Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Теория цепей СВЧ.pdf
Скачиваний:
1331
Добавлен:
09.06.2015
Размер:
2.7 Mб
Скачать

24

Формулы (2.23), (2.24) после подстановки в них выражений (2.26) принимают вид

ε

e

= c2C (L + L ),

ε

o

= c2 (C +2C

m

)(L L ),

(2.27)

 

 

1 1

m

 

 

1

1

m

 

Ze =

(L1 + Lm ) C1 ,

Zo =

(L1 Lm )

(C1 + 2Cm ) .

(2.28)

2.2. Расчет матрицы погонной емкости

Рассмотрим многопроводную планарную линию передачи, изображенную на рис. 2.1. Линия содержит n параллельных бесконечно тонких идеальных полосковых проводников, расположенных над плоским безграничным экраном. Помимо нижнего экрана может существовать и верхний экран.

y

1

2

3

x

 

Рис. 2.1. Поперечное сечение связанных многопроводных линий: 1 – экран; 2 – полосковые проводники; 3 – слои диэлектрика

В общем случае каждый последующий проводник отделен от предыдущего проводника слоем диэлектрика. В частном случае толщина некоторых слоев может равняться нулю. Тогда смежные проводники будут лежать на поверхности одного и того же слоя диэлектрика.

Вычисление элементов Ci j матрицы погонной емкости C начнем с нахождения функции распределения зарядов ρsi(x) по ширине i-го проводника, заряженного с погонной плотностью зарядов Qi , и определения напряжения Ui на нем относительно экрана. Для этого запишем усредненную по времени погонную плотность электрической энергии квазистатического поля в связанных проводниках

WE = 12 Re D E ds ,

(2.29)

25

где D и E – векторы амплитуд индукции и напряженности электрического поля, изменяющиеся во времени по гармоническому закону (1.1), а звездочка указывает на комплексно сопряженную величину. Интегрирование производится по всему сечению связанных линий (−∞<x <∞, 0<y <∞). Наличие оператора Re указывает на допустимость потерь в диэлектрических слоях.

Так как

E =−grad Φ,

(2.30)

где Φ – потенциал электрического поля, то формулу (2.29) перепишем в виде

WE = − 12 Re D gradΦ ds .

(2.31)

Используя правило действий с оператором , получим

 

WE = − 12 Re [div(ΦD ) − Φ div D ] ds .

(2.32)

Согласно теореме о дивергенции интеграл от первого члена в квадратных скобках равен интегралу ΦD*n по замкнутому контуру, проходящему по экрану и замыкающемуся в бесконечности в верхней полуплоскости. Так как потенциал Φ(x, y) от зарядов Qi равен нулю на поверхности экрана и в бесконечности, то и интеграл по контуру будет равен нулю. Поэтому первый член в квадратных скобках формулы (2.32) можно опустить. Получаем

WE = 12 Re Φ div D ds .

(2.33)

Учитывая, что divD является объемной плотностью зарядов, а заряды располагаются только на проводниках с поверхностной плотностью ρsi (x), интеграл (2.33) перепишем в виде

WE = 12

n

 

Re

Φi (x)ρ*s i (x) dx .

(2.34)

 

i =1−∞

 

где Φi (x) (x, yi ), yi – высота i-го проводника над поверхностью экрана. Формула (2.34) будет использована для нахождения функций поверх-

ностной плотности зарядов ρsi(x) на проводниках путем минимизации погонной плотности электрической энергии WE при заданной погонной плотности зарядов на проводниках Qi 0 и условии, что

arg ρsi (x) =const.

(2.35)

Условие (2.35) говорит об отсутствии токов на проводниках в поперечном направлении. То есть волны высшего типа не рассматриваются. Кроме того,

26

для простоты будем считать, что диэлектрические и магнитные проницаемости всех слоев являются скалярными величинами.

Так как потенциал Φ(x, y) создается квазистатическими зарядами, распределенными на полосковых проводниках с поверхностной плотностью ρsi(x), то он удовлетворяет уравнению Пуассона

2Φ(x, y) =

 

1

ρ(x, y),

ε0

εr (y)

 

 

где объемная плотность зарядов

n

ρ(x, y) = ρs i (x) δ( y yi ) ;

i=1

εr(y) – относительная диэлектрическая проницаемость слоя.

(2.36)

(2.37)

Нахождение потенциала Φ(x,y) по заданным функциям ρs i (x) значительно упрощается, если произвести преобразование Фурье:

 

 

 

 

 

(β, y) = Φ(x, y)eiβx dx ,

(2.38)

Φ

 

 

−∞

 

 

 

 

 

ρs i (β) = ρs i (x)eiβx dx .

(2.39)

−∞

Тогда уравнение (2.36) во всей плоскости поперечного сечения за исключением линий раздела слоев y = yi принимает вид

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(2

y2 − β2 )

 

(β, y) = 0 .

 

(2.40)

 

 

 

 

 

 

Φ

 

На границе раздела слоев должны выполняться условия

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

y = yi 0 =

 

 

 

y = yi +0 ,

 

 

 

 

 

 

 

(2.41)

 

 

 

 

 

 

 

Φ

Φ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε0

εr

 

 

 

 

 

 

y = y

0 = ε0εr

 

y = y

 

 

 

 

 

y = y

+0 + ρs i

 

, (2.42)

 

y = y

0

Φ

+0

Φ

 

y

 

 

 

y

 

 

 

 

 

 

i

 

 

 

 

 

 

 

i

 

 

 

 

 

 

 

 

i

 

 

 

 

 

i

 

 

y = yi

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

являющиеся следствием непрерывности тангенциальной составляющей напряженности электрического поля Ex и скачка нормальной составляющей электрической индукции Dy на величину поверхностной плотности зарядов ρs i. Так как потенциал Φ, создаваемый зарядами Qi, обращается на бесконечности в нуль, а поверхность экрана эквипотенциальна, то должны выполняться еще два условия

 

 

y =0 = 0,

 

 

 

y =∞ = 0.

(2.43)

Φ

Φ

 

 

27

Преобразование Фурье приводит выражение (2.34) к виду

 

 

1

n

 

 

WE =

Re

Φ

i (β) ρs*i (β) dβ.

(2.44)

4π

 

 

i =1 −∞

 

 

Решение уравнения (2.40) с граничными условиями (2.41)(2.43) в об-

щем случае может быть записано в форме

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

Φ

(β, y) = Fi

ρs i (β) ,

(2.45)

i =1

где Fi – дробные рациональные функции от sh( β yi), ch( β yi), sh( β y), ch( β y) и β . Конкретный вид функций Fi зависит от геометрии поперечного сечения связанных планарных линий.

Из выражения (2.45) следует, что потенциал зарядов на i-й границе раздела слоев имеет вид

n

 

Φ i (β) = ϕ ij (β) ρsj (β) ,

(2.46)

j =1

где ϕi j – дробные рациональные функции от sh( β yi), ch( β yi) и β . Поэтому они удовлетворяют условию

ϕ ij(−β) = ϕ ij(β) .

(2.47)

Кроме того, функции ϕi j обладают симметрией

 

ϕi j (β) = ϕj i (β) ,

(2.48)

так как при перестановке зарядов ρsi(x) и ρsj(x) происходит перестановка вкладов в потенциал от зарядов на i-й и j-й границе слоев.

Получим функции Fi и ϕi j для открытых связанных микрополосковых линий, то есть в случае когда верхний экран отсутствует, а все полосковые проводники расположены на одной подложке толщиной h. Ширины полосковых проводников и координаты их центров обозначим Wi и xi .

Решение уравнения (2.40), удовлетворяющее граничным условиям (2.43), имеет вид

A

1

sh (

 

β

 

y)

при 0 < y < h,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(2.49)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Φ(β, y) =

 

 

 

β

 

y

 

 

 

 

 

при h < y < ∞.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

A2 e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

28

Выразим константы интегрирования А1 и А2 через функции плотности зарядов ρsi (β) . Подставляя (2.49) в граничные условия (2.41) и (2.42), полу-

чаем

 

 

ρsi (β)

 

 

 

 

 

sh (

 

β

 

 

 

y)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε0

 

β

 

 

εr ch (

 

β

 

h) + sh (

 

β

 

h)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Φ

(β, y) =

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h)e

 

β

 

( y h)

 

 

ρ

 

 

β

 

sh (

 

β

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

si ( )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε

0

 

β

 

ε

r

ch (

 

β

 

h) + sh (

 

β

 

h)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

при 0 < y < h,

(2.50)

при h < y < ∞.

Отсюда находим, что в случае открытых связанных микрополосковых линий, выполненных на однослойной подложке, искомые функции имеют вид

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

sh (

 

β

 

 

 

y)

 

 

 

при 0

< y < h,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε0

 

β

 

 

 

sh (

 

β

 

h) + εr ch (

 

β

 

h)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

F(β, y) =

 

 

 

 

 

 

sh (

 

 

 

β

 

 

 

h)e

 

β

 

( y h)

 

 

 

 

(2.51)

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

при h < y < ∞,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε0

 

β

 

sh (

 

β

 

h) + εr ch (

 

β

 

h)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ϕij (β) =

1

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

.

(2.52)

 

ε0

 

β

 

1 + εr / th (

 

β

 

h)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Видно, что в рассматриваемом случае функции ϕi j(β) вообще не зависят от номеров полосковых проводников, то есть от индексов i и j.

Аналогичным образом можно получить функции ϕi j(β) для других случаев связанных планарных линий. Отметим, что в случае экранированных связанных микрополосковых линий

ϕij (β) =

1

1

 

 

 

 

,

(2.53)

ε0

 

β

 

cth (

 

β

 

ha ) + εr cth (

 

β

 

h)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где ha – высота верхнего экрана над полосковыми проводниками. Видно, что в пределе ha →∞ формула (2.53) совпадает с формулой (2.52).

y

y2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε3

 

 

 

h3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε2

 

 

 

h2

 

y1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε1

 

 

 

h

x

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

x

1

 

x

2

x

3

x4,5

 

Рис. 2.2. Поперечное сечение экранированной трехслойной многопроводной линии передачи

29

Отметим также, что для экранированной трехслойной планарной линии

передачи, изображенной на рис. 2.2, функция ϕi j(β) имеет вид

 

 

 

 

 

 

(ε

2

thu

3

 

+ ε

3

 

thu

2

) thu

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

,

если i,

j y

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε0

β

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε

 

 

thu

 

 

thu

 

 

/chu

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

если i y1 и

 

j

y2

 

 

 

 

 

2

 

 

3

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ϕij

(β) =

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

,

 

 

 

 

 

или i y2 и

 

j y1 ,

(2.54)

 

 

 

 

 

 

 

ε0

 

β

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(ε

2

thu

 

 

+ ε

 

thu

2

) thu

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

,

если i,

j y2 ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε

 

 

β

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= ε2 thu thu

3

 

thu

2

+ ε

2

(ε

3

thu + ε thu

3

) + ε ε

3

thu

2

,

 

 

2

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

1

 

 

1

 

 

 

 

 

 

u1 =

 

β

 

h1 ,

 

 

u2 =

 

β

 

h2 ,

u3 =

 

β

 

h3 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вернемся к погонной плотности энергии электрического поля. Под-

ставляя (2.46) в формулу (2.44), получаем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

WE

=

 

Re

 

 

ϕij (β) ρsi* (β) ρsj (β) dβ.

 

 

 

 

(2.55)

 

4π

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i, j =1 −∞

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Поверхностную плотность зарядов ρsi(x) будем искать в виде разложения в ряд по некоторой последовательности функций, удовлетворяющих следующим требованиям.

В рассматриваемой задаче граничные поверхности полосковых проводников имеют сингулярности типа острых углов, на которых некоторые компоненты электромагнитного поля обращаются в бесконечность. Поэтому решение уравнений электродинамики, а следовательно, и квазистатики не может быть однозначным. Для обеспечения единственности решения задачи необходимо использовать дополнительное физическое условие, называемое условием на ребре или условием Мейкснера [10]. Оно заключается в требовании конечности энергии электромагнитного поля, запасаемой в любом конечном объеме ребра V. Это равносильно требованию

lim

[ε

 

E

 

2 + μ

 

H

 

2 ]dv = 0 .

(2.56)

 

 

 

 

V 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

 

 

 

Из условия (2.56) следует, что в окрестности ребра ни одна составляющая электромагнитного поля (Е, Н) не может возрастать быстрее, чем r 1

30

(τ>0) при r 0, где r – расстояние до ребра. Для ребра в форме клина конкретное значение параметра τ находят решением уравнений Максвелла в цилиндрической системе координат, разлагая компоненты электромагнитного поля в ряд по степеням r.

В [10] показано, что в случае ребра, являющегося краем бесконечно тонкого полоскового проводника, параметр τ для поперечных компонент электрического поля (Ex, Ey) и продольной компоненты магнитного поля (Hz) принимает значение τ=½, для остальных компонент τ=0. Так как поверхностная плотность зарядов пропорциональна нормальной составляющей электрического поля, она должна возрастать вблизи края полоскового проводника по закону r−1/2. Поэтому функцию ρs i(x) на одном из краев полоскового проводника можно записать в виде ряда по положительным степеням x, умноженного на r−1/2. Однако полосковый проводник имеет два края. Чтобы условия Мейкснера выполнялись на обоих краях одновременно, степенной ряд

следует умножить не на r−1/2, а на (1 ui2 )1/ 2 , где

 

ui = 2(x xi ) /Wi .

(2.57)

Расчет значительно упрощается, если искомый ряд по положительным степеням x перегруппировать и представить в виде ряда по ортогональным многочленам Чебышева первого рода

Tm (x) = cos (marccos x) (m = 0, 1, 2, ...) ,

(2.58)

удовлетворяющим условию нормировки

 

1

T (x) dx

π при m = 0,

 

 

 

(2.59)

m

2

=

 

1

1 x

 

0 при m 0.

 

 

 

 

Таким образом, функцию ρsi (x) будем искать в виде

ρsi (x) =

2Q i

(2.60)

πWi 1 ui2

AimTm (ui ) ,

 

m =0

 

где Ai m – вещественные функции x, постоянные на участке xi Wi /2<x<xi +Wi /2 и равные нулю в остальной области.

Из условия (2.59) видно, что вклад в погонную плотность заряда

(2.61)

Q i = ρsi (x) dx

 

31

дает только нулевой член ряда (2.60), причем коэффициент разложения при нулевом члене

Ai 0 = 1.

(2.62)

Последнее равенство обеспечено введением множителя 2Qi /(πWi) в разложе-

нии (2.60).

После выполнения преобразования Фурье формула (2.60) принимает

вид

ρsi (β) = Q i eiβxi

 

 

 

im Aim Jm (βWi / 2) ,

 

 

(2.63)

 

 

 

 

 

m =0

 

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

π

 

 

 

 

Jm(x) =

e ix cos ϕ cos (mϕ) dϕ

 

 

(2.64)

m

 

 

 

 

 

πi

0

 

 

 

 

– функция Бесселя первого рода порядка m.

 

 

 

Подставляя выражение (2.63) в формулу (2.55) и используя обозначе-

ние (2.57) и четность функции Бесселя

 

 

 

 

 

Jm(x) = (1)m Jm(x) ,

 

 

(2.65)

получаем

 

 

 

 

 

 

 

 

1

n

 

n

 

 

 

WE =

Q*iQ j Aim Ajl Re wimjl ,

 

 

(2.66)

 

 

 

 

2πi, j =1

 

m,l = 0

 

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

π

(ml)] dβ.

(2.67)

wimjl = ϕij (β)Jm (βWi / 2) Jl (βWl / 2) cos [β(xi x j ) +

0

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Дифференцируя выражение

(2.66) по коэффициентам Ajl , где

j = 1, 2, … n, l = 1, 2, 3, … и приравнивая производные нулю, получаем систему линейных уравнений для нахождения коэффициентов разложения Ai m, минимизирующих погонную плотность энергии WE :

n

 

n

 

 

Q*iQ j Aim Re wimjl = −Q*iQ j Re wi0 jl .

(2.68)

i =

1

m =1

i =

1

 

Здесь была учтена симметрия функции ϕi j, выражаемая формулой (2.48), а также вещественность произведения Q*iQ j .

32

Бесконечная система уравнений (2.68) при заданных Qi может быть решена численно на компьютере, если в разложении (2.60) ограничиться конечным числом многочленов Чебышева Tm(ui), а суммирование в формуле (2.68) произвести по конечной последовательности индекса m.

Для нахождения напряжения Ui на i-м проводнике вычислим величину

 

UiQ*i =Ui ρ*s i (x) dx .

(2.69)

Внося константу Ui под знак интегрирования и учитывая, что она равна потенциалу Φi(x) на поверхности i-го проводника, получаем

 

UiQ*i = Φi (x)ρ*si (x) dx .

(2.70)

После выполнения преобразования Фурье имеем

UiQ*i =

1

 

i (β) ρsi* (β) dβ.

(2.71)

Φ

 

 

2π

 

Подставляя формулу (2.46) в интеграл (2.71), получаем

 

 

1

n

 

UiQ*i

=

 

ϕ ij (β) ρsi* (β) ρsj (β) dβ.

(2.72)

 

 

 

2π j =1

 

И, наконец, после подстановки ряда (2.63) для ρsi (β) в формулу (2.72) искомая величина

UiQ*i

=

1

n

(2.73)

 

Q*iQ j

wimjl Aim A jl .

 

 

π j =1

m, l =0

 

Сокращая левую и правую части уравнения (2.73) на множитель Q*i , получаем формулу для расчета напряжения на полосковом проводнике

Ui =

1

n

(2.74)

 

Q j

wimjl Aim A jl .

 

π j =1

m, l =0

 

Для нахождения элементов Ci j матрицы погонной емкости C формулу (2.1) перепишем в виде

n

 

Ui = Xij Qj .

(2.75)

j =1

где Xi j – элементы матрицы Х, являющейся обратной к матрице С.

33

Сравнение формул (2.74) и (2.75) не позволяет сразу определить элементы матрицы Х, так как коэффициенты Ai m в формуле (2.74) являются функциями зарядов Qj на всех проводниках.

Для нахождения элементов матрицы Х необходимо для n линейно независимых векторов Q(k) с компонентами Qm(k )0 (k, m=1, 2, …n) по формулам (2.68), (2.74) найти n соответствующих векторов напряжения U(k) с компонентами U(mk ) .

Если число проводников n>2, то в качестве линейно независимых векторов Q(k) можно взять векторы

Q(1) = (1, 1, 1,1),

Q(2) = (1,1, 1,1),

. . . . . . . . . . . .

Q(n) = (1, 1, 1,…−1).

После подстановки (2.76) в формулу (2.75) получаем

n

Ui(k) = ( Xij )2Xik . j =1

(2.76)

(2.77)

Отсюда находим элементы обратной матрицы погонной емкости

 

 

1

n

 

 

Xij = 1

 

( Ui(k) ) Ui( j) .

(2.78)

 

2

n2

k =1

 

 

 

 

 

 

 

 

Элементы Ci j матрицы C могут быть получены обращением матрицы Х, элементы которой определяются формулой (2.78).

Если число проводников n =2, то в качестве линейно независимых векторов Q(k) можно взять векторы

Q(1) = (1, 1),

(2.79)

Q(2) = (1,1).

После подстановки (2.79) в формулу (2.75) получаем

Ui

(1) = Xi1

+ Xi2

,

(2.80)

Ui

(2)

= Xi1 Xi2 .

 

Отсюда находим элементы обратной матрицы погонной емкости

 

1

(U (1)

+U (2) )

1

(U (1)

U (2) )

 

 

2

1

1

 

2

1

1

 

 

X =

12

(1)

(2)

)

 

(1)

(2)

.

(2.81)

 

(U2

+U2

12 (U2

U2

)