Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Транзисторы

..pdf
Скачиваний:
9
Добавлен:
13.11.2023
Размер:
25.57 Mб
Скачать

с

--- —- -г---. ■

■. г- —:

Определение

Постоянный ток коллектора в режиме на­ сыщения при /сн=2

Импульсный ток коллектора в режимах усиления и насыщения при £и<200л<се/с

и Q > 3/2

Постоянный ток базы в режиме усиления

Постоянный ток коллектора в режиме уси­ ления при U и=10 в и Гс = + 100°С

3. НАПРЯЖЕНИЯ (в)

при температуре окружающей среды

Определение

Напряжение

коллектор — база при хх

в

цепи эмиттера

 

Напряжение

коллектор — эмиттер при

кз

в цепи эмиттер — база

 

Напряжение коллектор — эмиттер заперто­

го транзистора

 

 

Напряжение

коллектор — эмиттер

при

со­

противлении в цепи базы /?б=5Ю

ом

(при tu

500 мксек)

 

 

Напряжение

эмиттер — база при

хх в це­

пи коллектора

Продолжение

Обозна­ чение Величина

Г7Г7

тп ИИ

m ^кМ ш

тп ш

тп

3,5

о

Гс = —20 + 100° С

Обозна­ чение Величина

^кбо 180

^кэк 160

^кэз 11801

^кэ R м

|160|

^эбо ЦТ

Напряжение эмиттер — база

при хх в це­

1- 1

пи коллектора и tn •< 40

мксек

£/эбо

//. Н а ч а л ь н ы е т о к и ( м а )

при температуре окружающей среды Тс = + 2 0 ± 5 в С

 

 

 

 

 

 

Обозна­

Величина

 

 

Определение

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

 

Ток

коллекторного

перехода

при

хх

 

 

10

в

цепи эмиттера

и UH6 = 160

в

^кбо

1

Ток

коллекторного

перехода

при

 

 

]б0|

UR9*=m в\ /?с = 10 ом

 

 

Л<э#

То же, при Т с = + 100° С

 

 

^кэ R

ш

Ток коллекторного перехода при кз

 

 

 

выводов база эмиттер и

Uttэ =

 

1

14

= 160 в

 

 

 

Л<эк

Ток

коллекторного

перехода

запер­

 

 

 

того

транзистора

при Ul{a=\80 в\

 

 

10

£/обв

1 в

 

 

 

ЛсЭЗ

1

Ток эмиттерного перехода при хх в

 

2,5

 

цепи

коллектора

и U0б = 5

в

 

^эбо

11001

 

 

/// .

У с и л и т е л ь н ы е

п а р а м е т р ы

 

 

 

 

1. ПАРАМЕТРЫ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ

 

 

 

 

 

при 7 ' ° = + 2 0 ± 5 ° С ;

 

 

 

 

 

Нкs=s 10

в\ /к = 1 Q

 

 

 

 

 

 

 

 

Обозна­

Величина

 

 

Определение

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

 

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

Предельная частота усиления по то­

 

1201

45

ку в схеме с общим эмиттером

Модуль

коэффициента передачи

то­

 

 

4,5

ка

на /= 10 Мгц

 

 

 

1^21Э I /

ш

2. ПАРАМЕТРЫ БОЛЬШОГО СИГНАЛА

 

 

 

 

Обо-

Един.

Величина

Режим измерений

Определение

 

 

 

 

о

значе­

 

 

иК

 

макс.

Гс

 

ние

И З М .

М И Н .

 

 

 

 

 

в

а

°С

Коэффициент

передачи

_

 

 

тока

Л21Э

пш

35

 

То же

Л2

15

То же

Л21Э

М

1 0

2

+ 2 0

1 0

2

+ 1 0 0

10

2

- 5 5

IV. П а р а м е т р ы п е р е к л ю ч е н и я

при Т°с = +20±5° С

 

Обо­

Един.

Величина

Режим

измерений

Определение

 

 

 

 

о

значе­

 

 

мин.

макс.

Гс

 

ние

изм.

 

 

 

 

 

а

а

•с

Напряжение

коллек­

тор — эмиттер

в ре­

жиме насыщения

Напряжение

база —

эмиттер в режиме на­ сыщения

U кэн

в

1

12.51

0.5

5

+ 20

U бэп

в

1

Ш

0.5

5

+20

ТРАНЗИСТОР КТ805 Б

ПАРАМЕТРЫ

при температуре окружающей среды Тс *=+20±5° С

 

 

Обо­

Един.

Величина

Определение

 

 

 

 

значе­

изм.

 

макс.

 

 

ние

 

 

Максимально допустимое напряжение

 

 

 

коллектор — база при

хх в

цепи

 

 

135

эмиттера

 

^кбо

в

 

Максимально допустимое напряжение

 

 

 

коллектор— эмиттер

при

fu <

 

 

 

<500 мксек

 

UК 9 К

в

135

Продолжение

Величина

Определение

Обозна­

Един.

чение

изм.

мин. макс.

Максимально допустимое напряжение

коллектор — эмиттер

запертого

транзистора

при

tu

15

мксек

^кэз

Максимально допустимое напряжение

коллектор — эмиттер при

 

R<>=

= 10 ом

и

£и= 500

мксек

 

 

 

Ток

коллекторного

перехода

при

хх

в

цепи эмиттера

и

UHб = 135

в

^кбо

Ток

коллекторного

перехода

при

[/Кэ=135

в,

= 10 ом

 

 

 

Лсэ /г

То же, при

Т ° = 4- 100е С

 

 

 

/?

Ток коллекторного перехода при кз

выводов

база — эмиттер

и UKэ=

= 135 в

 

 

 

 

 

 

 

^кэк

Ток

коллекторного

перехода

запер­

того транзистора при £/кэ= 135 в%

Uэ(> = 1 в

 

 

 

 

 

 

 

Лоз

Ток эмиттерного перехода при хх в

цепи коллектора

и

U0б = 5

в

 

/ эбо

Напряжение

коллектор — эмиттер

в

режиме

насыщения

при

= 5 .о,

/ 6 = 0,5 а

 

 

 

 

 

 

 

и кэи

в11351

в— 11351

ма 1 10

ма ш

ма щ

ма 1 14

ма 1 10

ма 2.5 1tool

в ш

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор — эмиттер транзисторов КТ805А, КТ805Б от величины свпротивленн в цени базы при различных значениях (даны нижние границы 80-процентного разброса)

h 2 1 3

Зависимость коэффициента передачи тока транзисторов КТ805А, КТ805Б от темпе* ратуры окружающей среды

Приложение

Транзисторы малой мощности (до 200 мет)

 

 

Тип транзистора

 

/ т, Мги,

Р т, мат

"кбо- "

МП115

 

 

 

 

0,06

150

30

МП114

 

 

 

 

0,06

150

60

МП38, МП38А

 

 

0.125

150

15

П5А, П5Б, П5В, П5Г, П5Д, П5Е

0.2

25.

10

ГТ108А

 

 

 

 

0.3

75

10

МП39, МП39Б

 

 

0,3

150

10

МП35

 

 

 

 

0,3

150

15

МП116

 

 

 

 

0,3

150

30

МП111А,

МП112

 

 

0,5

150

10

МП111, МП111Б

 

 

0,5

150

20

П27, П27А

 

 

 

0.6

30

5

ГТ109А,

ГТ109Б,

ГТ109В, ГТЮ9Г

 

 

 

ГТ109Ж,

ГТ109И

 

0,6

30

10

ГТ108Б,

ГТ108В, ГТ108Г

 

0.6

75

10

МП40, МП41, МП41А

 

0.6

150

10

МП36А, МП37

 

 

0.6

150

15

МП40А

 

 

 

 

0,6

150

20

МП37А,

МП37Б

 

 

0.6

150

30

МП20

 

 

 

 

0.6

150

50

МП113, МП113А

 

 

1

150

10

ГТЮ9Д

 

 

 

 

2

30

10

П28

 

 

 

 

3

30

5

ГТЮ9Е

 

 

 

 

3

30

10

П29, П29А

 

 

 

3

30

12

П30 „

 

 

 

 

6

30

12

П401

 

 

 

 

30

100

10

ГТ309Д, ГТ309Е

 

 

40

50

10

П416

 

 

 

 

40

100

15

ГТ322В,

ГТ322Г,

ГТ322Д,

ГТ322Е

50

50

15

П504, П504А

 

 

50

150

30