- •1. Нарисуйте схему однополупериодного выпрямителя на выпрямительных диодах.
- •2. Нарисуйте схему выпрямителя с нулевой точкой на выпрямительных диодах.
- •3. Нарисуйте мостовую схему выпрямления на выпрямительных диодах.
- •4. Нарисуйте схему стабилизации на стабилитроне кс 156 а.
- •5. Нарисуйте схему генератора на туннельных диодах.
- •6.Объясните использование варикапов на электронных схемах.
- •7. Нарисуйте схему эмиттерной температурной стабилизации.
- •8. Объясните причины уменьшения коэффициента усилителя каскада.
- •10. Объясните причину отличие реальной частотной характеристики от идеальной.
- •12. Объясните причину отличие реальной амплитудной характеристики от идеальной.
- •13. Как определяется чувствительность усилителя?
- •14. Как определяется полоса пропускания усилителя?
- •15. Расшифруйте маркировку следующих транзисторов: гт 311б, 2т 907а, кт 814а.
- •16. Где используются комплементарные транзисторы?
- •17. В каких схемах используется режим с? Почему?
- •18. В каких условиях режим а имеет преимущества?
- •20. При подаче на вход усилительного каскада синусоидального напряжения на выходе получается последовательность однополярных импульсов. Что это означает?
- •21. Как снимаются входные статические характеристики транзистора?
- •22.Как определяется уровень нелинейных искажений по динамической характеристике?
- •23. Где используетя схема с общим коллектором?
- •24 .Для чего служит делитель напряжения r1r2?
- •25. Что происходит если в цепи эмиттера убрать конденсатор Сэ?
- •26. Какое усиление даёт каскад, если в цепи эмиттерного сопротивления обрыв?
- •27. Можно ли соединить каскады без разделительного конденсатора?
- •28. В каких случаях получается электрический и тепловой пробой в полупроводниковых диодах?
- •29.Что означают цифры в обозначении стабилитронов?
- •30. Как составляется эквивалентная схема резистивного каскада?
- •31. Как составляется эквивалентная схема трансформаторного каскада?
- •32. Для чего вводится понятие относительное усиление?
- •33. Можно ли использовать режим б в однотактной схеме?
- •34. Как снимаются выходные статические характеристики транзисторов?
- •35.Что такое туннельный эффект и где используется?
- •36. Объясните процесс возбуждения электронов?
- •37.Как образуется донорная примесь?
- •38.Как образуется акцепторная примесь?
- •39. Что такое полупроводник n-типа?
- •40. Что такое полупроводник p-типа?
- •41.Объясните причину возникновения дрейфового тока?
- •42. Объясните причину возникновения диффузионного тока?
- •43.Объясните процесс образования электронно-дырочного перехода?
- •44.Приведите характеристику мощного выпрямительного диода?
- •45. Нарисуйте характеристику туннельного диода?
- •46.Как определить коэффициент перекрытия по емкости варикапа?
- •47.Что такое биполярный транзистор?
- •48.Классификация биполярных транзисторов?
- •50. Структура биполярного транзистора?
- •Нарисуйте схему однополупериодного выпрямителя на выпрямительных диодах.
- •Нарисуйте схему выпрямителя с нулевой точкой на выпрямительных диодах.
- •Нарисуйте мостовую схему выпрямления на выпрямительных диодах.
- •49.Как определяются h-параметры транзисторов?
35.Что такое туннельный эффект и где используется?
Туннельный эффект можно наблюдать в туннельном диоде. Туннельный диод – полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на ВАХ при прямом напряжении участка отрицательной дифференциальной проводимости. Материалом для туннельных диодов служит сильно легированный германий или арсенид галлия. Туннельные диоды являются быстродействующими полупроводниковыми приборами, применяются в генераторах высокочастотных колебаний и быстродействующих импульсных устройствах. Для возникновения туннельного эффекта необходимо наличие одинаковых свободных энергетических уровней по обе стороны потенциального барьера. Электроны могут “просачиваться” сквозь узкий потенциальный барьер даже тогда, когда их энергия меньше высоты потенциального барьера. Эффект прохождения электрона сквозь узкий потенциальный барьер называют туннельным эффектом. “Просачивание” или туннелирование электронов объясняется его волновыми свойствами.
36. Объясните процесс возбуждения электронов?
Рассмотрим механизм электропроводности в твердых телах. Как известно из квантовой механики, электроны в изолированных атомах могут находиться только на разрешенных энергетических уровнях. В соответствии с принципом Паули один энергетический уровень могут занимать одновременно не более двух электронов, различающихся магнитными моментами. В нормальном состоянии атома электроны стремятся занять как можно более низкие энергетические уровни. На более высокие энергетические уровни они могут переходить получив извне энергию равную разности энергий соответствующих уровней. Этот процесс называется возбуждением электрона. Совершая обратный переход, возбужденный электрон выделяет квант электромагнитного излучения.
37.Как образуется донорная примесь?
Локальные уровни –энергетические уровни обусловленные нарушением периодичности (дефектами) кристаллической решетки. Локальные уровни, обусловленные примесями, называют примесными уровнями. Эти уровни могут размещаться в близи как зоны проводимости, так и валентной зоны. В одном случае вероятен переход электрона с занятого примесного уровня в зону проводимости. Такой тип дефекта кристаллической решетки называют донором, а создающую его примесь донорной.
38.Как образуется акцепторная примесь?
Локальные уровни –энергетические уровни обусловленные нарушением периодичности (дефектами) кристаллической решетки. Локальные уровни, обусловленные примесями, называют примесными уровнями. Эти уровни могут размещаться в близи как зоны проводимости, так и валентной зоны. В одном случае возможен переход (захват) электрона из валентной зоны на незанятый примесный уровень и образование дырки проводимости. Дефект кристаллической решетки подобного типа называют акцептором, а соответствующую ему примесь акцепторной.
39. Что такое полупроводник n-типа?
В примесном полупроводнике наряду с примесной электропроводностью существует собственная электропроводность. В собственном полупроводнике концентрации электронов и дырок одинаковы. В примесном полупроводнике преобладает
концентрация электронов (для донорной примеси) или дырок (для акцепторной примеси).
Подвижные носители заряда с преобладающей концентрацией называются основными.
Так, в полупроводнике с донорной примесью основные носители заряда- электроны, поэтому его называют полупроводником n-типа. Дырки в таком полупроводнике являются не основными носителями заряда.