46.Логические элементы на комплементарных мдп транзисторах.
На двух и более КМДП-ключах легко создать функционально полную систему логических элементов, состоящую из элементов ИЛИ-НЕ и И-НЕ.
Это двухвходовый элемент И-НЕ на двух КМДП-ключах. Здесь Т1 и Т2 образуют первый КМДП-ключ, а Т3 и Т4 – второй такой ключ. Нижние, n- канальные транзисторы Т1 и Т3 этих ключей соединены последовательно. Оба они открыты только когда на оба их затвора (входа) напряжения, превышающие пороговые (единицы). От узла с потенциалом +ЕПИТ выход отключён, так как р- канальные транзисторы закрыты. Единица на выходе появится только когда один или оба n-канальных транзистора будут закрыты.
Последовательное соединение основных транзисторов ключей обеспечивает функцию И, а инверсные свойства самих ключей функцию НЕ. Поэтому рассматриваемый элемент выполняет функцию И-НЕ.
47. Логические элементы на биполярных транзисторах (ттл элемент). Схема простейшего двухвходового ттл-элемента и-не.
Большим недостатком простейшего ТТЛ-элемента является низкая нагрузочная способность (способность нормально работать при подключении к выходу входов большого числа других таких же или аналогичных элементов). С увеличением числа нагрузочных элементов сопротивление нагрузки уменьшается, а емкость нагрузки возрастает.
Его основу образует многоэмиттерный транзистор (МЭТ)- нескольких эмиттерных областей (например, двух).
Наличие нескольких эмиттеров позволяет реализовать самые разные логические функции, в том числе – основные – И, ИЛИ, НЕ и их комбинации. ТТЛ-элемент используется в цепях с цифровыми сигналами, т.е. на входах появляются сигнал "0" (напряжение низкого уровня, обычно близкое к 0 В), или сигнал "1" (напряжение высокого уровня, обычно близкое к напряжению источника питания).
Если, например, на входе xl присутствует сигнал 0 (т.е. напряжение, близкое к 0), то на первом эмиттерном переходе МЭТ действует прямое напряжение и этот переход открыт, так же если на х2 0 и при сигналах 0 на обоих входах. В любом таком случае открыт хотя бы один эмиттерный переход МЭТ. Только при подаче на оба входа МЭТ сигналов 1 напряжение на всех эмиттерных переходах МЭТ обратное, и все они заперты. В этом случае ток от плюса источника проходит через коллекторный переход МЭТ и поступает в базу Т2. Т2 открыт, напряжение на выходе ТТЛ-элемента близко к 0.
таблица истинности:
48. Принципы построения интегральных схем запоминающих
устройств:
Интегральная схема — микроэлектронное устройство — электронная схема произвольной сложности (кристалл), изготовленная на полупроводниковой подложке (пластине или плёнке) и помещённая в неразборный корпус или без такового в случае вхождения в состав микросборки.
Для создания элементов запоминающих устройств на интегральных схемах, в основном, применяют СБИС со структурой МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) на основе кремния. В качестве диэлектрика чаще всего используют оксид кремния, поэтому такие структуры обычно называют МОП (металл-оксид-полупроводник).
Также для изготовления ИС памяти используют, например, технологию КМДП, которая позволяет получить ИС памяти среднего и низкого быстродействия, но с малым энергопотреблением и высоким уровнем интеграции.