книги / Транзисторы
..pdfПродолжение
|
|
|
Определение |
|
Обозначение |
Величина |
||||
Напряжение |
эмиттер — база при |
хх в це |
|
|
|
|||||
пи коллектора |
|
|
|
|
|
^эбо |
ИбТ |
|
||
Напряжение |
коллектор—эмиттер |
при /i2ic<^ |
|
|
|
|||||
< 1 |
и при Г° = +20° С |
|
|
|
U кэо |
|ю о | |
|
|||
То же, при Г °*+ 70°С |
|
|
|
^кэо |
|
|
||||
То же, при Г° = —55° С |
|
|
|
^кэо |
|90| |
|
||||
И ■: |
- =■■------ |
. |
t '■ |
II. Начальные токи (м а) |
|
|
||||
1. |
■ .. |
д= |
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
Обозначе |
|
Велитина |
|
|
|
Определение |
|
|
|
|
||||
|
|
|
ние |
мин. |
макс. |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Ток |
коллекторного |
перехода при охх |
|
|
|
|
||||
в цепи эмиттера |
1^6=*60 в и Г с = |
|
|
|
|
|||||
= —5 5 ^ + 2 0 ° С |
|
|
|
^кбо |
|
ш |
|
|||
Ток коллекторного перехода при хх |
|
|
|
|
||||||
в цепи эмиттера при |
U«6 0 = 6 0 |
в и |
|
|
|
|
||||
температуре |
Тс—+70° С |
|
Л<бо |
|
ПйП |
|||||
Ток |
коллекторного |
перехода запер |
|
|
|
|
||||
того транзистора |
при |
£/«0 = 1 0 0 |
ей |
|
|
|
|
|||
(/об = 1 »5 в |
|
|
|
|
^кэз |
— |
ш |
|
||
|
|
|
III. Усилительные параметры |
|
|
|||||
|
при температуре окружающей среды Гс—+ 20° С |
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
Величина |
Режим |
||
|
|
|
|
|
Обо |
Един. |
измерений |
|||
|
Определение |
|
|
|
||||||
|
|
значе |
нзм. |
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
ние |
|
мин. |
макс. |
/к. а |
и«> |
|
|
|
|
|
|
|
||||
Граничная |
частота уси |
кгц |
|
|
0.1 |
20 |
||||
ления по току |
|
/Л 21б |
|50] |
|
||||||
Коэффициент |
усиления |
_ |
|
|
|
|
||||
|
по току |
|
|
|
Л21э |
[Щ |
|
5 |
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
1©
Зависимость максимально допустимого тока коллектора транзисто ров ГТ701А от температуры корпуса
Транзисторы кремниевые п-р-п
диффузионные мощные П702, П702А
А. Общие и конструктивные данные
/. Основное назначение
Работа в приемной, усилительной и другой аппаратуре быто вого применения.
2. Габаритный чертеж и располож ение выводов
Вывод коллектора электрически соединен с корпусом транзис тора.
3.Конструктивные данные
Вес транзистора |
(макс.) |
33 г |
||
Высота |
корпуса |
(макс.) |
14 мм |
|
Диаметр |
корпуса |
(макс.) |
32 |
» |
Длина выводов |
(мин.) |
Ю |
* |
|
Диаметр |
выводов (мин.) |
1 |
» |
|
|
4. |
У казания по эксплуат ации |
Транзистор плотно привинчивается к теплоотводящей поверх |
||
ности при |
помощи накидного фланца. |
|
Пайка выводов |
производится паяльником мощностью 50—60 вт |
|
в течение |
не более |
10 сек. Пайка выводов допускается только к |
крючкам вывода. Необходимо осуществлять теплоотвод между кор пусом транзистора и местом пайки.
Температура плавления припоя, применяемого при пайке, не
должна превышать +250° С. |
|
|
|
|
|
||||
5. |
Устойчивость против внеш них воздействий |
|
|||||||
Диапазон температур окружающей среды |
—55 ч- +85° С |
||||||||
Атмосферное |
давление |
|
|
|
203 мм рт. сг.ч- |
||||
Относительная |
влажность |
при +40±5°С |
|
|
ч-З ати |
||||
|
|
|
98?б |
||||||
Термоциклирование в диапазоне температур |
—55 ч- +85° С |
||||||||
Постоянные ускорения |
(макс.) |
|
|
|
|
25 g |
|||
Многократные |
удары |
(макс.) |
|
|
|
|
75 g |
||
Вибрация |
в диапазоне |
частот 10-=- 600 гц |
|
|
|
7,5 g |
|||
|
|
6. Классификационные параметры |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
Величина дли |
||
Наименование параметра |
ОбозначеЕдин. |
|
транзисторов |
||||||
|
|
П702 |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
П702А |
||
Коэффициент усиления йо току в |
|
> 2 5 |
> 1 0 |
||||||
схеме с |
общим эмиттером |
Л21Э |
|||||||
Напряжение коллектор — эмиттер в |
|
в |
|
< 2 .5 |
< 4 |
||||
режиме насыщения |
|
|
U кэн |
|
|||||
|
|
7. |
Тепловые параметры |
|
|
|
|
||
|
|
Определение |
|
Обозначение |
Един. |
Величина |
|||
|
|
|
нзм. |
|
|||||
Наибольшая |
температура |
перехода |
^макс |
°с |
|
+120° |
|||
Наименьшая |
температура |
перехода |
С и |
°с |
|
|
—55° |
||
Тепловое |
сопротивление |
переход — |
|
°с |
|
|
ТззТ |
||
окружающая среда |
|
|
^пс |
вт |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 / 1 0 |
20 |
80 |
4 0 \ ч БО |
60 П ,в |
и |
1U |
" |
eu |
^ '-'кэ* |
Типовые выходные характеристики транзисторов П702, П702А |
Типовые выходные характеристики транзисторов П702, П702А |
||||||||
для схемы с общим эмиттером при 7^4^20° С |
для |
схемы с общим эмиттером |
при 7^=+85° С |
||||||
Зависимость коэффициента усиления по току на большом сигнале /*213
транзисторов П702, П702А от напряжения на коллекторе