49.Как определяются h-параметры транзисторов?

Для анализа и расчета цепей с биполярными транзисторами используют так называемые h-параметры транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

Электрическое состояние транзистора включенного по схеме с ОЭ, характеризуется величинами I_б ,U_бэ ,I_к ,U_кэ .

∆ U_бэ=h_11э ∆I_б +h_12э ∆U_кэ

∆ I_к=h_21э ∆I_б +h_22э ∆U_кэ , где h _ikэ– соответствующие частные производные, которые легко можно найти по входным и выходным характеристикам биполярного транзистора включенного по схеме с ОЭ:

h_11э= ∆ U_бэ/∆I_б при U_кэ=const (∆U_кэ=0)

h_12э= ∆ U_бэ/∆U_кэ при I_б=const (∆I_б =0)

h_21э= ∆ I_к /∆I_б при U_кэ=const (∆U_кэ=0)

h_22э= ∆ I_к /∆U_кэ при I_б=const (∆I_б =0)

Параметр h_11э имеет размерность сопротивления и представляет собой входное сопротивление биполярного транзистора. Параметр h_12э – безразмерный коэффициент обратной связи по напряжению (0,002-0,0002). Параметр h_21э безразмерный коэффициент передачи тока, характеризующий усилительные (по I) свойства транзистора при постоянном напряжении между коллектором и базой. Параметр h_22э имеет размерность проводимости и характеризует выходную проводимость транзистора при I_б=const.