Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Транзисторы

..pdf
Скачиваний:
8
Добавлен:
13.11.2023
Размер:
25.57 Mб
Скачать

Продолжение

Определение

Обозна­

 

Величина

чение

мин.

макс.

 

 

Ток

коллекторного

перехода при

_

 

Т°с = + 60° С

^кбо

Щ

Ток эмиттерного перехода при хх в

 

 

цепи коллектора и

7^ = + 20° С и

 

QQ

/эбо

ш

U

= 0,5 в

 

 

III.

У с и л и т е л ь н ы е п а р а м е т р ы

 

 

 

1 . ПАРАМЕТРЫ МАЛОГО СИГНАЛА

 

 

при температуре окружающей среды 7'°=+20°С

Определение

Предельная частота уси­ ления по току при 1э= 50 ма

Емкость коллекторного перехода

Емкость эмиттерного перехода

Постоянная времени це­ пи коллектора при / к= 50 ма

Мощность,

отдаваемая

в

нагрузку

при

/сн^ Ю дб в схеме

усилителя

класса

В с

общим эмиттером

 

 

 

Величина

Режим

Обо­

Един.

 

 

измерений

 

 

 

 

значе­

изм.

 

 

 

 

ние

 

мин.

макс.

М " . )

Мгц

 

 

 

 

 

 

в

 

Мгц

 

20

10

 

Ск

пф

80

11701

20

5

С9

пф

_

|2500|

(0.5)

г'6Ск

псек

 

17501

20

5

&ъых

вт

1

15

2

2.ПАРАМЕТРЫ БОЛЬШОГО СИГНАЛА

при Uк= 3 в, Iкe 0|5 а и /=»1 кгц

Определение

Коэффициент усиления по току при Т с = - 5 0 ° С

То же, при Г ° = + 20° С

То же, при Т°с =+60° С

Обозна­

чение

Л21Э

Л21Э

ю сЗ

Величина

мин. макс.

п ш л и 400

— 12501

 

IV. Параметры переклю чения

 

 

 

 

при температуре окружающей среды

= +20° С

 

 

 

 

 

 

Величина

Режим

 

 

Обо­

Един.

 

 

измерений

 

Определение

 

 

 

 

 

значе­

изм.

 

 

 

 

 

 

ние

 

мин.

макс.

•б

 

 

 

 

 

 

а

ма

Время

включения

при

 

_

 

 

_

UK= 20 в

^вкл

м к с е к

0.4

0.5

Время

рассасывания

 

6.0

 

при

Un=20 в

h

м к с е к

0.5

Напряжение

коллек­

тор — эмиттер

в

ре­

жиме насыщения

при

ка= 2

 

 

Напряжение

база —

эмиттер в режиме на­

сыщения при

/с0=2

^кэн

в

0,9

2

60

^бэн

в

■ 1,5

0.5 —

ТРАН ЗИ СТО Р П 601А И

/. М а к с и м а л ь н а д о п ус т и м ы е н а п р я ж е н и я

о

при температуре окружающей среды 7, с= + 2 0 ± 5 °С

 

Определение

Напряжение

коллектор — база при

хх в цепи

эмиттера

Напряжение

коллектор — эмиттер

при сопротивлении в цепи база —

эмиттер /?б = Ю0 ом

Напряжение

коллектор — эмиттер,

при котором h21б

Обозна­

Един.

Величина

чение

нзм.

 

^кбо

в

30

 

в

ш

U кэо

в

ш

//. Н а ч а л ь н ы е т о к и (м а )

при Uк=Ю в

Определение

Обозна­

 

Величина

чение

мин.

макс.

 

 

Ток

коллекторного

перехода

при хх

 

0,03

 

в

цепи эмиттера

при Г с= + 20°С

^кбо

: [ОД ]

То же, при Uк=30 в

 

^кбо

QU

То же, при Г° = +60°С

 

Лсбо

ш

 

 

 

 

 

 

 

/ // . У с и л и т е л ь н ы е п а р а м е т р ы

 

 

 

при £7К=3

в, / к = 0,5

a, f= I

кгц

 

 

Определение

 

Обозна­

Величина

 

 

 

 

 

 

чение

мин.

макс.

 

 

 

 

 

Коэффициент усиления по току при

 

 

 

 

Т°с= +20° С

 

 

h2\9

Щ

1 ю о 1

То же, при T°.= -f60°C

 

/*219

|4 0 l

1150 1

То же, при Тс = —50° С

 

h2\*

|2 0 |

iso ]

! Остальные данные, параметры и режимы намерений, не отли* чаются от данных, параметров и режимов измерении П601И..

 

 

 

 

ТРАНЗИСТОР П601БИ

 

 

 

/.

М аксимально допустимые напряж ения

 

 

 

Определение

 

Обозначе­

Един.

Величина

 

 

 

ние

изм.

Напряжение

коллектор — база

при

 

в

30

хх в цепи эмиттера

 

 

U кбо

Напряжение

коллектор — эмиттер

 

в

щ

при Ra = 100 ом

 

 

 

 

Напряжение

коллектор — эмиттер,

 

в

ню

при котором fl2l6 К

1

 

^ к э о

 

 

 

II.

Начальные токи (м а)

 

 

 

 

 

 

при

Uк=10

в

 

 

 

 

Определение

 

Обозна­

Величина

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

 

Ток

коллекторного

перехода при хх

 

0,03

|о.13|

в

цепи эмиттера

при 7'с= + 20°С

^кбо

То же, при Uк=25 в

 

 

^кбо

1.5

То же, при Г с = -|-60оС

 

^кбо

|б .0|

 

 

III.

Усилит ельные параметры

 

 

 

при

С/к= 3 в,

/к в 0,5

а и f=>1

яг**

 

 

 

Определение

 

Обозна­

Величина

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент усиления по току при

 

 

12001

Г * - +20° С

 

 

 

^21Э

|~8р]

То же, при Т°с = + 6 0 ° С

 

^219

250

То же, при

50°С

 

Л21э

Щ

100

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли* чаются от данных, параметров и режимов измерений П601И.

 

 

ТРАНЗИСТОР П602И

 

 

 

/.

М аксимально допустимые напряж ения

 

 

Определение

Обозначе­

Един.

Величина

 

ние

нзм.

Напряжение

коллектор — база

при

в

 

30

хх в цепи

эмиттера

 

У кбо

 

Напряжение

коллектор — эмиттер

 

 

 

при сопротивлении в цепи база —

в

 

щ

эмиттер /?б= 100 ом

 

 

 

Напряжение

коллектор — эмиттер,

в

 

 

При КОТОРОМ fl216 < 1

 

UКЭО

 

Щ

 

 

II. Начальные токи '(м а)

 

 

 

 

 

 

при UK= 10 в

 

 

 

 

Определение

Обозна­

Величина

 

 

 

 

 

чение

мин.

 

макс.

 

 

 

 

 

 

Ток коллекторного

перехода при

хх

0,03

 

 

в цепи эмиттера

7'с= + 20°С

^кбо

 

М

То же, при Uк=30 в

 

^кбо

 

|1 .5|

То же, при Т°с = -ЬбО°С

^ кбо

 

0

 

III. Усилительные параметры

 

 

 

при Ок~ 3 в, / к= 0,5 а и /=* 1 кгц

 

 

 

 

 

 

Обо­

Един.

Величина

 

Определение

значе­

 

 

 

изм.

мин.

макс.

 

 

 

 

ние

 

Предельная

частота

усиления

по

мгц

 

_

току при

LJкэе= 10 о, / э= 5 0 ма

Щ

Мощность,

отдаваемая

в нагрузку

 

 

 

при КхС> Ю дб в схеме усилителя

 

 

 

класса В с общим эмиттером

на

 

 

 

/= 6 Мгц

при

£/к =

15в и Г° =

вт

 

 

= +20° С

 

 

 

Р вых

1

 

Определение

Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером при

Т°с= —50° С

То же, при 7'°с= + 2 0 оС

То же, при 7’ ° = +60°С

Обо­ Един. значе­ изм. ние

>

 

to

 

Л21Э

 

to 03

Продолжение

Величина мин. макс.

Щ50

и

|Ю 0|

40 11501

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений П601И.

ТРАНЗИСТОР П602АИ

/. Начальные токи (ма)

 

 

 

при £/к=10

в

 

 

 

Определение

 

 

Обозна­

Величина

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

Ток

коллекторного

перехода

при хх

 

 

 

в

г

Г

о

г

 

 

 

цепи эмиттера

при

Гс= +20°С

Л<бо

0,03

| 0.13

То же, при =25 в

 

 

^кбо

11 .5 1

То же, при Т°с = + 60° С

 

 

^кбо

|б .0 |

 

//.

Усилительные параметры

 

 

 

при

Uк= 3

в, = 0,5 а и

/= 1 кгц

 

 

 

 

 

 

 

Об>

Един.

Величина

 

Определение

 

значе­

 

 

 

 

изм.

мин.

макс.

 

 

 

 

 

ние

 

Предельная

частота

 

усиления

по

 

Тзо]

 

току при

£/,<=10 в, /э=50

ма

Мгц

 

Мощность,

отдаваемая

в

нагрузку

 

 

 

при

10 дб в схеме усилителя

 

 

 

класса В

с общим

эмиттером

на

 

 

 

/= 6 Мгц

при £/,< = 15 в

и Т°с =

вт

 

 

= +20° С

 

 

 

 

^вых

ш

 

Продолжение

 

Обо­

Един.

Величина

Определение

значе­

 

 

изм.

мин.

макс.

 

ние

 

Коэффициент усиления по току при

 

 

 

I 200 |

т ^ + г с р с

^21э

( М

То же, при Т°с = + 6 0 ° С

Л21э

2501

То же, при Г ° = —50°С

Л21э

щ

100

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений П601И.

Iкбо» ма

Типовая, зависимость тока коллекторного перехода / Kg0 транзисторов

П601И — П602АИ1 от температуры перехода

Типовая зависимость коэффициента усиления по току на большом сигнале транзисторов Г1601И—П601АИ от тока коллектора

>(т,°)

**218 (+20°С )

10в-

т + г

и ,о:

- 0,6

jT ° !c

Типовая зависимость коэффициента усиления по току на большом сигнале транзи­ сторов П601И —П602АИ от температуры окружающей среды

, шш_______________________

■б.ма

Типовая выходная характеристика транзисторов П601АИ, П602И для схемы с общим

Типовая входная характеристика тран-

вмцттером

зисторов П601И — П602АИ для схемы

с общцм эмцттером

Типовая зависимость коэффициента усиления по току транзисторов П601И—П602АИ от частоты

Зависимость емкости коллекторного перехода транзисторов П601И — П602АИ от напряжения коллектор— база