книги / Транзисторы
..pdfТРАНЗИСТОР ГТ313Б
|
|
ПАРАМЕТРЫ |
|
|
|
при температуре |
окружающей |
среды |
Т°с «=+20 ±5° С |
||
Определение |
Обозначение |
Един. |
Величина |
||
|
|
||||
|
|
|
изм. |
мин. |
| макс. |
|
|
|
|
||
Емкость |
коллекторного |
|
пф |
1 |
|
перехода |
С* |
щ |
|||
Постоянная времени це- |
|
псек |
20 |
|
|
пи коллектора |
Г0 £|С |
щ |
|||
Коэффициент шума при |
|
дб |
4 |
7 |
|
/ э= 5 ма и f = 180 Мгц |
I’m |
||||
|
|
|
|
|
|
Входная |
проводимость |
|
|
|
|
— модуль |
1Упэ 1 |
моим |
10 |
15 |
|
— фаза* |
|
град |
40 |
60 |
|
Входная |
проводимость |
|
|
30 |
50 |
— модуль |
1Упб 1 |
мсим |
|||
— фаза |
Фпб |
град |
—10 |
—30 |
|
Крутизна |
характеристи |
|
|
|
|
ки |
|
|
|
25 |
40 |
— модуль |
1Уя1э 1 |
мсим |
|||
— фаза |
Ф21Э |
град |
—30 |
—55 |
|
Входная |
проводимость |
|
|
|
3.0 |
— модуль |
1У22Э 1 |
мсим |
2,0 |
||
— фаза |
Ф-22Э |
град |
60 |
80 |
|
Предельная частота уси |
|
|
| 450 | |
| 1000I |
|
ления по току |
/т |
|
|||
Остальные данные, параметры в режимы измерений не отдя« чаются от данных, параметров и режимов измерений ГТ313А.
Типовые входные ха- |
Типовые выходные характеристики транзисто- |
|
рактсристикн |
транзн- |
ров ГТ313А, ГТ313Б для схемы с общим эмнт- |
сторов ГТ313А, |
ГТ313Б |
тером |
для схемы с |
общим |
|
эмиттером
Типовая зависимость напряжения коллектор—эмиттер транзисторов ГТ313А, 1Т313Б от сопротивления в цепи базы
I кбо
Типовая зависимость тока коллекторного перехода транзисторов ГТ313А, IТ313Б от температуры окружающей среды
ft
МГЦ
Uк,®
Типовая зависимость емкости коллекторного перехода транзисторов ГТ313А, ГТ313Б от напряжения коллектора
bat3fcc)_
1.4
lUgBiiu ]э г Э ? =
1.2 :
».о
Ь.0
о,в
-20 |
+20 |
+40 |
+60 Т“,°С |
Типовая зависимость коэффициента усиления по току транзисторов ГТ313А, ГТ313Б от температуры окружающей среды
Транзисторы германиевые р-п-р
диффузионные высокочастотные ГТ320А—ГТ320В
А. Общие и конструктивные данные
/ . О сн овн ое н а з н а ч е н и е
Усиление и генерирование электрических колебаний высокой частоты и работа в импульсных схемах аппаратуры бытового и на роднохозяйственного назначения.
2 . Г а б а р и т н ы й ч е р т еж и р а с п о л о ж е н и е вы водов
Вывод коллектора электрически соединен с корпусом транзи стора.
|
|
3. К о н с т р у к т и в н ы е д а н н ы е |
|
|
Вес транзистора |
(макс.) |
2,2 г |
||
Высота |
корпуса |
(макс.) |
8 м м |
|
Диаметр |
корпуса |
(макс.) |
11,7 |
» |
Длина выводов |
(мин.) |
30 |
» |
|
Диаметр |
выводов (мин.) |
0,4 |
* |
|
|
4. У к а з а н и я по э к с п л у а т а ц и и |
|
|
|
В условиях механических ускорений свыше |
2 g транзисторы |
|||
должны |
крепиться за корпус. |
|
|
|
При эксплуатации транзистора должна быть учтена возмож |
||||
ность самовозбуждения его, как высокочастотного |
элемента с боль |
|||
|
2. ТОКИ (ма) |
|
|
|||||
|
Определение |
|
|
|
|
Обозначение |
Величина |
|
Средний ток коллектора в режиме усиле |
I км |
|
||||||
ния |
|
|
|
|
|
|
1150 |
|
Импульсный ток коллектора |
|
|
|
|
|
А<м |
3 0 0 1 |
|
При Т°с>45° С значение |
токов |
снижается |
соответственно: |
|||||
|
/ км |
на |
10 |
ма/Ь°С, |
|
|
||
|
/км |
на |
20 ма/5° С. |
|
|
|||
|
з. НАПРЯЖЕНИЯ (в) |
|
|
|||||
|
Определение |
|
|
|
|
Обозначение |
Величина |
|
Напряжение |
коллектор — база при |
хх в |
U кбо |
шп |
||||
цепи эмиттера |
|
|
|
|
|
|
|
|
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
при |
кз |
|
15 |
|||
в цепи базы |
|
|
|
|
|
Uкэк |
||
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
при |
кз |
|
|
|||
в цепи базы и тЦМд^1 мксек |
|
|
|
|
и кэк |
\Щ \ |
||
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
при |
за |
|
|
|||
пирающем смещении в цепи базы |
|
|
^КЭЗ |
Н О |
||||
Напряжение |
коллектор — эмиттер при |
|
|
|
|
|||
< 1 ком |
|
|
|
|
|
|
* |
щ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
|
при |
|
|
|||
^216= 1 |
|
|
|
|
|
|
^кэо |
ш |
Напряжение |
эмиттер — база |
при |
хх |
в |
це |
и э6о |
HI |
|
пи коллектора |
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
||
0 |
|
|
|
снижаются |
на каждые |
5° С: |
||
При Гс > + 4 5 °С напряжения |
||||||||
UKGO на |
1,6 в\ Uиж и Uказ на 1 |
в; |
UKЭп на |
0,4 в и £/эбо на 0,2 в* |
||||