте характеристику туннельного диода?
- •46.Как определить коэффициент перекрытия по емкости варикапа?
- •47.Что такое биполярный транзистор?
- •48.Классификация биполярных транзисторов?
- •50. Структура биполярного транзистора?
- •Нарисуйте схему однополупериодного выпрямителя на выпрямительных диодах.
- •Нарисуйте схему выпрямителя с нулевой точкой на выпрямительных диодах.
- •Нарисуйте мостовую схему выпрямления на выпрямительных диодах.
- •49.Как определяются h-параметры транзисторов?
40. Что такое полупроводник p-типа?
В примесном полупроводнике наряду с примесной электропроводностью существует собственная электропроводность. В собственном полупроводнике концентрации электронов и дырок одинаковы. В примесном полупроводнике преобладает
концентрация электронов (для донорной примеси) или дырок (для акцепторной примеси).
Подвижные носители заряда с преобладающей концентрацией называются основными.
В полупроводнике с акцепторной примесью основные носители заряда- дырки. Поэтому его называют полупроводником p-типа. В этом случае электроны являются не основными носителями заряда.
41.Объясните причину возникновения дрейфового тока?
Рассмотрим процесс образования и свойства p-n –перехода. Допустим, что концентрация электронов в n- областях полупроводника равна концентрации дырок в р-области. На границе областей возникают градиенты концентраций электронов и дырок, вследствие чего происходит диффузия дырок из р-области и электронов из n-области полупроводника. Диффузия электронов и дырок создает диффузионный ток через p-n-переход.В результате диффузии носителей заряда в граничном слое происходит рекомбинация, р- область приобретает нескомпенсированный отрицательный заряд, а n- область приобретает нескомпенсированный положительный заряд, обусловленные соответственно отрицательными и положительными ионами. В граничном слое образуется электрическое поле, направленное от n-области к р-области. Электрическое поле в этом слое, называемом запирающим, вызывает дрейф не основных носителей заряда (дырок из n-области в р- область и электронов- наоборот), создающий дрейфовый ток, встречный по направлению диффузионному току.
42. Объясните причину возникновения диффузионного тока?
Рассмотрим процесс образования и свойства p-n –перехода. Допустим, что концентрация электронов в n- областях полупроводника равна концентрации дырок в р-области. На границе областей возникают градиенты концентраций электронов и дырок, вследствие чего происходит диффузия дырок из р-области и электронов из n-области полупроводника. Диффузия электронов и дырок создает диффузионный ток через p-n-переход.
43.Объясните процесс образования электронно-дырочного перехода?
Электронно-дырочный, или p-n-переход, образуется между двумя областями полупроводника одна из которых имеет электронную электропроводимость, а другая- дырочную электропроводимость. На практике p-n –переход получают введением в примесный полупроводник примеси с противоположным типом электропроводимости. Например, с введением донорной примеси в определенную зону полупроводника p-типа в ней образуется полупроводник n-типа, граничащий с полупроводником p-типа.
Рассмотрим процесс образования и свойства p-n –перехода. Допустим, что концентрация электронов в n- областях полупроводника равна концентрации дырок в р-области. На границе областей возникают градиенты концентраций электронов и дырок, вследствие чего происходит диффузия дырок из р-области и электронов из n-области полупроводника. Диффузия электронов и дырок создает диффузионный ток через p-n-переход.В результате диффузии носителей заряда в граничном слое происходит рекомбинация, р- область приобретает нескомпенсированный отрицательный заряд, а n- область приобретает нескомпенсированный положительный заряд, обусловленные соответственно отрицательными и положительными ионами. В граничном слое образуется электрическое поле, направленное от n-области к р-области. Электрическое поле в этом слое, называемое запирающим, вызывает дрейф не основных носителей заряда (дырок из n-области в р- оласть и электронов- наоборот), создающий дрейфовый ток, встречный по направлению диффузионному току.
Образование электронно-дырочного перехода.