- •Электрические свойства веществ. Полупроводники. Подвижные носители заряда в полупроводниках. Неподвижные заряды.
- •2. Энергетические диаграммы собственного и примесного полупроводника.
- •3. Электропроводность собственного и примесного полупроводника. Зависимость электропроводности от температуры
- •Электропроводность собственного полупроводника
- •Электропроводность примесного (легированного) полупроводника
- •4.Концентрация носителей заряда в собственном и примесном полупроводнике.
- •19.Мдп транзистор с плавающим затвором.
- •5. Диффузионный и дрейфовый ток
- •6.Контакты и структуры, используемые в электронике. M-n переход, p-n переход, мдп структура, n-p-n и p-n-p структуры.
- •7.Контактная разность потенциалов, токи в контактах веществ в отсутствие внешнего напряжения. Равновесное состояние.
- •8.Барьерная и диффузионная ёмкость.
- •9. Электрический и тепловой пробой в контактах и структурах.
- •10. Контакт металл-полупроводник. Диоды Шотки
- •11. Контакт р- и n- полупроводников (p-n переход). Равновесное состояние.
- •13. Идеализированная и реальная вольтамперная характеристика m-n и p-n диодов.
- •13. Мощный выпрямительный диод, импульсные и высокочастотные диоды, стабилитрон, варикап. Свето- и фотодиоды. Солнечные батареи.
- •15. Влияние выбора типа полупроводника, размеров, концентрации примесей и температуры на свойства диодов.
- •16. Свойства мдп структуры. Пороговое напряжение.
- •17. Мдп транзисторы с индуцированным и встроенным каналом.
- •18. Статические характеристики мдп транзисторов. Параметры мдп-транзисторов: пороговое напряжение, удельная крутизна, паразитные ёмкости:
- •19. Мдп транзистор с плавающим затвором. Арсенид-галлиевый полевой транзистор:
- •20. Биполярный транзистор. Схемы включения. Режимы
- •21.Схема с общей базой, схема с общим эмиттером. Соотношения токов, параметры и статические характеристики.
- •22. Инерционные свойства мдп и биполярных транзисторов. Уменьшение инерционности: выбор типа полупроводника и размеров структур.
- •23. Импульсные свойства мдп и биполярных транзисторов. Временные диаграммы.
- •24. Частотные свойства мдп и биполярных транзисторов. Частотные характеристики.
- •25. Контакт проводник – вакуум. Термоэлектронная эмиссия. Электронные лампы.
- •26. Шумы электронных приборов.
- •27. Компьютерное моделирование диодов и транзисторов
- •1. Уровни моделирования
- •2. Моделирование диодов
- •3. Моделирование биполярных транзисторов
- •4. Моделирование мдп-транзисторов
- •5. Преимущества моделирования
- •28. Основные задачи электроники. Интегральные схемы. Наноэлектроника
- •29. Основные понятия и числовые характеристики надёжности
- •30. Основные принципы современной электроники. Закон Мура.
- •31. Классификация интегральных схем (по типу сигналов на входе и выходе, по технологии изготовления, по типу используемых элементов, по назначению)..
- •32. Изготовление подложек интегральных схем.
- •33. Фотолитография. Факторы, ограничивающие минимальный топологический размер
- •34. Диффузия примесей, эпитаксия, напыление.
- •35. Устройство и изготовление интегрального мдп транзистора.
- •36. Устройство и изготовление интегрального биполярного транзистора.
- •37.Устройство и изготовление интегральных схем на комплементарных мдп транзисторах.
- •38. Пассивные элементы интегральных схем.
- •39. Роль и методы изоляции элементов интегральных схем.
- •40. Корреляция параметров элементов интегральных схем.
- •41. Особенности схемотехники цифровых интегральных схем.
- •42. Ключ на мдп транзисторах с одинаковым каналом.
- •43. Ключ на комплементарных мдп транзисторах.
- •44. Ключи интегральных схем: среднее время переключения, средняя потребляемая мощность, средняя работа переключения.
- •1. Среднее время переключения ( )
- •2. Средняя потребляемая мощность ( )
- •3. Средняя работа переключения ( )
- •45. Логические элементы не, и, или, принципы их построения.
- •46.Логические элементы на комплементарных мдп транзисторах.
- •47. Логические элементы на биполярных транзисторах (ттл элемент). Схема простейшего двухвходового ттл-элемента и-не.
- •48. Принципы построения интегральных схем запоминающих
- •49. Ячейки памяти интегральных схем запоминающих устройств
- •50. Особенности схемотехники аналоговых интегральных схем.
- •51. Генератор стабильного тока, токовое зеркало, цепь сдвига уровня.
- •52.Дифференциальный усилительный каскад. Дифференциальная и синфазная составляющие входного сигнала.
- •53. Операционный усилитель. Коэффициент усиления, входное и выходное сопротивление, частотные характеристики.
- •54.Операционный усилитель с обратной связью. Формула Блэка.
- •55. Примеры решающих схем на оу (сумматор, вычитатель, интегратор, дифференциатор, нелинейные операции).
- •56. Аналого-цифровые интегральные схемы. Ацп и цап.
- •57. Приборы с зарядовой связью. Матрицы для фототехники.
- •2. Кмоп-матрицы (cmos)
- •58. Жидкостно-кристаллические экраны.
- •59. Интегральные схемы на переключаемых конденсаторах.
2. Средняя потребляемая мощность ( )
Потребляемая мощность ключа складывается из двух составляющих: статической и динамической.
Статическая мощность (
):
потребляется, когда ключ находится в
одном из устойчивых состояний (0 или
1). В КМДП-ключах она близка к нулю
(определяется только токами утечки). В
ключах на резистивной или активной
n-канальной нагрузке она значительна
в одном из состояний.Динамическая мощность (
):
расходуется только в моменты перехода
из одного состояния в другое на перезаряд
емкости нагрузки
.
Она прямо пропорциональна частоте
переключений
и квадрату напряжения питания
:
Средняя
потребляемая мощность определяется
как:
3. Средняя работа переключения ( )
Работа
переключения (или энергия переключения)
— это интегральный показатель,
характеризующий энергетические затраты
на одно переключение ключа. Этот параметр
является наиболее объективным критерием
качества технологии изготовления ИС,
так как он позволяет сравнивать приборы
с разным быстродействием.
Работа
переключения равна произведению средней
мощности на среднее время
переключения:
Физический
смысл и тенденции:
Чем меньше , тем совершеннее технология.
Типичные значения для современных СБИС составляют величины порядка фемтоджоулей (
Дж).Минимизация достигается за счет уменьшения геометрических размеров транзисторов (снижение ) и снижения напряжения питания .
45. Логические элементы не, и, или, принципы их построения.
Логические элементы — это базовые узлы цифровых схем, выполняющие элементарные операции алгебры логики. В современных интегральных схемах они строятся преимущественно на КМДП-транзисторах (парах - и -канальных транзисторов).
Элемент НЕ (Инвертор)
Реализует
функцию
.
Если на входе «1», на выходе «0», и наоборот.
Принцип построения: Состоит из одного -канального (верхнее плечо) и одного -канального (нижнее плечо) транзисторов.
Работа: При
нижний транзистор открыт, соединяя
выход с «землей» (
).
При
открыт верхний транзистор, соединяя
выход с питанием (
).
Элемент И-НЕ (NAND)
Базовый
элемент, так как на его основе можно
собрать любую другую логику. Функция:
.
Принцип построения:
Нижнее плечо (n-каналы): Транзисторы включены последовательно. Цепь на «землю» замкнется только тогда, когда оба входа равны «1».
Верхнее плечо (p-каналы): Транзисторы включены параллельно. Если хотя бы на одном входе «0», верхний путь к питанию открыт.
Логика: Выход равен «0» только при
и
.
Элемент ИЛИ-НЕ (NOR)
Функция:
.
Принцип построения:
Нижнее плечо (n-каналы): Транзисторы включены параллельно. Если на любом входе «1», выход соединяется с «землей».
Верхнее плечо (p-каналы): Транзисторы включены последовательно. Путь к питанию открыт только тогда, когда на обоих входах «0».
Логика: Выход равен «1» только при
и
.
Элементы И и ИЛИ
В КМДП-технологии прямые операции И и ИЛИ реализуются сложнее, поэтому их строят путем добавления инвертора (НЕ) к выходу элементов И-НЕ и ИЛИ-НЕ соответственно.
И (AND): Схема И-НЕ + Инвертор.
.ИЛИ (OR): Схема ИЛИ-НЕ + Инвертор.
.
Общие принципы построения КМДП-логики
1. Комплементарность: Для каждой группы -канальных транзисторов в нижней цепи (сеть разряда) строится дублирующая группа -канальных в верхней цепи (сеть заряда).
2. Дуальность: Если в нижней цепи транзисторы соединены последовательно, то в верхней они должны быть соединены параллельно, и наоборот.
3. Отсутствие статического тока: В любом логическом состоянии путь от питания к «земле» перекрыт одним из закрытых транзисторов.
