- •1. АЭУ. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ
 - •1.1. Назначение, область применения, классификация аналоговых
 - •1.2. Усилитель как основной элемент АЭУ
 - •1.3. Классификация усилителей
 - •1.4. Параметры усилителей
 - •1.4.1. Выходные и входные данные
 - •1.4.2. Коэффициенты усиления
 - •1.4.3. Частотная и фазовая характеристики
 - •1.4.4. Переходная характеристика
 - •1.4.5. Линейные искажения
 - •1.4.7. Помехи и собственные шумы в АЭУ
 - •1.4.8. Амплитудная характеристика
 - •1.4.9. Нелинейные искажения
 - •1.4.10. Потребляемая мощность и коэффициент полезного действия
 - •2. УСИЛИТЕЛЬ (АЭУ) КАК ЧЕТЫРЕХПОЛЮСНИК
 - •2.1. Основные определения
 - •2.1.1. Четырехполюсники, их параметры и эквивалентные схемы
 - •2.1.2. Определение показателей усилителя через параметры
 - •2.2. Использование обратной связи в АЭУ
 - •2.2.1. Виды обратной связи
 - •2.2.2. Использование параметров четырехполюсника для описания
 - •2.2.3. Коэффициент петлевого усиления и глубина обратной связи
 - •2.2.4. Влияние обратной связи на коэффициент сквозного усиления
 - •2.2.6. Влияние обратной связи на стабильность усилителя
 - •3. РАБОТА АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА В УСИЛИТЕЛЬНОЙ СХЕМЕ
 - •3.1. Схемы включения биполярных транзисторов
 - •3.1.2. Включение биполярного транзистора по схеме с общей базой
 - •3.2. Схемы включения полевых транзисторов
 - •3.2.1. Общие сведения
 - •3.2.2. Включение полевого транзистора по схеме с общим истоком
 - •3.2.3. Включение полевого транзистора по схеме с общим затвором
 - •3.2.4. Включение полевого транзистора по схеме с общим стоком
 - •3.3. Режимы работы активных элементов
 - •3.3.1. Общие положения
 - •3.3.2. Режим А
 - •3.3.3. Режим В
 - •3.3.4. Режим С
 - •3.3.5.Режим D
 - •3.4. Цепи питания активных элементов
 - •3.4.1. Общие положения
 - •3.4.2. Подача смещения фиксированным током базы
 - •3.4.3. Подача смещения фиксированным напряжением базы
 - •3.4.4. Эмиттерная стабилизация
 - •3.4.5. Коллекторная стабилизация
 - •3.4.7. Цепи питания полевых транзисторов
 - •4. КАСКАДЫ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО УСИЛЕНИЯ
 - •4.1. Общие сведения
 - •4.2. Транзисторный резисторный каскад
 - •4.2.1. Частотная характеристика. Область средних частот
 - •4.2.2. Частотная характеристика. Область нижних частот
 - •4.2.3. Частотная характеристика. Область верхних частот
 - •4.3. Резисторный каскад на полевом транзисторе
 - •4.3.1. Принципиальная и общая эквивалентные схемы
 - •4.3.2. Частотная характеристика. Область средних частот
 - •4.3.3. Частотная характеристика. Область нижних частот
 - •4.3.4. Частотная характеристика. Область верхних частот
 - •4.4. Широкополосные каскады и коррекция частотных характеристик
 - •4.4.1. Общие положения
 - •4.4.2. Влияние цепи RЭ,CЭ (RИ,CИ) на работу резисторного каскада
 - •4.4.3. Высокочастотная индуктивная коррекция
 - •4.4.4. Низкочастотная коррекция
 - •4.5. Трансформаторный каскад
 - •4.5.1. Эквивалентная схема трансформатора
 - •4.5.3. Поведение трансформаторного каскада в области низких частот
 - •4.5.4. Поведение трансформаторного каскада в области высоких частот
 - •4.6. Специальные схемы каскадов предварительного усиления
 - •4.6.1. Каскодный усилитель
 - •4.6.2. Усилитель с распределенным усилением
 - •4.6.3. Повторители напряжения с улучшенными характеристиками
 - •4.6.4. Дифференциальный каскад
 - •4.6.5. Усилитель с динамической нагрузкой
 - •5. КАСКАДЫ МОЩНОГО УСИЛЕНИЯ
 - •5.1. Общие сведения
 - •5.2. Однотактные усилители мощности
 - •5.3. Двухтактные усилители мощности. Общие сведения
 - •5.4. Двухтактная схема усилителя мощности
 - •5.5. Бестрансформаторные усилители мощности
 - •6. УСИЛИТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА
 - •6.1. Основные свойства усилителей постоянного тока
 - •6.2. Усилители постоянного тока прямого действия
 - •6.3. Усилители постоянного тока с преобразованием
 - •6.4. Реактивные усилители
 - •7. УСИЛИТЕЛИ С ОБРАТНОЙ СВЯЗЬЮ
 - •7.1. Устойчивость усилителей с обратной связью
 - •7.2. Критерий устойчивости Найквиста
 - •7.3. Многокаскадные усилители с обратной связью
 - •7.5. Паразитные обратные связи и борьба с ними
 - •8.1. Общие положения
 - •8.2. Основные параметры ОУ
 - •8.3. Основные схемы включения ОУ с ООС
 - •8.3.1. Инвертирующий усилитель
 - •8.3.2. Неинвертирующее включение ОУ
 - •8.3.3. Инвертирующий сумматор сигналов
 - •8.3.4. Интегрирующий усилитель
 - •8.3.5. Активные фильтры на базе ОУ
 - •8.3.6. Логарифмирующий и антилогарифмирующий усилители
 - •9. РЕГУЛИРОВКИ В УСИЛИТЕЛЯХ
 - •9.1. Общие положения
 - •9.2. Регулировка усиления
 - •9.3. Регулировка тембра
 - •9.3.1. Общие положения
 - •9.3.2. Пассивные регуляторы тембра
 - •9.3.3. Активные регуляторы тембра
 
Частоты среза f1 и f2 задаются двумя частотно-зависимыми цепями R1C1
и R2С2:
f  | 
	=  | 
	1  | 
	
  | 
	;  | 
	f  | 
	
  | 
	=  | 
	1  | 
	
  | 
	
  | 
	.  | 
	(8.30)  | 
2πR C  | 
	
  | 
	2πR  | 
	C  | 
	
  | 
||||||||
1  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	2  | 
	
  | 
	2  | 
	
  | 
	
  | 
||||
  | 
	
  | 
	1  | 
	1  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	2  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
|
Оба ската частотной характеристики (рис. 8.13, б) имеют крутизну спада 6дБ/окт.
8.3.6. Логарифмирующий и антилогарифмирующий усилители
Логарифмирование является нелинейной функцией, и ее выполнение осуществляется с помощью нелинейной обратной связи, вводимой в ОУ путем включения в нее элемента, имеющего нелинейную характеристику. Обычно в качестве такого элемента используется полупроводниковый диод или эмиттерный переход биполярного транзистора. Схема логарифмического усилителя на ОУ с полупроводниковым диодом представлена на рис. 8.14, а. В диапазоне изменения токов диода в пределах четырех – пяти порядков его вольт-амперная характеристика с достаточно высокой точностью аппроксимируется следующим выражением:
  | 
	
  | 
	
  | 
	UД  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
|||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
  | 
	
  | 
	ϕ  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	,  | 
	(8.31)  | 
||
  | 
	IД = IОБ e  | 
	
  | 
	T −1  | 
||||||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
где  | 
	IД – прямой ток диода;  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
  | 
	IОБ – обратный ток диода;  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
  | 
	UД – напряжение на открытом переходе;  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
|||||
  | 
	φT = 26 мВ – температурный потенциал.  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
|||||
  | 
	Считая, что без особых погрешностей можно пренебречь единицей в  | 
||||||||
скобках, найдем напряжение на диоде UД:  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
|
  | 
	UД = ϕT ln  | 
	
  | 
	IД  | 
	.  | 
	
  | 
	
  | 
	(8.32)  | 
||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
|||||
  | 
	
  | 
	IОБ  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
||||
263
Как известно, напряжение на элементе обратной связи при инвертирующем включении ОУ, взятое с обратным знаком, равно выходному напряжению u2= - UД. В свою очередь ток через диод не отличается от входного тока
  | 
	iВХ = IД = u1 .  | 
	(8.33)  | 
|
  | 
	
  | 
	R  | 
	
  | 
  | 
	D  | 
	
  | 
	R  | 
  | 
	R  | 
	
  | 
	D  | 
u1  | 
	u2  | 
	u1  | 
	u2  | 
  | 
	а  | 
	
  | 
	
  | 
	б  | 
|
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	Рис. 8.14  | 
|
Отсюда  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
|
u2 = −uD = −ϕT ln  | 
	ID  | 
	= −ϕT ln  | 
	u1  | 
	= −ϕT (ln u1 −ln IOБR)≈ −ϕT ln u1 . (8.34)  | 
|
IOБ  | 
	IOБR  | 
||||
  | 
	
  | 
	
  | 
В полученном выражении пренебрегли lnIОБR из-за незначительной величины обратного тока диода IОБ. Таким образом, выходное напряжение схемы (см. рис. 8.14, а) определяется логарифмом входного напряжения lnu1, умноженным на постоянный множитель φТ.
Обратное преобразование – антилогарифмирование выполняется также с помощью нелинейных свойств полупроводникового диода. Сопротивление R и диод D в этом случае меняются местами (рис. 8.14, б). Входной ток, протекающий через диод, определяется выражением (8.31), в котором без особых погрешностей можно пренебречь единицей, стоящей в скобках. Тогда выходное напряжение определится следующим выражением:
  | 
	UД  | 
	
  | 
	u1  | 
	
  | 
	
  | 
u2 = −IДR = −RIOБe ϕT  | 
	= RIOБeϕT .  | 
	(8.35)  | 
|||
264
