21.Схема с общей базой, схема с общим эмиттером. Соотношения токов, параметры и статические характеристики.

Схема с общей базой:

Здесь база – общий электрод для входной и выходной цепи

вход — эмиттер, выход — коллектор

Параметры:

Коэффициент передачи эмиттерного тока транзистора в схеме включения с общей базой α является важнейшим параметром БТ. α = Iк/Iэ, всегда меньше 1, т.к. Iк=Iэ-Iб

Коэф-т усиления по мощности:

Коэф-т инжекции:

Статические характеристики:

Входные характеристики БТ - ВАХ эмиттерного перехода. Положение входной характеристики несколько зависит от выходного напряжения Uкб. С ростом Uкб возрастает и диффузионный входной ток (эффект Эрли).

Выходные характеристики БТ в схеме с общей базой – ВАХ коллекторного перехода. Ветви смещены от нуля на значение тока, созданного за счет инжектированных из эмиттера в базу электронов. Выходные характеристики обычно изображают в виде семейства характеристик. Это позволяет графически отразить не только зависимость Iк(Uкб), но и зависимость Iк(Iэ).

Схема с общим эмиттером:

Вход – база , выход - коллектор

Входное напряжение UбЭ –это напряжение на ЭП. Входные характеристики в схеме с общим эмиттером отличаются только обратным проявлением эффекта Эрли, т.е. влиянием выходного напряжения Uкэ на входной ток Iб.

Выходной ток Iк – это ток КП. Выходное напряжение Uкэ — это напряжение на КП плюс напряжение на ЭП: Uкэ=Uкб+Uбэ. Поэтому выходные характеристики на величину Uбэ смещены вправо и целиком находятся в первом квадранте. Из-за того, что выходное напряжение частично приложено и к ЭП, выходные характеристики имеют также более значительный наклон.

22. Инерционные свойства мдп и биполярных транзисторов. Уменьшение инерционности: выбор типа полупроводника и размеров структур.

Термины инерционные или динамические свойства транзисторов подразумевают их неспособность мгновенно реагировать на появление входного сигнала.

Главной причиной инерционности любых электронных элементов является наличие в них ёмкостных или индуктивных, т.е. реактивных составляющих токов и напряжений.

В биполярном транзисторе (БТ) главным источником инерционности является накопление неосновных носителей заряда (электронов в p-базе) в её объёме. Для отключения транзистора необходимо рассосать этот избыточный заряд, что требует времени. Дополнительная задержка возникает из-за ёмкости коллекторного перехода, которая велика из-за его большой площади для обеспечения высокого допустимого напряжения.

В МДП-транзисторе главным фактором инерционности является перезарядка входной (затворной) ёмкости, образованной структурой «металл-диэлектрик-полупроводник». Большая ёмкость затвора требует значительного зарядного тока для переключения.

Чтобы уменьшить инерционность нужно выбрать полупроводник n-типа, так как электроны быстрее дырок, и уменьшить размеры структур для увеличения быстродействия

23. Импульсные свойства мдп и биполярных транзисторов. Временные диаграммы.

Импульсные свойства характеризуют скорость переключения: время задержки, нарастания, спада и рассасывания. У МДП-транзисторов переключение быстрее из-за отсутствия накопления заряда; у биполярных — медленнее из-за эффекта накопления неосновных носителей в базе.

временные диаграммы евх