- •Электрические свойства веществ. Полупроводники. Подвижные носители заряда в полупроводниках. Неподвижные заряды.
- •2. Энергетические диаграммы собственного и примесного полупроводника.
- •3. Электропроводность собственного и примесного полупроводника. Зависимость электропроводности от температуры
- •Электропроводность собственного полупроводника
- •Электропроводность примесного (легированного) полупроводника
- •4.Концентрация носителей заряда в собственном и примесном полупроводнике.
- •19.Мдп транзистор с плавающим затвором.
- •5. Диффузионный и дрейфовый ток
- •6.Контакты и структуры, используемые в электронике. M-n переход, p-n переход, мдп структура, n-p-n и p-n-p структуры.
- •7.Контактная разность потенциалов, токи в контактах веществ в отсутствие внешнего напряжения. Равновесное состояние.
- •8.Барьерная и диффузионная ёмкость.
- •9. Электрический и тепловой пробой в контактах и структурах.
- •10. Контакт металл-полупроводник. Диоды Шотки
- •11. Контакт р- и n- полупроводников (p-n переход). Равновесное состояние.
- •13. Идеализированная и реальная вольтамперная характеристика m-n и p-n диодов.
- •13. Мощный выпрямительный диод, импульсные и высокочастотные диоды, стабилитрон, варикап. Свето- и фотодиоды. Солнечные батареи.
- •15. Влияние выбора типа полупроводника, размеров, концентрации примесей и температуры на свойства диодов.
- •16. Свойства мдп структуры. Пороговое напряжение.
- •17. Мдп транзисторы с индуцированным и встроенным каналом.
- •18. Статические характеристики мдп транзисторов. Параметры мдп-транзисторов: пороговое напряжение, удельная крутизна, паразитные ёмкости:
- •19. Мдп транзистор с плавающим затвором. Арсенид-галлиевый полевой транзистор:
- •20. Биполярный транзистор. Схемы включения. Режимы
- •21.Схема с общей базой, схема с общим эмиттером. Соотношения токов, параметры и статические характеристики.
- •22. Инерционные свойства мдп и биполярных транзисторов. Уменьшение инерционности: выбор типа полупроводника и размеров структур.
- •23. Импульсные свойства мдп и биполярных транзисторов. Временные диаграммы.
- •24. Частотные свойства мдп и биполярных транзисторов. Частотные характеристики.
- •25. Контакт проводник – вакуум. Термоэлектронная эмиссия. Электронные лампы.
- •26. Шумы электронных приборов.
- •27. Компьютерное моделирование диодов и транзисторов
- •1. Уровни моделирования
- •2. Моделирование диодов
- •3. Моделирование биполярных транзисторов
- •4. Моделирование мдп-транзисторов
- •5. Преимущества моделирования
- •28. Основные задачи электроники. Интегральные схемы. Наноэлектроника
- •29. Основные понятия и числовые характеристики надёжности
- •30. Основные принципы современной электроники. Закон Мура.
- •31. Классификация интегральных схем (по типу сигналов на входе и выходе, по технологии изготовления, по типу используемых элементов, по назначению)..
- •32. Изготовление подложек интегральных схем.
- •33. Фотолитография. Факторы, ограничивающие минимальный топологический размер
- •34. Диффузия примесей, эпитаксия, напыление.
- •35. Устройство и изготовление интегрального мдп транзистора.
- •36. Устройство и изготовление интегрального биполярного транзистора.
- •37.Устройство и изготовление интегральных схем на комплементарных мдп транзисторах.
- •38. Пассивные элементы интегральных схем.
- •39. Роль и методы изоляции элементов интегральных схем.
- •40. Корреляция параметров элементов интегральных схем.
- •41. Особенности схемотехники цифровых интегральных схем.
- •42. Ключ на мдп транзисторах с одинаковым каналом.
- •43. Ключ на комплементарных мдп транзисторах.
- •44. Ключи интегральных схем: среднее время переключения, средняя потребляемая мощность, средняя работа переключения.
- •1. Среднее время переключения ( )
- •2. Средняя потребляемая мощность ( )
- •3. Средняя работа переключения ( )
- •45. Логические элементы не, и, или, принципы их построения.
- •46.Логические элементы на комплементарных мдп транзисторах.
- •47. Логические элементы на биполярных транзисторах (ттл элемент). Схема простейшего двухвходового ттл-элемента и-не.
- •48. Принципы построения интегральных схем запоминающих
- •49. Ячейки памяти интегральных схем запоминающих устройств
- •50. Особенности схемотехники аналоговых интегральных схем.
- •51. Генератор стабильного тока, токовое зеркало, цепь сдвига уровня.
- •52.Дифференциальный усилительный каскад. Дифференциальная и синфазная составляющие входного сигнала.
- •53. Операционный усилитель. Коэффициент усиления, входное и выходное сопротивление, частотные характеристики.
- •54.Операционный усилитель с обратной связью. Формула Блэка.
- •55. Примеры решающих схем на оу (сумматор, вычитатель, интегратор, дифференциатор, нелинейные операции).
- •56. Аналого-цифровые интегральные схемы. Ацп и цап.
- •57. Приборы с зарядовой связью. Матрицы для фототехники.
- •2. Кмоп-матрицы (cmos)
- •58. Жидкостно-кристаллические экраны.
- •59. Интегральные схемы на переключаемых конденсаторах.
55. Примеры решающих схем на оу (сумматор, вычитатель, интегратор, дифференциатор, нелинейные операции).
Решающие схемы — это аналоговые узлы, выполняющие математические операции над входными сигналами в реальном времени.
Классическими линейными операциями являются суммирование, вычитание, интегрирование и дифференцирование.
Сумматор складывает несколько входных сигналов с весами, которые задаются соотношениями входных резисторов и резистора обратной связи; вычитатель или дифференциальный усилитель формирует на выходе разность двух входных сигналов, что крайне полезно для подавления синфазных помех; интегратор(в цепи обратной связи которого стоит конденсатор) накапливает заряд благодаря чему его выходное напряжение представляет собой интеграл входного сигнала по времени
дифференциатор (где конденсатор стоит на входе)— реагирует на скорость изменения сигнала, выдавая на выходе напряжение, пропорциональное производной;
нелинейные операции реализуются с помощью диодов или транзисторов в цепи ОС.
56. Аналого-цифровые интегральные схемы. Ацп и цап.
АЦП преобразует аналоговый сигнал в цифровой код (методы: последовательного приближения, параллельный, сигма-дельта); ЦАП — обратное преобразование. Характеризуются разрядностью, частотой дискретизации и точностью.
57. Приборы с зарядовой связью. Матрицы для фототехники.
Приборы с зарядовой связью (ПЗЗ / CCD)
ПЗС — это полупроводниковый прибор, состоящий из расположенных в ряд или матрицу МДП-структур. Хранение и передача информации в нем осуществляются в виде порций электрического заряда (инверсионных слоев), локализованных в потенциальных ямах под затворами.
Принцип работы
1. Накопление заряда: На затвор подается напряжение, создающее глубокую потенциальную яму. Фотоны, падающие на кремний, генерируют электронно-дырочные пары. Электроны собираются в яме, причем величина накопленного заряда прямо пропорциональна освещенности.
2. Перенос заряда: При подаче последовательности тактовых импульсов на соседние затворы потенциальные ямы перемещаются вдоль структуры. Заряд «перетекает» от одного элемента к другому, как по конвейеру, к краю кристалла.
3. Считывание: В конце цепочки заряд преобразуется в напряжение с помощью выходного каскада (усилителя).
Матрицы для фототехники
В современной цифровой технике доминируют два типа светочувствительных матриц: ПЗС (CCD) и КМОП (CMOS).
1. ПЗС-матрицы (CCD)
Особенности: Заряд с каждого пикселя последовательно передается к общему выходному усилителю.
Преимущества: Высокая однородность изображения (один усилитель на всю матрицу), низкий уровень шума, широкий динамический диапазон.
Недостатки: Высокое энергопотребление, медленное считывание, эффект «блюминга» (растекание заряда при пересвете).
2. Кмоп-матрицы (cmos)
Особенности: Каждый пиксель имеет собственный преобразователь заряда в напряжение и усилитель. Чтение происходит по адресному принципу (как в оперативной памяти).
Преимущества: Низкое энергопотребление, высокая скорость (возможность серийной съемки и видео 4K/8K), отсутствие блюминга, возможность интеграции процессора обработки прямо на кристалл.
Недостатки: Большее количество шумов (из-за разброса характеристик миллионов усилителей), меньший коэффициент заполнения (часть пикселя занята электроникой).
Характеристики матриц
Разрешение: Общее количество пикселей (мегапиксели).
Физический размер: Определяет размер пикселя. Чем больше пиксель, тем выше светочувствительность и меньше шум. Популярные форматы: Full Frame (36×24 мм), APS-C, 1/2.3".
Цветофильтр Байера: Матрица сама по себе «дальтоник». Для получения цвета сверху накладывается мозаика из красных, зеленых и синих фильтров. Недостающие цвета для каждого пикселя вычисляются процессором (дебайеризация).
Обратная засветка (BSI): Технология КМОП, где слой проводников перенесен под светочувствительный слой, что увеличивает количество собираемого света.
