Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Транзисторы

..pdf
Скачиваний:
9
Добавлен:
13.11.2023
Размер:
25.57 Mб
Скачать

Таловые выходные характеристики транзисторов КТ801Л, КТ80113 для схемы с общим эмиттером

Транзистор кремниевый п-р-п

меза-планарный мощный высокочастотный КТ802А

А. Общие и конструктивные данные

/. Основное назначение

Работа в выходных каскадах строчной развертки телевизоров в преобразователях, генераторах и других схемах бытовой и про­ мышленной электронной аппаратуры.

2. Габаритный чертеж и располож ение выводов

Вывод коллектора электрически соединен с корпусом транзи­ стора.

3. Конструктивные данные

Вес транзистора

(макс.)

22

г

Высота

корпуса

(макс.)

12.2 мм

Диаметр

фланца

(макс.)

29

>

Длина выводов

(мин.)

12

>

Диаметр

выводов (мин.)

2.2

*

4.Указания по эксплуат ации

Транзисторы крепятся на теплоотводе при помощи накидного фланца.

5.Устойчивость против внешних воздействий

Диапазон температур окружающей среды Относительная влажность при Н 40±5°С Термоциклнрование в диапазоне температур

Ударные ускорения (макс.)

Вибрация в диапазоне частот 10-^70 гц

6. Тепловые параметры

 

Определение

Обозначе­

 

ние

Наибольшая

температура

перехода

(кристалла)

 

^макс.

Наименьшая

температура

перехода

(кристалла)

 

С и .

 

 

 

Тепловое

сопротивление

переход—

корпус

 

 

^пк

Тепловое

сопротивление

переход —

окружающая среда

^ис

—20-т~|-100о С 95-т-98% —20-*-4-100° С

50 g

5 g

Л

Един.

изм. Величина

°с | + 1 5 0 1

°с

ОГО

 

1

°с

|2.5|

вт

X,

30

вт

Б. Электрические параметры и данные

ТРАНЗИСТОР КТ802А

/. М аксимально допустимые данные

1. МОЩНОСТИ (вт)

 

 

Определение

Обозначение

Величина

Постоянная мощность, рассеиваемая тран­

 

3

зистором без теплоотвода

Pm

То же, со стандартным теплоотводом

Рт

ШИ

 

л m

Продолжение

 

 

 

Определение

 

 

Обозначение

Величина

Постоянная

мощность, рассеиваемая

тран­

 

 

зистором

с

теплоотводом,

при

Тс =

 

 

= + 100° С

 

 

 

 

 

Р'п

20

Импульсная

 

мощность

при

/и< 2

мсек:

 

;

Q> ю

 

 

 

 

 

 

 

200

При

температуре Окружающей среды

свыше +25° С

Мощность

снижается в соответствии с формулами:

 

 

 

 

 

Рт = 33 (150° С -

7 ^ .

мет,

 

 

 

 

/* = 0 ,4 (1 5 0 ° С — 7-°), ет.

 

При давлении окружающей среды 5 мм рт. ст. величина Рт

снижается на

30%.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2. ТОКИ (а)

 

 

 

 

 

Определен

 

 

 

Обозначение

Величина

Постоянный ток коллектора в режиме уси­

 

0,3

ления при

 

Ю в

 

 

 

At тп

То же,

со

стандартным

теплоотводом

Р

N

 

 

 

 

 

 

 

к m

То же, при Тс = + 100е С

 

 

 

тп

3,5

Постоянный ток коллектора в режиме на­

 

10

сыщения при /си = 2 с теплоотводом

 

^кн m

Импульсный ток коллектора в режимах

 

 

усиления

и

насыщения при

/и< 2

мсек

 

10

и

10

 

 

 

 

 

AIM

Постоянный

ток базы в режиме усиления

тп

И

 

 

 

 

 

 

 

3. НАПРЯЖЕНИЯ (в)

при температуре окружающей среды Гс= —20 ч - 100° С

 

- —1—

 

Определение

Обозначение

Велич

Постоянное

напряжение

коллектор — база

при хх в цепи эмиттера

 

 

^кбо

Напряжение

коллектор — эмиттер

при :кз

в цепи база — эмиттер

при /и< £

мсек и

Q> 10

 

 

 

 

Uкэк

То

же,

запертого транзистора

при

{Л»с =

 

= 1.в

 

 

 

 

^кээ»

То же, при R 6=100 ом

 

 

 

То

же,

при

/2210—1 и

при

Тс = —20ч-

 

ч- 4-25° С

 

 

 

: ^кэо

Постоянное

напряжение

эмиттер — база •

при хх в цени коллектора

 

; .. ^абО. |j. .. ; .

То

же,

при

/„ < 2 мсек

и Q >10

UbckiA

■|Т501

И зо|

|150

чип

90

..E U

В интервале температур перехода

от

4-100° С

до

4-150° С на-

пряжение снижается на каждые

10° С

на

10%

от

указанного

зна-

чения.

]

 

 

 

 

 

 

7/. Н а ч а л ь н ы е т о н и (МП)

 

 

 

 

при температуре окружающей среды Тс = 4 -2 0 ± 5 ° С

 

Определение

' 1 Обозначег.

1

1 Нблвчмна’

' ,! 1

 

ние

 

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

. .

»1

Ток коллекторного

перехода при

хх

в цепи эмиттера

при 1/,<=150

в

Ток коллекторного перехода при кз выводов б аза — эмиттер и UWr= -1 3 0 в

Ток коллекторного перехода запер­ того транзистора при UK—150 в-; U06=1 в

Ток эмиттерного перехода при хх в цепи коллектора и Uaо —3 в

А<бо

Л<эк

Лоз

W о

1 m

1 14

1 10'

2,5 37

/// . Ч аст от ы (М гц )

при температуре окружающей среды 7’с = + 2 0 ± 5 °С ,

 

 

 

 

Uк—10 в

и Iк—0,5 а

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Обозначе­

Величина

 

 

 

 

Определение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ние

мин.

 

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Предельная частота усиления по то­

 

 

 

45

 

ку в схеме с общим эмиттером

/ т

\ Щ

 

 

Модуль

коэффициента передачи

то­

 

 

 

4.5

 

ка на частоте /= 10 Мгц

 

1^21Э 1/

щ

 

 

IV . П а р а м е т р ы б о л ь ш о го с и г н а л а и п е р е к л ю ч е н и я

 

 

при температуре окружающей среды Тс = + 2 0 ±5° С

 

 

 

 

 

 

 

 

Величина

Режим

 

Определение

 

Обозна-

Един.

измерений

 

 

ЧСIIис

 

мин.

макс.

U , в

V

а

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

к’

Коэффициент передачи

 

 

гпл

35

 

2

 

тока

 

 

 

Л22Э

 

10

 

То же, при 7° = + 100° С

Л2|Э

пш

10

2

 

То же,

при

7 С= —20° С

Л21Э

m

10

2

 

Входное

 

напряжение

 

а

1

0

 

5

 

эмиттер — база

 

U36

10

 

Напряжение

коллек­

 

 

 

 

 

 

 

тор — эмиттер в

ре­

 

 

 

 

 

 

 

жиме

насыщения

при

 

в

 

5

5

 

/ 6 = 0,5 а

 

 

^кэн

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

—.

a

2

4

в

в

10

12

14

16

18

20 U K3, i

Типовые выходные характеристики транзисторов КТ802А для схемы с общим эмиттером

Зависимость коэффициента передачи тока транзисторов КТ802А от тока коллектора

UH*R

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор — эмиттер транзисторов КТ802А от величины сопротивления в цепи базы при /?э = 0 (даны нижние границы 80-процентного разброса)

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор —эмиттер транзисторов КТ802А от соотношении сопротивлении в цени эмиттер — база при £ CitL—0