- •Электрические свойства веществ. Полупроводники. Подвижные носители заряда в полупроводниках. Неподвижные заряды.
- •2. Энергетические диаграммы собственного и примесного полупроводника.
- •3. Электропроводность собственного и примесного полупроводника. Зависимость электропроводности от температуры
- •Электропроводность собственного полупроводника
- •Электропроводность примесного (легированного) полупроводника
- •4.Концентрация носителей заряда в собственном и примесном полупроводнике.
- •19.Мдп транзистор с плавающим затвором.
- •5. Диффузионный и дрейфовый ток
- •6.Контакты и структуры, используемые в электронике. M-n переход, p-n переход, мдп структура, n-p-n и p-n-p структуры.
- •7.Контактная разность потенциалов, токи в контактах веществ в отсутствие внешнего напряжения. Равновесное состояние.
- •8.Барьерная и диффузионная ёмкость.
- •9. Электрический и тепловой пробой в контактах и структурах.
- •10. Контакт металл-полупроводник. Диоды Шотки
- •11. Контакт р- и n- полупроводников (p-n переход). Равновесное состояние.
- •13. Идеализированная и реальная вольтамперная характеристика m-n и p-n диодов.
- •13. Мощный выпрямительный диод, импульсные и высокочастотные диоды, стабилитрон, варикап. Свето- и фотодиоды. Солнечные батареи.
- •15. Влияние выбора типа полупроводника, размеров, концентрации примесей и температуры на свойства диодов.
- •16. Свойства мдп структуры. Пороговое напряжение.
- •17. Мдп транзисторы с индуцированным и встроенным каналом.
- •18. Статические характеристики мдп транзисторов. Параметры мдп-транзисторов: пороговое напряжение, удельная крутизна, паразитные ёмкости:
- •19. Мдп транзистор с плавающим затвором. Арсенид-галлиевый полевой транзистор:
- •20. Биполярный транзистор. Схемы включения. Режимы
- •21.Схема с общей базой, схема с общим эмиттером. Соотношения токов, параметры и статические характеристики.
- •22. Инерционные свойства мдп и биполярных транзисторов. Уменьшение инерционности: выбор типа полупроводника и размеров структур.
- •23. Импульсные свойства мдп и биполярных транзисторов. Временные диаграммы.
- •24. Частотные свойства мдп и биполярных транзисторов. Частотные характеристики.
- •25. Контакт проводник – вакуум. Термоэлектронная эмиссия. Электронные лампы.
- •26. Шумы электронных приборов.
- •27. Компьютерное моделирование диодов и транзисторов
- •1. Уровни моделирования
- •2. Моделирование диодов
- •3. Моделирование биполярных транзисторов
- •4. Моделирование мдп-транзисторов
- •5. Преимущества моделирования
- •28. Основные задачи электроники. Интегральные схемы. Наноэлектроника
- •29. Основные понятия и числовые характеристики надёжности
- •30. Основные принципы современной электроники. Закон Мура.
- •31. Классификация интегральных схем (по типу сигналов на входе и выходе, по технологии изготовления, по типу используемых элементов, по назначению)..
- •32. Изготовление подложек интегральных схем.
- •33. Фотолитография. Факторы, ограничивающие минимальный топологический размер
- •34. Диффузия примесей, эпитаксия, напыление.
- •35. Устройство и изготовление интегрального мдп транзистора.
- •36. Устройство и изготовление интегрального биполярного транзистора.
- •37.Устройство и изготовление интегральных схем на комплементарных мдп транзисторах.
- •38. Пассивные элементы интегральных схем.
- •39. Роль и методы изоляции элементов интегральных схем.
- •40. Корреляция параметров элементов интегральных схем.
- •41. Особенности схемотехники цифровых интегральных схем.
- •42. Ключ на мдп транзисторах с одинаковым каналом.
- •43. Ключ на комплементарных мдп транзисторах.
- •44. Ключи интегральных схем: среднее время переключения, средняя потребляемая мощность, средняя работа переключения.
- •1. Среднее время переключения ( )
- •2. Средняя потребляемая мощность ( )
- •3. Средняя работа переключения ( )
- •45. Логические элементы не, и, или, принципы их построения.
- •46.Логические элементы на комплементарных мдп транзисторах.
- •47. Логические элементы на биполярных транзисторах (ттл элемент). Схема простейшего двухвходового ттл-элемента и-не.
- •48. Принципы построения интегральных схем запоминающих
- •49. Ячейки памяти интегральных схем запоминающих устройств
- •50. Особенности схемотехники аналоговых интегральных схем.
- •51. Генератор стабильного тока, токовое зеркало, цепь сдвига уровня.
- •52.Дифференциальный усилительный каскад. Дифференциальная и синфазная составляющие входного сигнала.
- •53. Операционный усилитель. Коэффициент усиления, входное и выходное сопротивление, частотные характеристики.
- •54.Операционный усилитель с обратной связью. Формула Блэка.
- •55. Примеры решающих схем на оу (сумматор, вычитатель, интегратор, дифференциатор, нелинейные операции).
- •56. Аналого-цифровые интегральные схемы. Ацп и цап.
- •57. Приборы с зарядовой связью. Матрицы для фототехники.
- •2. Кмоп-матрицы (cmos)
- •58. Жидкостно-кристаллические экраны.
- •59. Интегральные схемы на переключаемых конденсаторах.
43. Ключ на комплементарных мдп транзисторах.
Ключ на комплементарных МДП-транзисторах (КМДП или CMOS) состоит из пары транзисторов с каналами разного типа проводимости: n-канального (нижнее плечо) и p-канального (верхнее плечо), затворы которых объединены. Схема и принцип работы Исток p-канального транзистора (VT1) подключен к плюсу питания ( ), а исток n-канального (VT2) — к общему проводу («земле»). Нагрузка подключается к объединенным стокам.
Состояние «Логический 0» на входе: На затворы подано низкое напряжение (
В).n-канальный транзистор (VT2) закрыт ($U_{зи2} = 0 < U_{пор_n}$).
p-канальный транзистор (VT1) открыт, так как напряжение на его затворе относительно истока отрицательно и больше порогового (
).Выход: Ток течет от источника питания через открытый VT1 в нагрузку. На выходе напряжение, близкое к (логическая 1).
Состояние «Логическая 1» на входе: На затворы подано высокое напряжение ( ).
p-канальный транзистор (VT1) закрыт (
).n-канальный транзистор (VT2) открыт ($U_{зи2} = E_п > U_{пор_n}$).
Выход: Нагрузка соединяется с «землей» через открытый VT2. На выходе напряжение, близкое к (логический 0). Энергопотребление Главная особенность КМДП-ключа — нулевое потребление тока в статическом состоянии (без учета малых токов утечки). В любом из двух состояний один из транзисторов всегда закрыт, и цепь от источника питания к земле разомкнута. Мощность расходуется только в моменты переключения (динамическая мощность) на:
1. Перезаряд емкости нагрузки и паразитных емкостей затворов.
2. «Сквозной ток», возникающий на короткий промежуток времени, когда оба транзистора приоткрыты при смене уровней напряжения. Характеристики
Полноразмахный выход: Выходное напряжение практически равно или , что обеспечивает высокую помехоустойчивость.
Высокое входное сопротивление: Обусловлено изолированными затворами МДП-структур.
Помехоустойчивость: Порог переключения обычно находится на уровне
.
Быстродействие
Ограничено
временем заряда и разряда емкости
нагрузки (
)
через сопротивления открытых каналов
транзисторов (
и
).
Постоянная времени переключения
.
44. Ключи интегральных схем: среднее время переключения, средняя потребляемая мощность, средняя работа переключения.
Для оценки эффективности ключей в интегральных схемах (ИС) используются три основных взаимосвязанных параметра: среднее время переключения, средняя потребляемая мощность и средняя работа переключения.
1. Среднее время переключения ( )
Этот
параметр определяет быстродействие
ключа. Оно складывается из времени
задержки включения и выключения, которые
обусловлены процессами заряда и разряда
паразитных емкостей (емкости затвора,
стока, нагрузки и соединительных
линий).
Среднее время переключения
рассчитывается как среднее арифметическое
времени включения (
)
и времени выключения (
):
В
реальных ИС
зависит от сопротивления каналов
транзисторов и суммарной емкости узла
:
