- •Электрические свойства веществ. Полупроводники. Подвижные носители заряда в полупроводниках. Неподвижные заряды.
- •2. Энергетические диаграммы собственного и примесного полупроводника.
- •3. Электропроводность собственного и примесного полупроводника. Зависимость электропроводности от температуры
- •Электропроводность собственного полупроводника
- •Электропроводность примесного (легированного) полупроводника
- •4.Концентрация носителей заряда в собственном и примесном полупроводнике.
- •19.Мдп транзистор с плавающим затвором.
- •5. Диффузионный и дрейфовый ток
- •6.Контакты и структуры, используемые в электронике. M-n переход, p-n переход, мдп структура, n-p-n и p-n-p структуры.
- •7.Контактная разность потенциалов, токи в контактах веществ в отсутствие внешнего напряжения. Равновесное состояние.
- •8.Барьерная и диффузионная ёмкость.
- •9. Электрический и тепловой пробой в контактах и структурах.
- •10. Контакт металл-полупроводник. Диоды Шотки
- •11. Контакт р- и n- полупроводников (p-n переход). Равновесное состояние.
- •13. Идеализированная и реальная вольтамперная характеристика m-n и p-n диодов.
- •13. Мощный выпрямительный диод, импульсные и высокочастотные диоды, стабилитрон, варикап. Свето- и фотодиоды. Солнечные батареи.
- •15. Влияние выбора типа полупроводника, размеров, концентрации примесей и температуры на свойства диодов.
- •16. Свойства мдп структуры. Пороговое напряжение.
- •17. Мдп транзисторы с индуцированным и встроенным каналом.
- •18. Статические характеристики мдп транзисторов. Параметры мдп-транзисторов: пороговое напряжение, удельная крутизна, паразитные ёмкости:
- •19. Мдп транзистор с плавающим затвором. Арсенид-галлиевый полевой транзистор:
- •20. Биполярный транзистор. Схемы включения. Режимы
- •21.Схема с общей базой, схема с общим эмиттером. Соотношения токов, параметры и статические характеристики.
- •22. Инерционные свойства мдп и биполярных транзисторов. Уменьшение инерционности: выбор типа полупроводника и размеров структур.
- •23. Импульсные свойства мдп и биполярных транзисторов. Временные диаграммы.
- •24. Частотные свойства мдп и биполярных транзисторов. Частотные характеристики.
- •25. Контакт проводник – вакуум. Термоэлектронная эмиссия. Электронные лампы.
- •26. Шумы электронных приборов.
- •27. Компьютерное моделирование диодов и транзисторов
- •1. Уровни моделирования
- •2. Моделирование диодов
- •3. Моделирование биполярных транзисторов
- •4. Моделирование мдп-транзисторов
- •5. Преимущества моделирования
- •28. Основные задачи электроники. Интегральные схемы. Наноэлектроника
- •29. Основные понятия и числовые характеристики надёжности
- •30. Основные принципы современной электроники. Закон Мура.
- •31. Классификация интегральных схем (по типу сигналов на входе и выходе, по технологии изготовления, по типу используемых элементов, по назначению)..
- •32. Изготовление подложек интегральных схем.
- •33. Фотолитография. Факторы, ограничивающие минимальный топологический размер
- •34. Диффузия примесей, эпитаксия, напыление.
- •35. Устройство и изготовление интегрального мдп транзистора.
- •36. Устройство и изготовление интегрального биполярного транзистора.
- •37.Устройство и изготовление интегральных схем на комплементарных мдп транзисторах.
- •38. Пассивные элементы интегральных схем.
- •39. Роль и методы изоляции элементов интегральных схем.
- •40. Корреляция параметров элементов интегральных схем.
- •41. Особенности схемотехники цифровых интегральных схем.
- •42. Ключ на мдп транзисторах с одинаковым каналом.
- •43. Ключ на комплементарных мдп транзисторах.
- •44. Ключи интегральных схем: среднее время переключения, средняя потребляемая мощность, средняя работа переключения.
- •1. Среднее время переключения ( )
- •2. Средняя потребляемая мощность ( )
- •3. Средняя работа переключения ( )
- •45. Логические элементы не, и, или, принципы их построения.
- •46.Логические элементы на комплементарных мдп транзисторах.
- •47. Логические элементы на биполярных транзисторах (ттл элемент). Схема простейшего двухвходового ттл-элемента и-не.
- •48. Принципы построения интегральных схем запоминающих
- •49. Ячейки памяти интегральных схем запоминающих устройств
- •50. Особенности схемотехники аналоговых интегральных схем.
- •51. Генератор стабильного тока, токовое зеркало, цепь сдвига уровня.
- •52.Дифференциальный усилительный каскад. Дифференциальная и синфазная составляющие входного сигнала.
- •53. Операционный усилитель. Коэффициент усиления, входное и выходное сопротивление, частотные характеристики.
- •54.Операционный усилитель с обратной связью. Формула Блэка.
- •55. Примеры решающих схем на оу (сумматор, вычитатель, интегратор, дифференциатор, нелинейные операции).
- •56. Аналого-цифровые интегральные схемы. Ацп и цап.
- •57. Приборы с зарядовой связью. Матрицы для фототехники.
- •2. Кмоп-матрицы (cmos)
- •58. Жидкостно-кристаллические экраны.
- •59. Интегральные схемы на переключаемых конденсаторах.
29. Основные понятия и числовые характеристики надёжности
Надёжность — это свойство изделия сохранять во времени способность выполнять требуемые функции в заданных режимах и условиях применения.
Основные понятия:
Отказ — событие, заключающееся в нарушении работоспособного состояния изделия.
Наработка — продолжительность или объем работы изделия (измеряется в часах, циклах и т.д.).
Внезапный отказ — характеризуется скачкообразным изменением параметров (пробой диода).
Постепенный отказ — связан со старением и износом (деградация коэффициента усиления).
Числовые характеристики:
1.
Вероятность
безотказной работы
:
Вероятность
того, что в пределах заданной наработки
отказ не возникнет:
где
— общее число изделий,
— число отказавших изделий к моменту
.
2.
Вероятность
отказа
:
3.
Интенсивность
отказов
:
Отношение
числа отказавших изделий в единицу
времени к числу исправно работающих:
Для
большинства электронных приборов
зависимость
имеет вид «U-образной кривой» (периоды
приработки, нормальной эксплуатации и
износа).
4.
Средняя
наработка до отказа
:
Математическое
ожидание наработки изделия до первого
отказа. При постоянной интенсивности
отказов (
):
30. Основные принципы современной электроники. Закон Мура.
Основные принципы современной электроники
1. Миниатюризация: уменьшение физических размеров активных элементов (транзисторов) для повышения плотности их размещения на кристалле. Это снижает паразитную емкость и сокращает пути прохождения сигналов.
2. Интеграция: переход от дискретных компонентов к интегральным схемам (ИС), где миллиарды элементов изготавливаются в едином технологическом цикле на одной подложке.
3. Цифровизация: представление и обработка информации в двоичном виде, что обеспечивает высокую помехоустойчивость и возможность реализации сложных логических алгоритмов.
4.
Энергоэффективность:
снижение рабочего напряжения питания
и токов утечки для уменьшения удельной
рассеиваемой мощности (
).
5. Групповая технология: одновременное изготовление сотен идентичных микросхем на одной кремниевой пластине методами фотолитографии, ионной имплантации и напыления.
Закон Мура
Закон Мура — эмпирическое наблюдение, сделанное сооснователем Intel Гордоном Муром в 1965 году.
Классическая формулировка: количество транзисторов, размещаемых на кристалле интегральной схемы, удваивается каждые 24 месяца (позднее уточнение — каждые 18–24 месяца).
Экономический аспект: удвоение сложности схем происходит при сохранении или незначительном росте стоимости производства кристалла, что ведет к постоянному снижению стоимости функции (одного транзистора).
Следствия: экспоненциальный рост производительности процессоров и емкости модулей памяти.
Физические пределы: на современном этапе (техпроцессы 2–5 нм) соблюдение закона затруднено из-за квантовых эффектов (туннелирование через затвор), трудностей теплоотвода и достижения атомарных размеров слоев.
