- •Электрические свойства веществ. Полупроводники. Подвижные носители заряда в полупроводниках. Неподвижные заряды.
- •2. Энергетические диаграммы собственного и примесного полупроводника.
- •3. Электропроводность собственного и примесного полупроводника. Зависимость электропроводности от температуры
- •Электропроводность собственного полупроводника
- •Электропроводность примесного (легированного) полупроводника
- •4.Концентрация носителей заряда в собственном и примесном полупроводнике.
- •19.Мдп транзистор с плавающим затвором.
- •5. Диффузионный и дрейфовый ток
- •6.Контакты и структуры, используемые в электронике. M-n переход, p-n переход, мдп структура, n-p-n и p-n-p структуры.
- •7.Контактная разность потенциалов, токи в контактах веществ в отсутствие внешнего напряжения. Равновесное состояние.
- •8.Барьерная и диффузионная ёмкость.
- •9. Электрический и тепловой пробой в контактах и структурах.
- •10. Контакт металл-полупроводник. Диоды Шотки
- •11. Контакт р- и n- полупроводников (p-n переход). Равновесное состояние.
- •13. Идеализированная и реальная вольтамперная характеристика m-n и p-n диодов.
- •13. Мощный выпрямительный диод, импульсные и высокочастотные диоды, стабилитрон, варикап. Свето- и фотодиоды. Солнечные батареи.
- •15. Влияние выбора типа полупроводника, размеров, концентрации примесей и температуры на свойства диодов.
- •16. Свойства мдп структуры. Пороговое напряжение.
- •17. Мдп транзисторы с индуцированным и встроенным каналом.
- •18. Статические характеристики мдп транзисторов. Параметры мдп-транзисторов: пороговое напряжение, удельная крутизна, паразитные ёмкости:
- •19. Мдп транзистор с плавающим затвором. Арсенид-галлиевый полевой транзистор:
- •20. Биполярный транзистор. Схемы включения. Режимы
- •21.Схема с общей базой, схема с общим эмиттером. Соотношения токов, параметры и статические характеристики.
- •22. Инерционные свойства мдп и биполярных транзисторов. Уменьшение инерционности: выбор типа полупроводника и размеров структур.
- •23. Импульсные свойства мдп и биполярных транзисторов. Временные диаграммы.
- •24. Частотные свойства мдп и биполярных транзисторов. Частотные характеристики.
- •25. Контакт проводник – вакуум. Термоэлектронная эмиссия. Электронные лампы.
- •26. Шумы электронных приборов.
- •27. Компьютерное моделирование диодов и транзисторов
- •1. Уровни моделирования
- •2. Моделирование диодов
- •3. Моделирование биполярных транзисторов
- •4. Моделирование мдп-транзисторов
- •5. Преимущества моделирования
- •28. Основные задачи электроники. Интегральные схемы. Наноэлектроника
- •29. Основные понятия и числовые характеристики надёжности
- •30. Основные принципы современной электроники. Закон Мура.
- •31. Классификация интегральных схем (по типу сигналов на входе и выходе, по технологии изготовления, по типу используемых элементов, по назначению)..
- •32. Изготовление подложек интегральных схем.
- •33. Фотолитография. Факторы, ограничивающие минимальный топологический размер
- •34. Диффузия примесей, эпитаксия, напыление.
- •35. Устройство и изготовление интегрального мдп транзистора.
- •36. Устройство и изготовление интегрального биполярного транзистора.
- •37.Устройство и изготовление интегральных схем на комплементарных мдп транзисторах.
- •38. Пассивные элементы интегральных схем.
- •39. Роль и методы изоляции элементов интегральных схем.
- •40. Корреляция параметров элементов интегральных схем.
- •41. Особенности схемотехники цифровых интегральных схем.
- •42. Ключ на мдп транзисторах с одинаковым каналом.
- •43. Ключ на комплементарных мдп транзисторах.
- •44. Ключи интегральных схем: среднее время переключения, средняя потребляемая мощность, средняя работа переключения.
- •1. Среднее время переключения ( )
- •2. Средняя потребляемая мощность ( )
- •3. Средняя работа переключения ( )
- •45. Логические элементы не, и, или, принципы их построения.
- •46.Логические элементы на комплементарных мдп транзисторах.
- •47. Логические элементы на биполярных транзисторах (ттл элемент). Схема простейшего двухвходового ттл-элемента и-не.
- •48. Принципы построения интегральных схем запоминающих
- •49. Ячейки памяти интегральных схем запоминающих устройств
- •50. Особенности схемотехники аналоговых интегральных схем.
- •51. Генератор стабильного тока, токовое зеркало, цепь сдвига уровня.
- •52.Дифференциальный усилительный каскад. Дифференциальная и синфазная составляющие входного сигнала.
- •53. Операционный усилитель. Коэффициент усиления, входное и выходное сопротивление, частотные характеристики.
- •54.Операционный усилитель с обратной связью. Формула Блэка.
- •55. Примеры решающих схем на оу (сумматор, вычитатель, интегратор, дифференциатор, нелинейные операции).
- •56. Аналого-цифровые интегральные схемы. Ацп и цап.
- •57. Приборы с зарядовой связью. Матрицы для фототехники.
- •2. Кмоп-матрицы (cmos)
- •58. Жидкостно-кристаллические экраны.
- •59. Интегральные схемы на переключаемых конденсаторах.
58. Жидкостно-кристаллические экраны.
Принцип работы
ЖК-ячейка — это конденсатор, где диэлектрик — жидкий кристалл.
Нет напряжения: Молекулы закручены в спираль. Свет проходит через поляризаторы.
Есть напряжение: Молекулы выстраиваются по полю. Свет блокируется.
Управление (TFT)
В
современных матрицах каждым субпикселем
(
)
управляет свой МДП-транзистор.
Транзистор хранит заряд на емкости ячейки, пока сканируются остальные строки.
Это позволяет создавать экраны с миллионами пикселей без потери контрастности (активная матрица).
Основные типы в электронике
1. Сегментные: (как в калькуляторах) — дешевые, мало потребляют.
2. Матричные (TFT):
TN: Быстрые, дешевые, плохие углы обзора.
IPS: Лучшая цветопередача и углы.
VA: Лучший контраст (глубокий черный).
Параметры
Время отклика: Скорость поворота молекул (мс).
Контрастность: Отношение яркости белого к черному.
Энергопотребление: Почти всё уходит на подсветку, сами ЖК потребляют крохи.
59. Интегральные схемы на переключаемых конденсаторах.
Схемы на переключаемых конденсаторах (СК-схемы или Switched-Capacitor) — это метод реализации аналоговых узлов (фильтров, АЦП) в составе КМДП-интегральных схем без использования громоздких резисторов.
Суть метода
В
микросхемах трудно изготовить резистор
с большим сопротивлением и высокой
точностью. Вместо него используют
конденсатор,
который быстро переключается между
двумя точками схемы с помощью
МДП-ключей.
При высокой частоте
переключения
такой узел ведет себя как резистор с
эквивалентным сопротивлением:
Устройство и работа
Типовой блок состоит из:
1. Конденсатора (обычно на основе поликремния).
2.
Двух
МДП-ключей
(
),
управляемых неперекрывающимися фазами
тактового сигнала (
).
Фаза 1:
замкнут,
разомкнут. Конденсатор заряжается до
входного напряжения
.Фаза 2: разомкнут, замкнут. Заряд передается на выход (в следующую часть схемы).
Преимущества в ИС
Замена резисторов: Позволяет реализовать сопротивления в десятки МОм на крошечной площади.
Точность: Параметры схемы зависят не от абсолютных значений емкостей (которые «плавают» при производстве), а от их отношения (
),
которое в ИС выдерживается очень точно
(до 0,1%).Перестраиваемость: Характеристики схемы (например, частоту среза фильтра) можно менять, просто изменяя частоту тактового генератора .
Применение
Активные фильтры: Основа большинства интегрированных фильтров звуковых частот.
АЦП последовательного приближения: Для формирования эталонных напряжений.
Преобразователи напряжения: Инверторы и удвоители (Charge Pump).
