книги / Транзисторы
..pdfЗависимость коэффициента передачи тока транзисторов ГТ30-1Л —ГТ801В на большом сигнале от тока коллектора
Зависимость обратного тока эмиттерного перехода транзисторов ГТ804А —ГГ804В от напряжения между базой и эмиттером:
----------типовая зависимость —------ границы 80-процент.юго разброса
Транзисторы кремниевые п-р-п
мощные планарные КТ805А, КТ805Б
А. Общие и конструктивные данные
/. Основное назначение
Работа в |
выходных каскадах строчной развертки телевизоров, |
|
в системах зажигания автотракторных двигателей |
и в других видах |
|
промышленной |
электронной аппаратуры широкого |
применения. |
2. Габаритный чертеж и располож ение выводов
Вывод коллектора электрически соединен с корпусом транзис тора.
3. Конструктивные данные
Вес |
транзистора |
(макс.) |
25 г |
||
Вес |
накидного фланца (макс.) |
10 * |
|||
Высота |
корпуса |
(макс.) |
12,2 |
мм |
|
Диаметр |
корпуса |
(макс.) |
2d |
» |
|
Длина выводов |
(мин.) |
11.в |
» |
||
Диаметр |
выводов (мин.) |
2,2 |
» |
||
Транзистор заключен в герметичный холодносварной корпус со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Транзистор крепится с помощью накидного фланца на тепло отводе.
4. Устойчивость против внешних воздействий
Диапазон температур окружающей среды |
—55 -г- +100° С |
|||
Относительная влажность при |
+40±2°С |
95 -ч- 98 % |
||
Термоциклирование в диапазоне температур |
—55 -4-100° С |
|||
Постоянные ускорения |
(макс.) |
|
25 g |
|
Ударные |
ускорения (макс.) |
|
75 ±20 g |
|
Вибрация |
в диапазоне |
частот |
10 -ь 600 гц |
7.5g |
Давление |
окружающей |
среды |
|
от 2,7-Ю4 до 3 • 105 н/м2 |
|
5. |
Тепловые параметры |
||
|
Определение |
|
Обозна |
Един. |
Величина |
||
|
|
чение |
изм. |
||||
Наибольшая |
температура |
перехода |
°с |
|
|
||
(кристалла) |
|
|
^макс |
1 + 1 5 0 | |
|||
Наименьшая |
температура |
перехода |
°с |
1—5 5 1 |
|||
(кристалла) |
|
|
^мин |
||||
Тепловое |
сопротивление |
переход — |
X |
|
|
||
корпус |
|
|
|
7?пк |
вт |
|
Ш |
Тепловое |
сопротивление |
переход — |
°с |
|
30 |
||
окружающая среда |
|
7?ПС |
вт |
|
|||
|
|
6. Классификационные параметры |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
Величина для |
|
|
Наименование параметра |
Обозна |
Един. |
транзисторов |
|||
|
чение |
изм. |
КТ805А |
КТ805Б |
|||
|
|
|
|
|
|
||
Максимально допустимое напряжение |
|
|
|
||||
коллектор—эмиттер при RO^ I O OM |
в |
|
|
||||
и *ив 500 мксек |
|
|
160 |
135 |
|||
Максимально допустимое напряжение |
|
|
|
||||
коллектор — эмиттер |
запертого |
в |
|
|
|||
транзистора |
при /и < |
15 мксек |
£Л(ЭЗ |
180 |
135 |
||
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
в |
в |
|
5 |
||
режиме насыщения |
|
^кэн |
2,5 |
||||