25. Что происходит если в цепи эмиттера убрать конденсатор Сэ?
Введение резистора Rэ при отсутствии конденсатора изменяет работу усилительного каскада не только в режиме покоя, но и при наличии входного напряжения. Переменная составляющая эмиттерного тока iэ создает на резисторе падение напряжения Uэ = Rэ iэ, которое уменьшает усиливаемое напряжение, подводимое к транзистору:
.
Коэффициент усиления усилительного
каскада при этом будет уменьшаться.
Явление уменьшения усиливаемого
напряжения называется отрицательной
обратной связью. Под обратной связью
понимают передачу части выходного
сигнала усилителя на его вход. Если эта
передача снижает усиливаемое напряжение,
то ОС называют отрицательной.
26. Какое усиление даёт каскад, если в цепи эмиттерного сопротивления обрыв?
Если в цепи эмиттерного сопротивления обрыв, то данная схема работать не будет, т.к. постоянный ток не будет проходить через транзистор и конденсатор Сэ. Усиления не будет.
27. Можно ли соединить каскады без разделительного конденсатора?
Можно, только если Uсмещ приблизительно должно быть равно Uconst,вых. Это называется условием работы усилительного каскада при отсутствии конденсатора.
28. В каких случаях получается электрический и тепловой пробой в полупроводниковых диодах?
Полупроводниковым диодом называют преобразовательный полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом, имеющий два вывода. Тепловой пробой: в случае приложения к диоду обратного напряжения в несколько сотен вольт внешнее электрическое поле в запирающем слое становится настолько сильным, что способно вырвать электроны из валентной зоны в зону проводимости (эффект Зенера). Обратный ток при этом резко увеличивается, что вызывает нагрев диода, дальнейший рост тока и, наконец, тепловой пробой (разрушение) р-n перехода. Большинство диодов может работать при обратных напряжениях, не превышающих (0.7-0.8)Uпроб. Даже кратковременное повышение обратного сверх пробивного, как правило, приводит к пробою р-n-перехода и выходу диода из строя.
Электрический пробой: различают лавинный и туннельный электрические пробои. Если при движении через р-n-переход под действием электрического поля неосновные носители заряда приобретают энергию, достаточную для ударной ионизации атомов полупроводника, то в переходе начинается лавинно-образное размножение носителей заряда – электронов и дырок, что приводит к резкому увеличению обратного тока через переход при почти неизмнном обратном напряжении. Этот вид эл.пробоя называют лавинным пробоем. Обычно он развиватся в относительно широких р-n-переходах, образованных слаболегированными полупроводниками.
Другой вид эл.пробоя – туннельный пробой – возникает при большой напряжённости эл.поля в тонком р-n-переходе между высоколегированными полупроводниками в результате туннелирования электронов из валентной зоны р-слоя в зону проводимости n-слоя.