Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Транзисторы

..pdf
Скачиваний:
9
Добавлен:
13.11.2023
Размер:
25.57 Mб
Скачать

Б. Электрические параметры и данные

ТРАНЗИСТОР П504А

/. М аксимально допустимые данные

при температуре окружающей среды Т°с= +20 ±5° С

1. МОЩНОСТИ (вт) И ТОКИ (а)

—■

Определение

Обозначение

Величина

Постоянная мощность, рассеиваемая тран­ зистором без дополнительного теплоот­ вода

Постоянный ток коллектора в режиме усиления

Импульсный ток коллектора в режиме переключения

То же, в режиме насыщения

я *

11501

m

I кн тп

Ц П

^кн тп

Щ

Максимально-допустимая мощность, рассеиваемая транзистором в диапазоне температур от +60 до 4-85° С вычисляется по фор­ муле

п150 — Т°с

Рщ

Q g , мет.

При пониженном атмосферном давлении менее 40 мм рт. ст. Рп снижается на 30%.

2. НАПРЯЖЕНИЯ (в)

при температуре окружающей среды Тс= —6 0 + 1 2 0 ° С

Определение

Обозначение

Величина

Напряжение

коллектор — база при хх

в

цепи эмиттера

U ибо

Напряжение

коллектор — эмиттер при

со­

противлении в цепи эмиттер — база

не

более 10 ком

"«SR

и

По]

Напряжение эмиттер — база

при хх в це­

 

ED

пи коллектора

 

U эбо

 

 

//. Н а ч а л ь н ы е т о к и ( м а )

при температуре окружающей среды Тс « + 2 0 ± 5 °С

 

Определение

 

Обозначе­

Величина

 

 

 

 

 

 

 

 

ние

мин.

макс.

 

 

 

 

 

Ток

коллекторного

перехода

при хх

 

 

 

в

цепи эмиттера

Uu= 30

в

/кбо

0.7

Щ

То же, при 7’с = +85°С

 

^кбо

11201

Ток эмнттерного перехода при хх в

 

 

 

цепи коллектора

Ьь—2 в

 

^эбо

8

m

 

III.

У с и л и т е л ь н ы е

п а р а м е т р ы

 

 

при температуре окружающей среды 7,°« + 2 0 ± 5 °С

1.ПАРАМЕТРЫ ЧЕТЫРЕХПОЛЮ СНИКА

при 7°с«=»20±5°С, £/« =» 10 в, /8» 5 ма,

/ = 50—8000 гц

 

 

Определение

 

Обозна­

Един.

Величина

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

изм.

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

Коэффициент усиления

по току

 

^21Э

ш

Щ

Выходная

проводимость

 

^22б

мксим

о д

ш

Граничная

частота

усиления

по

 

 

току

 

 

 

1 50 |

Граничная частота усиления по току

f h 21б

|8 0 |

 

 

е. е м к о с т и

 

 

 

 

 

 

Обозна­

Един.

Вели­

Режим измерений

Определение

 

 

 

чение

изм.

чина

/, Мгц ('»)• V ма

UK. a

 

 

 

 

 

Емкость

коллекторного

пф

 

 

 

10

перехода

с к

ш

1 ,0

(0 )

ТРАНЗИСТОР П504А

 

 

ПАРАМЕТРЫ

 

 

 

при

температуре окружающей среды Т°с = +20 ±5° С

 

 

 

Обозначе­

Един.

Величина

 

Определение

 

 

ние

нзм.

 

макс.

 

 

 

 

 

Коэффициент

усиления

 

 

Щ

по току

 

/*219

[2 0 ]

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений П504.

ТРАНЗИСТОР П505

ПАРАМЕТРЫ

при температуре окружающей среды Т°с= +20 ±5° С

Определение

Коэффициент усиления по току

Предельная частота усиления в схеме с общим эмиттером

Постоянная

времени це­

пи коллектора

 

Напряжение

 

коллек­

тор — база

при хх в

цепи

эмиттера

 

Напряжение

 

коллек­

тор— эмиттер при со­

противлении

между

базой

и

эмиттером

/?б <

Ю ком

 

Обозначе­

Величина

 

Един.

 

ние

нзм.

макс.

 

мин.

*21»

_

п и

Ц П

Мгц

94

11501

 

мсек

800

| 1500|

Uкбо

в

8

Ц П

UK* R

в

8

щ

ТРАНЗИСТОР П505А

ПАРАМЕТРЫ

при температуре окружающей

среды Т°с «=+20 ±5° С

 

 

Обозначе­

Един.

Величина

Определение

 

 

ние

изм.

мин.

макс.

 

 

 

Коэффициент усиления

 

Ц П

 

по току

^21Э

11 5 0 1

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений П505,

Типовые выходные характеристики транзисторов П501—П504Л для схемы с общим эмиттером

94

18

12

6

О

б

1C

16

20

 

 

 

 

U « 6 . 3

Типовые выходные характеристики транзисторов П505—П505А для схемы с общим эмиттером

Типовая зависимость тока коллекторного перехода транзисторов П504^. П505 от температуры окружающей среды

№ э ( 1н)

Ьа1э(3«а)

Транзисторы германиевые р-п-р

конверсионные П601И—П602АИ

А. Общие и конструктивные данные

/. О сн овн ое н а зн а ч е н и е

Работа в высокочастотных и импульсных схемах аппаратуры народно-хозяйственного значения.

2. Г а б а р и т н ы й ч е р т еж и р а сп о л о ж ен и е вы водов

Вывод коллектора электрически соединен с корпусом транзи­ стора.

3. К о н с т р у к т и в н ы е д а н н ы е

--27—

85-±-0>в-

Вес транзистора (макс.) Высота корпуса (макс.) Диаметр корпуса (макс.) Длина выводов (мин.) . Диаметр выводов (мин.)

Жесткая часть вывода

25 г

10.4 м м

22.5 »

57 »

0.8 »

4. У казания по эксплуат ации

При эксплуатации транзистор плотно закрепляется на тепло­ отводящей панели при помощи специального накидного фланца, надеваемого на него.

Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от

корпуса

транзистора паяльником мощностью

50—60 вт

в

течение

не более

10 сек с

температурой

на жале

паяльника

не

выше

+270° С.

 

 

 

 

 

 

 

 

б.

Устойчивость против

внеш них

воздействий

 

Диапазон

температур

окружающей

среды

—50 -5- +60° С

Атмосферное давление

 

 

 

от 2,7 • 104 до 3 • 105 н /м2

Относительная влажность при + 40±5°С

 

95-5-9896

Термоциклирование

в

диапазоне

температур

—50 -5- +60° С

Постоянное ускорение

(макс.)

 

 

 

 

25 g

Ударные

ускорения

 

 

гц

 

 

 

150 g

Вибрация

в диапазоне

1 -=-2000

 

 

 

12 g

6, Классификационные парамет ры

при температуре окружающей среды 7° = +20 ±5° С

Наименование

Обо-

Един.

 

Величина дли транзисторов

 

 

 

 

 

параметра

 

значе­

изм.

П601И П601АИ

П001БИ

П602И

П602АИ

 

 

 

ние

 

Предельная часто­

 

 

 

 

 

 

 

та усиления

по

 

 

 

 

 

 

 

току в

схеме

 

 

 

 

 

 

 

с общим эмитте­

 

Мгц

 

 

 

 

 

ром

 

 

20

20

20

30

30

Максимально

до­

 

 

 

 

 

 

 

пустимое

 

на­

 

 

 

 

 

 

 

пряжение

кол­

 

в

 

 

 

 

 

лектор — база

£/кбо

25

30

30

30

25

Напряжение кол­

 

 

 

 

 

 

 

лектор — эмит­

 

 

 

 

 

 

 

тер при h21б < 1

^кэо

в

20

25

25

25

20

Продолжение

Наименование

Обо-

Един.

 

Величина для транзисторов

 

 

 

 

 

параметра

 

значе­

изм.

П601И П601АИ

ГТ601БИ

П602И

П602АИ

 

 

 

ние

 

Коэффициент уси­

 

 

 

40^-100соО tоо

40ч-100 80-Н200

ления по току

^21Э

 

20

Ток коллекторного

 

 

 

 

 

 

 

перехода

при

 

мка

200

100

130

100

130

^кбо == Ю Я

^кбо

 

 

 

7. Т еп л о вы е п а р а м е т р ы

 

 

 

 

Определение

 

 

Обозна­

Един.

Величина

 

 

 

 

чение

изм.

Наибольшая

температура

перехода

^макс

°с

+85

Наименьшая

температура

перехода

^мин

°с

—50°

Тепловое

сопротивление

переход —

 

°С/вт

15

корпус

 

 

 

 

 

 

Тепловое

сопротивление

переход —

 

°С/вт

50

среда

 

 

 

 

 

^пс

 

Б. Электрические параметры и данные

 

 

 

 

ТРАН ЗИ СТОР П 601И

 

 

 

 

 

/. М а к с и м а л ь н о д о п ус т и м ы е д а н н ы е

 

 

 

 

1. МОЩНОСТИ (вт)

И ТОКИ (а)

 

 

 

 

Определение

 

 

Обозна­

Величина

 

 

 

 

чение

Мощность, рассеиваемая транзистором без

 

 

 

дополнительного

теплоотвода

при

Т с =

 

 

 

= +20° С

 

 

 

 

 

Pm

 

М

То же, при Т°с*=+60°С

 

 

 

Pm

 

m

 

 

 

 

Продолжение

 

Определение

Обозна­

Величина

 

чение

Мощность,

рассеиваемая транзистором с

 

дополнительным

внешним

радиатором

 

при Г° = +20°С

 

Р \

ПП

 

ш

То же, при 7,° = +60эС

Р т

|155|

 

 

 

* m

Импульсный

ток

коллектора

при т \=

 

= +60°С

 

 

1.5

 

 

2. НАПРЯЖЕНИЯ (в)

 

 

Определение

Обозначение

Величина

Напряжение

коллектор — база

при

Щ

хх в цепи эмиттера

^кбо

Напряжение

коллектор — эмиттер

И й]

при /?б

ЮО ом

 

 

Напряжение

коллектор — эмиттер

 

при h2|б <

1

^кэо

Напряжение

эмиттер — база при хх

 

в

цепи коллектора и 7,с = +20оС

^эбо

То

же, при

Т°с = +60° С

^эбо

щ

W\ joJl

//. Начальные токи (м а)

 

при температуре окружающей

среды 7 '°= + 2 0 °С

 

Определение

Обовна-

 

Величина

 

 

 

 

чение

мин.

макс.

 

 

 

 

Ток

коллекторного

перехода при хх

 

0,05

Ш

в

цепи эмиттера

и Un—10 в

Л<бо

То же, при £/к= 25 в

^кбо

ЦТ