Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Транзисторы

..pdf
Скачиваний:
13
Добавлен:
13.11.2023
Размер:
25.57 Mб
Скачать

в) ПРЕДЕЛЬНЫЕ И ГРАНИЧНЫЕ ЧАСТОТЫ

при £/к—5 в, /н —б ма

Определение

Модуль коэффициента передачи тока на частоте / —20 Мгц

Предельная частота усиления по току

Определение

Обозна­

Един.

Величина

 

 

чение

 

изм.

мин.

макс.

 

 

 

1^219 1*

 

ш

 

 

J

 

 

 

/ т

 

Мгц

40

г) ЕМКОСТИ

 

 

 

при / —5 Мгц

 

 

 

 

Величина

 

Режим

Обозна­

Един.

 

 

измерений

 

 

 

чение

изм.

 

 

 

 

 

 

 

макс.

ик,е

/к, ма

Емкость коллекторного

пф

2

 

5

.

перехода

с к

8

Постоянная времени це­

псек

100

500

5

5

пи коллектора

Емкость

эмиттерного

пф

40

2

перехода

Се

 

2. ПАРАМЕТРЫ БОЛЬШОГО СИГНАЛА

 

 

 

при £/к= 8 в,

/ к=50

ма и /=270

 

 

 

 

 

Обозна­

 

Величина

 

 

Определение

 

 

 

 

 

 

чение

мин.

макс.

 

 

 

 

Коэффициент передачи тока

при

Гс -+ 2 0 ° С

^г21Э

То же, при Г° ——60° С

^г21Э

ни

пи

Гео]

 

 

 

 

IV . П а р а м е т р ы п е р е к л ю ч е н и я

 

 

 

при

температуре

окруокающей

среды

Гс = + 2 0 ± 5 °С

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Величина

Режим

Определение

 

Обэзна-

Един.

измерений

 

ченне

изм.

мин.

макс.

1к.ма

/б, ма

 

 

 

 

 

 

 

 

Время

рассасывания

h

мксек

Ш

50

4,4

Напряжение

 

коллек­

 

 

 

 

 

 

 

тор — эмиттер

в ре­

 

 

 

 

 

 

 

жиме

насыщения

 

 

 

 

 

50

 

при к„ = 2

 

 

 

U кэн

в

0,75

\ Щ

 

Сопротивление

насыще­

 

 

ом

15

25

50

ния при /с„= 2

 

Гц

Напряжение

эмиттер —

 

 

 

 

 

 

 

база

в режиме

насы­

Ufe\\

в

10,7

10

1

щения

 

 

 

 

 

 

 

ТРАНЗИСТОР П416А

 

 

 

 

 

 

 

 

_

ПАРАМЕТРЫ

 

 

 

 

при температуре окружающей среды

+ 20±5° С

 

 

 

 

 

 

Обозна* Един.

Величина

 

 

Определение

 

 

 

 

 

чение

изм.

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент

передачи

 

 

 

 

 

 

 

тока

 

 

 

 

 

Л21б

 

0,985

0,995

Коэффициент

передачи

 

 

 

_

 

 

 

тока

 

 

 

 

 

^21Э

 

60

1 1 2 5 1

Коэффициент

передачи

 

 

 

_

щ

 

 

тока

 

 

 

 

 

^21Э

1 4 0 1

Модуль

коэффициента

 

 

 

 

 

 

 

передачи тока

на час­

 

 

 

 

тоте 20 Мгц

 

 

 

1^21Э 1

ш

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ТРАНЗИСТОР П416В

ПАРАМЕТРЫ

при температуре окружающей среды Гс = + 20±5°С

 

 

Величина

 

Определение

Обозна-

Един.

 

чение

изм.

 

 

 

мин.

макс.

Коэффициент

передачи

 

 

 

 

тока

 

 

 

Л 2 1б

0.99

0.955

Коэффициент

передачи

 

 

 

 

тока

 

 

 

^21Э

i~90~|

12501

Коэффициент

передачи

 

 

 

 

тока

 

 

 

Л21э

 

[ IOOJ

12001

Модуль

коэффициента

 

_

 

__

передачи

тока

1 ^21Э 1

Ш

Входная

проводимость:

 

 

 

 

модуль

 

1 У ПЭ 1

моим

6

12

фаза

 

 

Фив

град.

40

60

Входная

проводимость:

 

 

 

 

модуль

 

1 Упб 1

мсим

15

25

фаза

 

 

Фиб

град.

—30

—50

Крутизна

характеристи­

 

 

 

 

ки:

 

 

 

 

 

 

 

модуль

 

1У21Э 1

мсим

12

22

фаза

 

 

Ф21Э

град.

—40

—70

Выходная

 

проводи­

 

 

 

 

мость:

 

 

 

 

 

 

 

модуль

 

229 1

мсим

1,2

2.2

фаза

 

Ф22Э

град.

40

75

Зависимость коэффициента передачи тока от напряжения коллектор — эмиттер трод, зисторов П416—П416Б

ма

40

80

20

10

0

-10

иКб.в

Типовые выходные характеристики транзисторов П416—П416Б для схемы с общей базой

Зависимость предельно допустимого напряжения транзисторов П416—П416Б от со­ противления в цепи эмиттер —база

Типовые входные характеристики транзисторов П416—П416Б для схемы с общим эмиттером

Зависимость коэффициента передачи тока транзисторов П416—П416Б от тока эмит­ тера

Типовые выходные характеристики транзисторов П4!6 для схемы с общим эмит» тером

Типовой начальный участок выходных характеристик транзисторов П416 для схемы п с общим эмиттером

Типовые выходные характеристики транзисторов П416А для схемы с общим эмит­ тером

Типовые выходные характеристики транзисторов П416Б для схемы с общим эмит­ тером

Транзисторы кремниевые п-р-п

диффузионные высокочастотные П504—П505'1

А. Общие и конструктивные данные

/. Основное назначение

Усиление и генерирование сигналов высоких частот

2. Габаритный чертеж и расположение выводов

3. Конструктивные данные

Вес транзистора

(макс.)

 

2 2

Высота

корпуса

(макс.)

8 мм

Диаметр

корпуса

(макс.)

11.7

»

Длина выводов

(мин.)

35

»

Диаметр

выводов (мин).

0.5

»

4. У казания по эксплуатации

Следует учитывать возможность самовозбуждения транзистора как высокочастотного элемента с большим коэффициентом усиления.

При изгибе вывода необходимо применять специальные шаблоны.

») Транзисторы типа Г1504-П505А снимаются с производства. Рекомен­ дуется заменять их транзисторами КТ312А-КТ312В.

5. У ст о й ч и во ст ь п р о т и в вн е ш н и х в о зд е й с т в и й

Диапазон

температур

окружающей среды

—55-*- + 85°С

Атмосферное давление

 

 

 

от 2,7 • 104 доЗ-105 н/м2

Относительная

влажность

при 40±5°С

95-5-98 %

Термоциклирование в

диапазоне

температур

—5 5 8 5 °

С

Постоянное ускорение

(макс.)

 

150

g

Многократные

удары

(макс, ускор.)

150 g

Вибрация

в

диапазоне

частот

5 ч -2500 гц

 

 

(макс,

ускор.)

 

 

 

15

g

6 . К л а с с и ф и к а ц и я т р а н з и с т о р о в

Наименование параметра

Коэффициент

усиления

по току

 

 

Модуль

коэффициента

усиления

при

f=

= 20. Мгц

 

 

Напряжение

коллек­

тор — база

при

хх в

цепи

эмиттера

 

Обозначе­

Величина для транзисторов

Един.

 

 

 

ние

изм.

П504А

П505

П505А

 

П504

; А2 1э

00

+ со СЛ

20-7-80 15-7-50 30-5-150

 

 

.

 

 

 

1^219 1

-

2,5

2,5

4,7

4,7

U кбо

в

30

30

20

20

7. Т е п л о в ы е п а р а м е т р ы

 

 

Определение

Обозна­

Един.

Величина

чение

изм.

Наименьшая

температура

перехода

С н

°с

| - 5 5

|

Наибольшая

температура

перехода

Т°

°с

1+ 1 5

0 1

 

 

 

1макс.

 

 

 

Тепловое сопротивление

переход —

 

°с

foie]

окружающая среда

 

Япс

мет