Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Транзисторы

..pdf
Скачиваний:
13
Добавлен:
13.11.2023
Размер:
25.57 Mб
Скачать

 

 

 

 

 

 

 

Продолжение

 

 

 

Обозначе­

Един.

 

Величина

 

Определение

 

 

 

 

 

 

ние

изм.

 

 

 

Граничная

частота

уси­

 

кгц

300

 

900

ления по

току

 

 

21б

 

Граничная

частота

уси­

 

кгц

1л I

 

 

ления по

току

 

 

/Л21Э

[ 6 [

 

 

Предельная

частота

 

 

 

 

 

усиления

по току

в

 

 

 

 

 

схеме с общим эмит­

 

кгц

250

 

750

тером

 

 

 

 

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­

чаются от данных,

параметров и режимов измерений ГТ403Л.

 

 

ТРАНЗИСТОР ГТ403Д

 

 

 

 

 

 

ПАРАМЕТРЫ

 

 

 

при температуре окружающей среды 7,с= +20±5°С

 

 

 

 

 

 

Обозна­ Един.

Величина

 

Определение

 

 

 

 

 

чение

изм.

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

 

Максимально допустимое напряжение

 

в

[ Й

коллектор — база

при хх

в цепи

U кбо

эмиттера

 

 

 

 

 

 

 

 

Максимально допустимое напряжение

^кэо

в

 

 

коллектор— эмиттер

при

Л21б = 1

 

Максимально допустимое напряжение

 

 

 

 

эмиттер — база при хх в цепи кол­

 

в

_

 

лектора

 

 

 

 

Uэбо

0

Коэффициент передачи

тока

Л2|Э

[50 3

|150|

Граничная частота усиления по току

//121б

кгц

300

900

Граничная

частота

усиления по току

/ /12 1Э

кгц

6

Предельная частота усиления по то­

 

кгц

250

750

ку в схеме с общим

эмиттером

ТРАНЗИСТОР ГТ403Е

 

 

 

 

 

ПАРАМЕТРЫ

 

 

 

при

температуре

окружающей среды 7'с= -f-20 ± 5° С

 

 

 

 

 

 

 

 

Обозна­

Един'.

Величина

 

 

Определение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

нзм.

мни.

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ААаксимально допустимая

постоянная

 

 

 

 

мощность,

рассеиваемая

транзи­

 

 

 

 

стором со стандартным

теплоотво­

Рт

вт

 

0

дом

 

 

 

 

 

 

 

Максимально допустимое напряжение

т

 

 

 

 

 

 

колектор — база

при

хх

в цепи

 

в

 

 

эмиттера

 

 

 

 

 

 

^кбо

 

m

Максимально допустимое напряжение

 

 

 

коллектор — эмиттер

при

И21й —\

^кэо

в

йЮ

Коэффициент

передачи

тока

 

^ 21Э

Щ

Граничная

частота усиления

потоку

fh 216

к ги,

240

Предельная

частота

усиления по то-'

 

кгц

 

 

ку в схеме

с общим

эмиттером

2 00

Остальные данные, параметры и режимы измерении не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений ГТ403А.

ТРАНЗИСТОР ГТ403Ж

 

 

 

 

ПАРАМЕТРЫ

 

 

 

при

температуре окружающей

среды 7'с = +20±5°С

 

 

 

 

 

Обозна­

Един.

Величина

 

Определение

 

 

 

 

 

чение

нзм.

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

 

Максимально

допустимое напряжение

 

 

 

 

коллектор — база

при

хх

в цепи

 

в

 

 

эмиттера

 

 

 

U кбо

 

Щ

Максимально допустимое напряжение

 

в

0 ]

коллектор — эмиттер при

/i2iс = 1

U кэо

Ток коллекторного

перехода

при хх

 

мка

 

 

в цепи эмиттера

и кг, = 0ибо

^кбо

R o j

»■ - ...........

. _ .

...........

 

 

 

 

Продолжение

 

 

 

Обозна­

Един.

Величина

 

Определение

 

 

 

 

 

чение

изм.

мин.

 

 

 

 

 

 

 

Сквозной ток

транзистора при хх

в

ма

_

 

цепи базы

и R G = C O ,

Ui<0=Uа

Л<эо

N

 

Ток эмиттерного перехода при хх в

мка

 

 

цепи коллектора и

=

■^эбо

•|~70|

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений ГТ403А.

ТРАНЗИСТОР ГТ403И

ПАРАМЕТРЫ

при температуре окружающей среды Гс= + 20±5° С

Величина

Определение

Обэзна-

Един.

ченне

изм.

Максимально допустимое напряжение коллектор — база при хх в цепи эмиттера

Максимально допустимое напряжение

коллектор — эмиттер

при

Л21б= 1

Ток

коллекторного

перехода

при хх

в

цепи эмиттера

и

£/ко = £Л<бо

Сквозной ток транзистора при хх в цепи базы и Ro = °°,

Ток эмиттерного перехода

Коэффициент передачи тока

Граничная частота усиления по то­ ку

Предельная частота усиления по то­ ку в схеме с общим эмиттером

^кбо

в

 

 

^кэо

в

и

Л<бо

мка

й ]

^кэо

ма

ш

/эбо

мка

|70j

Л21э

н о

11501

/Л21б

кгц

400

1200

кгц

330

1000

Типовые выходные характеристики транзисторов ГТ403Л, Начальный участок типовых выходных характеристик транзистоГТ403В, ГТ403Е, ГТ403Ж для схемы с общим эмиттером ров ГТ403А, ГТ403В, ГТ4оЗЕ, f Т4 13Ж для схемы с общим эмит­

тером

а

Типовые выходные характеристики транзисторов ГТ403Б, Начальный участок типовых выходных характеристик транзпстоГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403И для схемы с общим эмиттером ров ГТ403Б, ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403И для схемы с общим эмитте­

ром

-0.4 -0.3

*0,2 -0.1

0.3

0.4

О,В U H B,®

Начальный участок типовых выходных характеристик тран­ зисторов ГТ403А—ГТ403И для схемы с общей базой

hai3

ПС

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор — эмиттер транзисторов ГТ403А—ГТ403И от величины сопроти базы при Яэ = 0

Транзисторы германиевые р-п~р

сплавно-диффузионные высокочастотные П414—П 415Б1)

А. Общие и конструктивные данные

/. Основное назначение

Усиление и генерирование электрических колебаний и работа

вимпульсных схемах.

2.Габаритный чертеж и располож ение вызодов

Вывод коллектора электрически соединен с корпусом

3. Конструктивные данные

Вес транзистора

(макс.)

1

Высота

корпуса

(макс.)

5.6

Диаметр корпуса

(макс.)

11.7

Длина

выводов

(мин.)

38

Диаметр выводов

(мин.)

0.6

') В настоящее время эти транзисторы сняты с производства. Взамен их выпускаются транзисторы с более высокими параметрами типа П416—IT41GB.