44.Приведите характеристику мощного выпрямительного диода?

ВАХ мощного выпрямительного диода:

Выпрямительный диод –п/п прибор , в котором так же как и в точечном диоде используется выпрямительные свойства p-n-перехода. Диоды большой мощности, предназначенные для выпрямления больших токов, обычно соединяют конструктивно с радиатором для рассеивания лишней мощности на полупроводниковом элементе. Основные параметры мощного выпрямительного диода максимально допустимый прямой ток I_{пр max} =1-1000 А; максимально допустимое обратное напряжение U_{обр max} =200-2000 В; обратный ток I_обр=1000-5000 мкА

45. Нарисуйте характеристику туннельного диода?

ВАХ туннельного диода:

Туннельный диод – п/п диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на ВАХ при прямом напряжении участка отрицательной дифференциальной проводимости. Основными характеристиками туннельного диода являются ток пика I_п и отношение тока пика к току впадины I_п/I_в.Для выпускаемых отечественной промышленностью диодов

I_п=0,1-100 мА, а I_п/I_в=5-20.

46.Как определить коэффициент перекрытия по емкости варикапа?

Варикап – полупроводниковый диод, в котором используется зависимость емкости p-n-перехода от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой величиной емкости. Основные параметры варикапа:

1)Общая емкость C_в, которая обычно фиксируется при небольшом обратном напряжении

U_обр=2-5В.

2)Коэффициент перекрытия по емкости K_c=C_max/C_min. Для большинства варикапов

C_в=10-500 пФ, а коэффициент перекрытия по емкости K_c=5-20.

Варикапы применяют в системах дистанционного управления и в параметрических усилителях с малым уровнем собственных шумов.

47.Что такое биполярный транзистор?

Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводности, пригодный для усиления мощности. Термин “биполярный” связан с наличием в этих транзисторах двух различных типов носителей зарядов- электронов и дырок. Для изготовления транзисторов применяют германий и кремний. В последнее время также появились транзисторы в пластмассовом корпусе и бескорпусные транзисторы для микросхем. Биполярные транзисторы являются полупроводниковыми усилительными и ключевыми приборами универсального значения и широко применяются в усилителях, генераторах, логических и импульсных устройствах.

48.Классификация биполярных транзисторов?

Два p-n-перехода создают с помощью трехслойной полупроводниковой структуры из полупроводников с различными типами электропроводности. Возможны две трехслойные структуры с различным чередованием областей имеющих электронную и дырочную электропроводность: дырочная- электронная- дырочная и электронная- дырочная- электронная. В соответствии с чередованием областей с различными типами электропроводности биполярные транзисторы подразделяют на два класса: типа p-n-p и типа n-p-n.

Транзисторы принято разделять на группы также по частоте и мощности рассеивания. Малой мощности P_k <0,3 Вт; средней мощности 0,3-1,5 Вт; большой мощности >1,5Вт.(величина мощности рассеиваемая коллектором).

По значению предельной частоты, на которой могут работать транзисторы:

Низкочастотные< 3МГц; среднечастотные 3-30МГц; высокочастотные 30-300 МГц;

СВЧ >300 МГц.

По материалу полупроводника: германиевый и кремниевый (обычно).