Физика / 6.______________
.pdfВ.М.Клименко. Електростатика 162
де q алгебраїчна сума вільних зарядів, що містяться усередині замкненої поверхні діелектрика S. Цей результат можна одержати, якщо в теоремі Остроградського-Гауса для напруженості поля, поряд із вільними, врахувати
зв'язані заряди q' = ∫ σ'dS поляризованих молекул, розташованих на поверхні
S
діелектрика з поверхневою густиною σ'. Усередині діелектрика звязані
заряди молекул взаємно компенсуються. |
Запишемо |
тепер |
теорему |
||||||
Остроградського-Гауса для напруженості у вигляді |
r |
|
|
||||||
r r |
|
|
|
|
|
r |
|
|
|
ε0 ∫∫ EdS |
= q − q'= q − |
∫∫ σ'dS = q − ∫∫ PdS. |
(3) |
|
|||||
S |
|
|
|
S |
S |
|
|
|
|
Тепер |
r |
r |
r |
r |
r |
r |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
∫∫ (εoE + P)dS |
= ∫∫ εo (E + χE)dS |
|
|
|
|||||
S |
r |
r |
|
S r r |
r |
r |
|
|
|
∫∫ εo (1 + χ)EdS = ∫∫ εoεEdS = ∫∫ DdS |
(4) |
|
|||||||
S |
|
|
S |
|
S |
|
|
|
|
і остаточно одержимо |
|
|
|
r r |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
∫∫ DdS = q . |
|
|
|
|
|
S
§ 12. Граничні умови для електричного поля в діелектрику
Граничні умови для електричного поля при переході границі двох діелектриків із діелектричними проникливостями ε1 та ε2 мають вигляд
E 2τ = E1τ , D2τ = D1τ |
ε2 |
, D2n = D1n , E 2n = E1n |
ε1 |
. |
(1) |
||
ε |
|
|
|||||
|
1 |
|
ε |
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Індекс τ означає тангенціальну до граничної поверхні, а індекс n нормальну складову відповідного вектора.
Для доведення цих співвідношень
скористаємося виразами |
для циркуляції |
|
r |
r |
|
∫ Edl = 0 напруженості поля E та теоремою |
||
L |
r |
|
|
|
|
Остроградського-Гауса |
∫ DdS = q |
для |
r |
S |
|
|
індукції D . Врахуємо також, що в |
|
діелектрику відсутні вільні заряди і їх струм |
|
|
q=0, j=0, |
а зв'язок величин напруженості Е та індукції |
|
D має вигляд D = εε0 E . |
|
1. Умови, що виникають із циркуляції напруженості поля.
Розглянемо контур, який охоплює дільницю границі dl розділу двох
В.М.Клименко. Електростатика 163
діелектриківr у вигляді прямокутникаr з основою ∆l , що лежить на дотичній ( ∆l || τ) та бічною стороною ∆h || nr, де nr − нормаль до dl (див.Мал.19). Обхід контуру при інтегруванні будемо робити в напрямі проти годинникової стрілки. Спрямуємо ∆h до 0 так, щоб верхня основа залишаласьrв діелектрикуr
1, а нижня в діелектрику 2. При цьому границя інтеграла від E1dl по бічній поверхні буде рівна нулю. На верхній основі обхід контуру проти
годинникової стрілки буде протиr вектора vτ і
Er1dl = Er1rτdl = −E1τdl .
На нижній основі |
r |
r |
r |
r |
|
||||
|
E2 dl |
= E 2 |
τdl = E 2τdl |
(обхід контуру в напрямку τ). Тепер інтеграл по замкненому контуру ∫ Еdl
L
буде мати відмінними від нуля складові по основам ∆l, які можна записати так
r r |
= −∫ E1τdl + ∫ E 2τdl = ∆l(E 2τ |
|
|
|
||||
∫ Edl |
− E1τ ) = 0 |
|
|
|||||
L |
∆l |
|
∆l |
|
|
|
||
Звідси слідує перша пара граничних співвідношень |
|
|
||||||
E 2τ = E1τ , D2τ = D1τ |
ε2 |
. |
(2) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
ε1 |
|
|
|
|
|
|
|
2. Умови, що виникають із теореми Остроградського-Гауса. |
|
|||||||
Для одержання |
другої |
пари умов на границі розподілу двох |
||||||
|
|
|
|
діелектриків |
побудуємо |
прямий |
до |
|
|
|
|
|
поверхні границі циліндр з основою ∆S та |
||||
|
|
|
|
висотою ∆h (див.Мал.20). Інтеграл по |
||||
|
|
|
|
замкненій поверхні цього |
циліндра |
від |
||
|
|
|
|
r r |
|
|
|
|
|
|
|
|
DdS буде мати лише дві складові по |
||||
|
|
|
|
поверхні основ циліндра, якщо його твірну |
||||
|
|
|
|
спрямувати до 0 так, щоб нижня основа |
||||
|
|
|
|
залишилась в діелектрику 2, а верхня в 1. |
||||
|
|
|
|
Крім того, діелектрик не містить вільних |
||||
|
|
|
|
зарядів, тому в об'ємі циліндра q=0. |
||||
|
|
r |
r |
Нормалі до нижньої та верхньої основ |
||||
протилежні за напрямком n1 |
|| −n |
2 На нижній основі |
|
|
||||
|
|
r |
r |
r |
r |
|
|
|
а на верхній основі |
D2 dS = D |
2 n 2 dS = D2n dS , |
|
|
||||
r |
r |
r |
r |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
||||
|
|
D1dS = D1n1dS = D1n dS |
|
|
|
В підсумку маємо
В.М.Клименко. Електростатика 164
rr
∫∫DdS = −∫∫ D1n dS + ∫∫ D2n dS = ∆S(D2n − D1n ) = 0
S |
∆S |
∆S |
і друга пара умов має вигляд
D2n = D1n , E 2n = E1n εε1 . (3)
2
§ 13. Сегнетоелектрики
Сегнетоелектриком називається діелектрик, що має макроскопічні об′єми (домени) у середині яких у звичайних умовах існує спонтанна (невимушена) насичена поляризація (див. Мал.21а) і тому сегнетоелектрики, будучи розміщеними у зовнішньому електричному полі, мають аномально велику діелектричну проникливість ε ~ 104. У звичайних умовах поляризація доменів має хаотичну теплову орієнтацію тому вектор поляризованості сегнетоелектрика дорівнює нулю. При температурі ТС, яка називається температурою Кюрі, сегнетоелектрик утрачає свої особливі властивості і стає звичайним полярним діелектриком, наприклад, для титанату барія BaTiO3 ТС=406К, ніобату літія LiNbO3 має ТС=1483К. Як правило, сегнетоелектрики мають одну точку Кюрі, однак виключенням є сегнетова сіль та її, ізоморфні з нею, з'єднання, що мають дві точки Кюрі. Наприклад, сегнетова сіль
NaKC4H4O6 4H2O має сегнетоелектричні властивості в
інтервалі температур від ТС1 = - 18оС (255К) до ТС2 = 24оС (297К).
На відміну від лінійної, для звичайних діелектриків, поляризація сегнетоелектрика в зовнішньому електричному полі визначається складною залежністю вектора поляризованості Р від напруженості електричного поля
Е. В сегнетоелектриках спостерігається явище діелектричного гістерезису запізнення, що означає існування різних значень поляризованості сегнетоелектрика при одній і тій же напруженості зовнішнього електричного поля в залежності від попередньої його поляризованості.
Якщо сегнетоелектрик має початкову нульову поляризованість, то при збільшенні напруженості зовнішнього електричного поля (крива 0 1 Мал.21б) вектор поляризованості зростає нелінійно, досягаючи насиченості
PS1 . Насиченість виникає після повної переорієнтації векторів поляризації r
доменів по напрямку поля E . При подальшому зменшенні напруженості
В.М.Клименко. Електростатика 165
(крива 1 2), поляризованість зменшується також нелінійно, але по іншій залежності так, що на зворотному шляху поляризованість залишається більшою ніж на попередньому шляху для одних і тих же значень Е. При досягненні значення Е=0 у сегнетоелектрику спостерігається залишкова поляризованість P0 , яка зникає лише під дією електричного поля
протилежного напрямку при величині напруженості ЕС. Напруженість Ес називається коерцитивною силою. При подальшому збільшенні напруженості цього напрямку (ділянка 2 3) поляризованість зростає до насиченого значення PS2 , але протилежного до напрямку PS1 . При зменшенні
напруженості цього поля до Е=0 (крива 3 4) у сегнетоелектрику теж спостерігається залишкова поляризованість P0. При зміні напрямку напруженості електричного поля й збільшенні її величини до ЕС (крива 4 1) поляризованість знову стає рівною нулю, а подальше збільшення Е створює насичену поляризованість PS . В цьому процесі криві 1 2 3 4
залежності Р від Е створюютьrпетлю, яка називається петлею гістерезису. Площа петлі гістерезису ∫∫ PdE дорівнює енергії, що витрачається на
S
переполяризацію сегнетоелектрика і вона рівна кількості теплоти,r що виділяється в ньому при повній зміні напряму вектора поляризованості PS .
Зауваження.
1.Результат поляризації сегнетоелектрика залежить від перед історії його стану, функція P=P(E) є неоднозначною.
2. Залежність P = χE cправджується лише для головної гілки намагнічування 0 1, представленої на Мал.18.
3.При поляризації сегнетоелектрика змінюється його форма та розміри явище електрострикції.
4.Механічна деформація змінює поляризацію сегнетоелектрика .
§14. Електроємність провідників
1.Ємність відокремленого провідника. Відокремлений провідник,
тобто такий, що не взаємодіє з іншими зарядженими тілами, має потенціал ϕ пропорційний розміщеному на ньому зарядові q і тому можна записати, що
q=Cϕ. Коефіцієнт пропорційності С називають електроємністю відокремленого провідника. Електроємність С залежить від геометричної форми та розмірів провідника. Розмірність електроємності [C]=В/м=Фарад, або скорочено [С]=Ф. Наприклад, електроємність відокремленого провідника, що є сферою з радіусом R дорівнює
C = q |
= q : |
q |
= 4πεε0R . |
(1) |
|
4πεε0R |
|||||
ϕ |
|
|
|
В.М.Клименко. Електростатика 166
З цього виразу можна визначити розмірність електричної сталої [ε0 ]=Ф/м.
Електроємність кулі, що має радіус рівний радіусу Землі RЗ = 6,4 106м, дорівнює СЗ = 712 µФ.
2. Взаємна електроємність. Взаємна електроємність С двох різнойменно заряджених провідників із величиною заряду q визначається як
С = q , де ϕ1 і ϕ2 потенціали провідників. Ємність С залежить від
ϕ1 − ϕ2
геометричної форми провідників та їх взаємного розташування. Зауваження. Названі провідники можуть взаємодіяти з іншими
зарядженими тілами, а їх електричне поле діє у навколишньому просторі.
§ 15. Конденсатори
Конденсатором називається така система з двох різнойменно заряджених провідників з однаковою величиною заряду q, електростатичне поле якої зосереджується в обмеженому просторі між провідниками. Самі провідники називають обкладками конденсатора. До таких провідників можна віднести
•паралельні нескінченно великі площини плоский конденсатор;
•коаксіальні циліндри з близькими значеннями радіусів основ циліндричний конденсатор;
•дві сфери зі співпадаючими центрами та близькими значеннями радіусів
сферичний конденсатор. |
|
|
|
|
|
|
|
|
За визначенням електроємність конденсатора є |
|
|
|
|||||
C = |
q |
= |
q |
, U = ϕ − ϕ |
2 |
, |
(2) |
|
|
|
|||||||
|
ϕ1 − ϕ2 |
U |
1 |
|
|
|||
|
|
|
|
|
де ϕ1,ϕ2 потенціали провідників, U різниця потенціалів.
1. Плоский конденсатор утворюється двома металевими пластинами (обкладки конденсатора) площею S із відстанню d між ними, причому d<< лінійних розмірів пластин (див.Мал.22). Електростатичне поле пластин зосереджується усередині між ними. Між пластинами може розміщуватися діелектрик із діелектричною проникливістю ε. Електроємність плоского
конденсатора становить
С = |
εεoS |
. |
(3) |
|
|||
|
d |
|
Дійсно, напруженість поля між пластинами E = σεε0 , різниця потенціалів
U=ϕ1 - ϕ2=E d, q=σS і остаточно маємо
В.М.Клименко. Електростатика 167
С= Uq = εεdoS .
2.Циліндричний конденсатор складається з двох співвісних металічних тонкостінних циліндрів (обкладок конденсатора) висоти h і
радіусів R1 та R2, причому h >> R1, R2. Електростатичне поле зосереджується усередині конденсатора й утворюється лише внутрішньою обкладкою. Електроємність циліндричного конденсатора можна розрахувати так:
U = |
|
|
λ |
|
ln( |
|
R 1 |
), q = λh , |
(4) |
|||
2 |
πεε o |
|
||||||||||
|
|
|
|
R 2 |
|
|
||||||
|
C = |
q |
= |
|
2πhεεo |
. |
(5) |
|||||
|
U |
ln(R1 / R 2 ) |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
Якщо d=R1 - R2 <<R1, то ln (R1 / R2)=ln(1+d/R1)≈d/R1 і тоді вираз для ємності циліндричного конденсатора приймає вид ємності плоского конденсатора
С= εεdoS ,
де S = 2πhR1 бічна поверхня циліндра.
3. Сферичний конденсатор складається з двох концентричних металічних тонкостінних сфер (обкладок конденсатора) радіусів R1 та R2. Електростатичне поле зосереджується усередині конденсатора й утворюється лише зарядом внутрішньої сфери. Напруга між обкладками
U=kq |
R1R2 |
. |
|
(6) |
|
|
|
||||
R2 −R1 |
|
||||
Електроємність сферичного конденсатора |
|
||||
С=q/U=4πεε0 |
R1R 2 |
. |
(7) |
||
|
|||||
|
|
R 2 − R1 |
|
Нехай R2 - R1 = d << R1, R2 і R1 = R2 = R. Площа поверхні сфери S = 4πR2 i тоді
С = |
εεoS |
. |
(8) |
|
|||
|
d |
|
|
4. Системи з'єднаних конденсаторів. |
|
При паралельному з'єднанні конденсаторів у батарею, їх загальна ємність дорівнює сумі ємностей усіх конденсаторів батареї. Дійсно, при такому з'єднанні сумарний заряд Q на обкладинках батареї конденсаторів
дорівнює сумі зарядів на всіх конденсаторах |
Q = ∑ qi , а різниця потенціалів |
|||
U буде однаковою як для батареї так і для кожного конденсатора окремо. |
||||
Тепер |
|
|
|
|
C = Q |
= ∑ |
qi |
= ∑ Ci , |
(9) |
|
||||
U |
i U |
i |
|
що й треба було довести.
В.М.Клименко. Електростатика 168
При послідовному з'єднанні конденсаторів у батарею величина обернена їх загальній ємності дорівнює сумі величин, обернених ємностям усіх конденсаторів батареї. Дійсно, при такому з'єднанні сумарна напруга на обкладинках батареї конденсаторів дорівнює сумі напруг на всіх конденсаторах U = ∑ Ui , а заряд q буде однаковим як для батареї так і для
|
i |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
кожного конденсатора окремо qi=q. Тепер |
|
|
|
|||||||||
|
1 |
|
= |
U |
i |
1 |
= ∑ |
Ui |
= ∑ |
1 |
, |
(10) |
|
C |
q |
C |
|
|
|||||||
|
|
|
i qi i |
Ci |
|
що й треба було довести.
Приклад 1. Електрон летить від одної до другої пластини зарядженого до U=3 кВ конденсатора. Відстань між пластинами d=5 мм. Знайти силу F, що діє на електрон, прискорення електрона, швидкість, із якою він долітає до
другої пластини, та поверхневу густину заряду σ на пластинах.
Дано: U=3 103 В, d=5 10-3 м, E=1,6 10-19 Кл, F-?, a-?, V-?, σ-?
|
|
|
|
|
|
Розв'язок |
|
|
|
|||
1). Напруженість поля конденсатора |
|
|
|
|
|
|||||||
E = |
U |
= |
3 |
106 |
= 6 105 |
В |
. |
|
||||
|
|
5 |
м |
|||||||||
|
|
|
d |
|
|
|
|
|
||||
Сила, що діє на електрон дорівнює |
|
|
|
|
|
|||||||
F=eE=1,6 10-19 6 105=9,6 10-14 H. |
||||||||||||
2).Прискорення, що має електрон |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
F |
|
9,6 10−14 |
=1,05 1017 |
|
м |
||||||
a = |
|
= |
|
|
|
. |
||||||
m |
9,1 10−31 |
с2 |
3).Кінцеву швидкість розрахуємо з формули, для прямолінійного
рівноприскореного руху
V2=2ad
|
|
17 |
|
-3 |
|
7 |
м |
V = |
2ad = |
2 1,05 10 |
510 |
|
= 3,25 10 |
|
с |
4). Густину поверхневого заряду знайдемо через напруженість поля
E = |
σ |
, σ = ε0E =8,85 10−12 6 105 = 5,3 10−6 |
Кл. |
|
|||
|
ε0 |
м2 |
§ 16. Електрична енергія заряджених провідників. Енергія електростатичного поля
1. Енергія системи з N нерухомих точкових зарядів
Енергія системи з двох точкових зарядів q1 і q2 , відстань між якими становить r12 = r21, є енергія взаємодії одного заряду з другим і може бути записана як енергія одного заряду в полі другого так
В.М.Клименко. Електростатика 169
W = q |
1 |
k |
q2 |
= q |
1 |
ϕ , W = q |
2 |
k |
q1 |
= q |
2 |
ϕ |
21 |
, |
|
|
|
||||||||||||||
1 |
|
r12 |
|
12 |
2 |
|
r21 |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
тобто енергії взаємодії рівні між собою і дорівнюють енергії системи
W = W1 = W2
W = 12 (q1 ϕ12 + q2 ϕ21) .
Аналогічно можна розглянути систему з трьох і більше зарядів, враховуючи їх попарну взаємодію (принцип суперпозиції), і тоді
|
1 i= N |
j= N |
j= N |
q j |
|
||||
W = |
2 |
∑ qiϕi , ϕi = |
∑ ϕij = k |
∑ |
|
. |
|||
r |
|||||||||
|
i=1 |
j=1,j≠i |
l=1, j≠i |
|
|||||
|
|
ij |
|
||||||
2. Електрична енергія відокремленого зарядженого провідника. |
|||||||||
Електрична енергія відокремленого зарядженого провідника |
|||||||||
дорівнює |
|
|
qϕ |
|
|
|
|
|
|
|
|
Wе= |
. |
(1) |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
2 |
|
|
|
|
|
Доведемо це твердження. Нехай на провідник нанесено заряд q. Він створить на поверхні провідника потенціал ϕ. Для збільшення заряду на провіднику на величину dq потрібно виконати роботу
|
q |
q2 |
|
|
|
δA = ϕdq = |
|
|
|
|
(2) |
|
|
||||
C |
dq = d |
2C |
. |
||
|
|
|
|
Ця робота йде на приріст потенціальної енергії провідника W i δA=dW. Прирівнюючи вирази для роботи, одержимо
W = |
q2 |
або W = |
qϕ |
= |
Cϕ2 |
|
. |
(3) |
|
|||
2C |
2 |
|
2 |
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
3. Енергія конденсатора. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Електрична енергія, наприклад, плоского конденсатора є сумою енергії |
||||||||||||
двох різнойменно заряджених обкладинок |
|
|
|
|
|
|||||||
W = W1 + W2 |
= qϕ1 |
− qϕ2 |
= q |
(ϕ −ϕ )= qU , |
(6) |
|||||||
|
|
|
2 |
2 |
2 |
|
1 |
2 |
2 |
|
де U=ϕ1-ϕ2.
Енергія циліндричного та сферичного конденсаторів має такий само вигляд як і для плоского.
4. Сила тяжіння між пластинами зарядженого конденсатора.
Потенціальну енергію зарядженого плоского конденсатора можна
представити у вигляді функції х |
CU2 |
|
|
|
|
||
W(x) = |
qU |
= |
= |
1 |
εε0SE2 x , |
(7) |
|
|
2 |
2 |
|||||
2 |
|
|
|
|
В.М.Клименко. Електростатика 170
де х відстань між пластинами. Величину сили взаємодії між пластинами знайдемо через градієнт потенціальної енергії
F = |
dW |
, |
F = |
1 |
εε0SE2 . |
(8) |
|
dx |
2 |
||||||
|
|
|
|
|
5. Енергія електростатичного поля.
У зв'язку з тим, що електричне поле, наприклад, плоского конденсатора існує лише у обмеженому просторі об'ємові конденсатора, тому можна вважати, що енергія зарядженого конденсатора тотожня енергії електричного поля
W = |
1 |
εεoE2V, V = Sd . |
(9) |
|||
|
2 |
|
|
|
|
|
Густина енергії електричного поля дорівнює |
|
|||||
w = W |
, w = 1 εεoE2 . |
(10) |
||||
|
V |
2 r r |
|
|||
w= |
|
1 |
εεoE2 = |
ED |
, |
(11) |
2 |
|
|||||
|
2 |
|
|
де Е напруженість, а D електричне зміщення поля.
Об'ємна густина енергії поляризації діелектрика може бути знайдена шляхом віднімання від об'ємної густини електричної енергії поля у діелектрику об'ємної густини електричної енергії поля у вакуумі при рівних
напруженостях Е |
|
|
1 |
|
|
1 ε0E2 |
|
|
w p = w − w0 |
= |
εε0E2 |
− |
|
||
|
|
|
2 |
|
|
2 |
|
w p = |
1 (ε −1)ε0E2 |
= |
1 |
χε0E2 |
= |
1 PE , |
(12) |
і остаточно |
2 |
|
2 |
|
|
2 |
|
|
1 rr |
|
|
|
|||
|
w p = |
(13) |
|
||||
r |
2 |
PE , |
|
||||
|
|
|
|
|
|
||
де P вектор поляризації діелектрика. |
|
|
|
Приклад 1. На заряд q=4.5 10-9 K, вміщений між пластинами конденсатора ємністю С=17,8 πФ, діє сила F=9.81 10-5 H. Площа пластини конденсатора S=10-2 м2, діелектрик — повітря. Визначити:
а) різницю потенціалів між пластинами; б) заряд, на пластинах конденсатора;
в) густину енергії й енергію поля конденсатора; г) силу тяжіння між пластинами.
Розв'язок а). Поле конденсатора однорідне, тому для визначення різниці потенціалів
між пластинами конденсатора скористаємось співвідношенням
U=Ed (1)
В.М.Клименко. Електростатика 171
де E — напруженість електричного поля конденсатора; d — відстань між пластинами.
Напруженість поля Е, що входить у формулу (1), знайдемо з формули
E = |
F |
(2) |
|
q |
|||
|
|
Відстань між пластинами конденсатора d знайдемо з формули ємності
плоского конденсатора, а саме |
|
|
|
|
|
|
||||||||
C = |
εε0S |
|
, |
d = |
εε0S |
|
|
|
|
(3) |
||||
d |
|
|
|
|
||||||||||
|
|
Ñ |
|
|
|
|
|
|
||||||
Підставляючи вирази для Е та d у формулу (1), дістанемо |
||||||||||||||
|
|
U |
= |
εε0SF |
|
|
|
|
|
|
(4) |
|||
|
|
Cd |
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Підставивши числові значення величин у формулу (4), одержуємо |
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
U=108 B. |
|
|||||
б). Заряд q, що перебуває на пластинах конденсатора, знаходимо з |
||||||||||||||
співвідношення |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
q=CU |
|
|
|
|
|
(5) |
|||||||
де С — ємність конденсатора; U — різниця потенціалів між його пластинами. |
||||||||||||||
Підставивши в формулу (5) числові значення величин, знаходимо |
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
q=1.9 10-9 K. |
|
|||||||
в). Густину енергії поля конденсатора визначимо за формулою |
||||||||||||||
w = |
1 εε0E |
|
|
|
|
|
(6) |
|||||||
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Замінивши Е його виразом з (2), одержимо |
|
|||||||||||||
w = |
εε |
0 |
F2 |
|
|
|
|
|
(7) |
|||||
|
|
2q2 |
|
|
|
|
|
|
||||||
Підставивши в формулу (7) числові значення величин, одержуємо |
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
w = 2.1 10−3 Дж |
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
м3 |
|
|
Енергію поля знайдемо, помноживши її густину на об'єм конденсатора |
||||||||||||||
|
|
|
|
W=w V. |
|
|
|
|
|
(8) |
||||
|
|
|
|
V=Sd. |
|
|
|
|
|
(9) |
||||
Підставивши у (8) значення (9) і замінивши d із (3), знаходимо |
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
W = |
εε |
0 |
S2w |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
C |
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Підставивши в цю формулу числові значення величин, дістанемо |
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
W=1.04 10-7 Дж. |
|
|||||||
г). Силу F взаємодії пластин конденсатора визначимо на підставі формули |
||||||||||||||
|
|
F = 1 εε0SE2 |
= wS |
(10) |
||||||||||
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|