- •Электрические свойства веществ. Полупроводники. Подвижные носители заряда в полупроводниках. Неподвижные заряды.
- •2. Энергетические диаграммы собственного и примесного полупроводника.
- •3. Электропроводность собственного и примесного полупроводника. Зависимость электропроводности от температуры
- •Электропроводность собственного полупроводника
- •Электропроводность примесного (легированного) полупроводника
- •4.Концентрация носителей заряда в собственном и примесном полупроводнике.
- •19.Мдп транзистор с плавающим затвором.
- •5. Диффузионный и дрейфовый ток
- •6.Контакты и структуры, используемые в электронике. M-n переход, p-n переход, мдп структура, n-p-n и p-n-p структуры.
- •7.Контактная разность потенциалов, токи в контактах веществ в отсутствие внешнего напряжения. Равновесное состояние.
- •8.Барьерная и диффузионная ёмкость.
- •9. Электрический и тепловой пробой в контактах и структурах.
- •10. Контакт металл-полупроводник. Диоды Шотки
- •11. Контакт р- и n- полупроводников (p-n переход). Равновесное состояние.
- •13. Идеализированная и реальная вольтамперная характеристика m-n и p-n диодов.
- •13. Мощный выпрямительный диод, импульсные и высокочастотные диоды, стабилитрон, варикап. Свето- и фотодиоды. Солнечные батареи.
- •15. Влияние выбора типа полупроводника, размеров, концентрации примесей и температуры на свойства диодов.
- •16. Свойства мдп структуры. Пороговое напряжение.
- •17. Мдп транзисторы с индуцированным и встроенным каналом.
- •18. Статические характеристики мдп транзисторов. Параметры мдп-транзисторов: пороговое напряжение, удельная крутизна, паразитные ёмкости:
- •19. Мдп транзистор с плавающим затвором. Арсенид-галлиевый полевой транзистор:
- •20. Биполярный транзистор. Схемы включения. Режимы
- •21.Схема с общей базой, схема с общим эмиттером. Соотношения токов, параметры и статические характеристики.
- •22. Инерционные свойства мдп и биполярных транзисторов. Уменьшение инерционности: выбор типа полупроводника и размеров структур.
- •23. Импульсные свойства мдп и биполярных транзисторов. Временные диаграммы.
- •24. Частотные свойства мдп и биполярных транзисторов. Частотные характеристики.
- •25. Контакт проводник – вакуум. Термоэлектронная эмиссия. Электронные лампы.
- •26. Шумы электронных приборов.
- •27. Компьютерное моделирование диодов и транзисторов
- •1. Уровни моделирования
- •2. Моделирование диодов
- •3. Моделирование биполярных транзисторов
- •4. Моделирование мдп-транзисторов
- •5. Преимущества моделирования
- •28. Основные задачи электроники. Интегральные схемы. Наноэлектроника
- •29. Основные понятия и числовые характеристики надёжности
- •30. Основные принципы современной электроники. Закон Мура.
- •31. Классификация интегральных схем (по типу сигналов на входе и выходе, по технологии изготовления, по типу используемых элементов, по назначению)..
- •32. Изготовление подложек интегральных схем.
- •33. Фотолитография. Факторы, ограничивающие минимальный топологический размер
- •34. Диффузия примесей, эпитаксия, напыление.
- •35. Устройство и изготовление интегрального мдп транзистора.
- •36. Устройство и изготовление интегрального биполярного транзистора.
- •37.Устройство и изготовление интегральных схем на комплементарных мдп транзисторах.
- •38. Пассивные элементы интегральных схем.
- •39. Роль и методы изоляции элементов интегральных схем.
- •40. Корреляция параметров элементов интегральных схем.
- •41. Особенности схемотехники цифровых интегральных схем.
- •42. Ключ на мдп транзисторах с одинаковым каналом.
- •43. Ключ на комплементарных мдп транзисторах.
- •44. Ключи интегральных схем: среднее время переключения, средняя потребляемая мощность, средняя работа переключения.
- •1. Среднее время переключения ( )
- •2. Средняя потребляемая мощность ( )
- •3. Средняя работа переключения ( )
- •45. Логические элементы не, и, или, принципы их построения.
- •46.Логические элементы на комплементарных мдп транзисторах.
- •47. Логические элементы на биполярных транзисторах (ттл элемент). Схема простейшего двухвходового ттл-элемента и-не.
- •48. Принципы построения интегральных схем запоминающих
- •49. Ячейки памяти интегральных схем запоминающих устройств
- •50. Особенности схемотехники аналоговых интегральных схем.
- •51. Генератор стабильного тока, токовое зеркало, цепь сдвига уровня.
- •52.Дифференциальный усилительный каскад. Дифференциальная и синфазная составляющие входного сигнала.
- •53. Операционный усилитель. Коэффициент усиления, входное и выходное сопротивление, частотные характеристики.
- •54.Операционный усилитель с обратной связью. Формула Блэка.
- •55. Примеры решающих схем на оу (сумматор, вычитатель, интегратор, дифференциатор, нелинейные операции).
- •56. Аналого-цифровые интегральные схемы. Ацп и цап.
- •57. Приборы с зарядовой связью. Матрицы для фототехники.
- •2. Кмоп-матрицы (cmos)
- •58. Жидкостно-кристаллические экраны.
- •59. Интегральные схемы на переключаемых конденсаторах.
Электрические свойства веществ. Полупроводники. Подвижные носители заряда в полупроводниках. Неподвижные заряды.
По электрическим свойствам все вещества делятся на три большие группы:
1. Проводники (металлы). Обладают высокой концентрацией свободных (подвижных) носителей заряда — электронов. Это обеспечивает высокую электропроводность.
2. Диэлектрики (изоляторы). Практически не содержат свободных носителей заряда, поэтому их электропроводность ничтожна.
3. Полупроводники. Занимают промежуточное положение по электропроводности. Их ключевое свойство — способность изменять концентрацию подвижных носителей под влиянием температуры и введения примесей.
В полупроводниках существует два типа подвижных носителей, чье направленное движение и создает электрический ток:
1. Свободные электроны (носители n-типа, отрицательные)- образуются при разрыве ковалентной связи (Этот процесс называется генерацией), может перемещаться по кристаллу.
2. Дырки (носители p-типа, положительные) - Место, покинутое электроном в ковалентной связи, представляет собой нескомпенсированный положительный заряд и называется дыркой. Дырка может перемещаться: другой электрон занимает пустое место -> дырка «появляется» на новом месте.
неподвижные заряды — это ионизированные атомы, преимущественно примесей.
-Атом донорной примеси (например, фосфор в кремнии), отдавший электрон, становится положительным ионом.
-Атом акцепторной примеси (например, бор в кремнии), захвативший электрон, становится отрицательным ионом.
Их роль:
1. Обеспечение электронейтральности: Суммарный заряд всех подвижных носителей в объеме кристалла компенсируется суммарным зарядом этих неподвижных ионов.
2. Создание внутреннего электрического поля, которое является основой работы диодов, транзисторов и других полупроводниковых приборов. Сами ионы не могут перемещаться и создавать ток, но их поле управляет движением подвижных носителей.
2. Энергетические диаграммы собственного и примесного полупроводника.
Собственные полупроводники –
полупроводники,
состоящие из атомов о
дного
вещества.
При температуре, близкой к абсолютному нулю, все энергетические уровни в валентной зоне полностью заполнены электронами, а в зоне проводимости — свободны (рис.а).
Распределение носителей зарядов зависят от температуры и ширины запрещенной зоны. Температура влияет на величину энергии электрона, а ширина запрещенной зоны — на вероятность перехода электронов в зону
Примесные полупроводники - это полупроводники, содержащие атомы примесей. Примесные полупроводники бывают двух типов – донорные и акцепторные. Донорные полупроводники - полупроводники легко отдающие электроны. Акцепторные полупроводники – полупроводники, у которых не хватает электронов для образования связей в решетке.
Донорные
полупроводники (n-тип). Здесь образование
свободного электрона не сопровождается
образованием дырки. Имеется только один
вид носителей тока –
электрон
Донорные Акцепторные
В полупроводнике, который содержит акцепторную примесь, примеси искажают решетки. Это приводит к возникновению примесных уровней, расположенных в запрещенной зоне. В данной ситуации дырки -основные носители заряда, электроны - неосновные (p-тип).
