книги / Транзисторы
..pdfТРАНЗИСТОР ПЗОЗ
ПАРАМЕТРЫ
о
при температуре окружающей среды Тс *=+ 20±5 С
|
Определение |
Обозна |
|
чение |
|
Постоянная мощность, рассеиваемая |
||
транзистором с теплоотводом |
Р7 |
|
|
|
т |
Напряжение |
коллектор — база |
при |
хх в цепи |
эмиттера |
^кбо |
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
|
при #б = Ю0 ом |
|
|
Коэффициент |
усиления по току |
^219 |
То же, при Гс= —55° С |
^219 |
|
Напряжение |
эмиттер — база |
при |
/и = 300 ма |
|
|
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
|
при кз в цепи базы |
^К9К |
|
Един.
изм. Величина
вт ш
вм
йн о
—. 0
—ТздТ
вПо}
вМ
Токи коллекторного перехода измеряются при соответствующих максимально допустимых напряжениях.
Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли чаются от данных, параметров и режимов измерений П302,
ТРАНЗИСТОР ПЗОЗА
ПАРАМЕТРЫ
при температуре окружающей среды 7с =Н-20±5°С
Определение |
Обозна |
Един. |
Величина |
чение |
изм. |
Максимально допустимая постоян ная мощность, рассеиваемая тран зистором с теплоотводом
Максимально допустимое напряже ние коллектор — база при хх в цепи эмиттера
Напряжение коллектор — эмиттер при /?б<^ 100 ом
Коэффициент усиления по току
То же, при Т°с = —60° С
Напряжение |
эмиттер — база при |
/к=300 ма |
|
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
при кз в цепи базы
Рт
1 m
*Лсбо
Л21Э
Л21Э
£/кэк
вт |
г м |
вщ
вTool
—ЦТ
—ш
ви
вм
ТРАНЗИСТОР П304
ПАРАМЕТРЫ
О
при температуре окружающей среды Тс = +20±5° С
|
Определение |
|
|
|
Обозна |
|
|
|
|
|
чение |
||
Максимально |
допустимая |
постоян |
||||
ная |
мощность, рассеиваемая |
тран |
||||
зистором |
|
|
|
|
Рт |
|
|
|
|
|
|
|
m |
Максимально |
допустимое |
напряже |
||||
ние |
коллектор — база |
при |
хх |
в |
||
цепи эмиттера |
|
|
|
^кбо |
||
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
|||||
при /?о<1100 ом |
|
|
|
|
||
Коэффициент |
усиления |
по |
току |
Л21Э |
||
То же, при Тс = —60° С |
|
|
|
Л21Э |
||
Напряжение |
эмиттер — база |
|
при |
|||
/ к = 300 ма |
|
|
|
|
£/вх |
|
Граничная частота усиления по току |
||||||
при |
Uк = 20 |
в, / к =0,12 |
а |
|
//IV|б |
|
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
|||||
при кз в цепи базы |
|
|
|
Укж |
||
Един.
изм. Величина
вт |
[ Т о ] |
вЩ
в[ « О ]
—ш
—Ш
вj T o j
кгц м
вШП
Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли чаются от данных, параметров и режимов измерений П302,
Ьа1Э*1н) hai3(300MI,)
Транзисторы кремниевые п-р-п
планарные высоковольтные П307—П309
А. Общие в конструктивные данные
/ . О сн овн ое н а з н а ч е н и е
Работа в широкополосных и высоковольтных усилителях.
2 . Г а б а р и т н ы й ч ер т еж и р а с п о л о ж е н и е вы во д о в
|
|
3. К о н с т р у к т и в н ы е д а н н ы е |
|
|
Вес транзистора |
(макс.) |
|
3 2 |
|
Высота |
корпуса |
(макс.) |
5,5 |
мм |
Диаметр |
корпуса |
(макс.) |
8.5 |
|
Длина выводов |
(мин.) |
40 |
» |
|
Диаметр |
выводов (мин.) |
0.5 |
|
|
4. У к а з а н и я по э к с п л у а т а ц и и
а) При эксплуатации транзисторов в условиях механических воздействий транзисторы необходимо крепить за корпус.
б) При изгибе выводов должна быть исключена возможноет ь передачи усилия на стеклянный изолятор или место присоединения
пывода к корпусу. При изгибе вывода на расстоянии от 3 до 5 мм
необходимо применять специальные шаблоны. |
места |
пай |
|
Минимально-допустимое расстояние от корпуса до |
|||
ки — 5 мм. |
При изменении электрических параметров возможно |
паразит |
|
в) |
|||
ное самовозбуждение транзистора, особенно если он соединен |
со |
||
схемой длинными выводами. Для устранения паразитного само |
|||
возбуждения рекомендуется эмиттер, коллектор и базу |
соединять |
||
с землей с помощью конденсаторов. Присоединение развязывающих емкостей к выводам должно производиться непосредственно у осно
вания транзистора.
Если базовая цепь содержит значительную паразитную индук тивность, то конденсаторы подсоединяются между эмиттером и ба зой и между коллектором и базой.
П р и м е ч а н и е . При включении транзисторов в схему, находящуюся под напряжением, базовый контакт должен присоединяться первым и отклю чаться последним.
5 . |
У ст о й ч и во ст ь |
п р о т и в |
вн еш н и х во зд ей ст ви й |
|
||||||||
Диапазон |
температур окружающей среды |
|
—4 0 ч -+70° С |
|||||||||
Атмосферное |
давление |
|
|
|
|
|
|
5 мм рт. ст. |
||||
Относительная |
влажность |
при + 4 0 ± 5 СС |
|
|
95 ч - 9896 |
|||||||
Термоциклирование в диапазоне |
температур |
|
—40ч--[-70оС |
|||||||||
Постоянные |
ускорения |
|
(макс.) |
|
|
|
|
|
75 g |
|||
Вибрация |
в |
диапазоне |
|
10ч-600 |
гц |
(макс.) |
|
|
|
7,5 g |
||
|
|
6. К л а с с и ф и к а ц и о н н ы е п а р а м е т р ы |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
№ |
|
|
|
|
|
|
га |
|
|
|
|
|
|
|
Величина для транзисторов |
|
||||
Наименование |
Обозна |
£й |
|
|
|
|
||||||
Си |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
параметра |
|
чение |
X |
% |
П307 |
ПЗЭ7А П307Б |
П307В |
П307Г |
П308 |
ПЗЭО |
||
|
|
|
|
м £ |
||||||||
Напряжение |
кол |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
лектор —эмиттер |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
при / ? g = 10 ком |
^кэ R |
|
в |
80 |
80 |
80 |
60 |
80 |
120 |
12Э |
||
Коэффициент уси |
|
_ 16ч-50 30-1-90 50 ч- 150 50 ч-150 16ч50 30 4-90 16 4-50 |
||||||||||
ления по току |
|
^21Э |
||||||||||
Сопротивление на |
|
ом |
150 |
|
ЗЗЭ |
25Э |
250 |
330 |
|
|||
сыщения |
|
|
г н |
200 |
200 |
|||||||
Б. Электрические параметры и данные
ТРАНЗИСТОР П307
/. М а к с и м а л ь н о д о п у с т и м ы е д а н н ы е
1.МОЩНОСТИ (мет)
|
|
|
|
|
о |
|
|
при температуре окружающей среды Гс= —40 ч - +20° С |
|||||
■ |
: г |
—■ |
: • |
|
|
|
|
|
Определение |
|
Обозначение |
Величина |
|
Постоянная мощность, рассеиваемая тран- |
|
|||||
|
зисгором |
без |
теплоотвода |
при |
Т° = |
|
|
= +20° С |
|
|
|
1 с |
12501 |
|
|
|
|
Pm |
||
То же, при Т°с = +60° С |
|
Pm |
200 |
|||
В интервале температур + 20ч-1+70°С мощность снижается по линейному закону.
2.ТОКИ (ма)
при температуре окружающей среды Т°с= —40ч- +70° С
|
Определение |
Обозначение |
Величина |
Постоянный ток |
коллектора |
7кт |
[з<[1 |
Импульсный ток |
коллектора |
^кМ |
11201 |
3.НАПРЯЖЕНИЯ (в)
при температуре окружающей среды Г ° = —40-К+700 С
Определение
Напряжение |
коллектор — база при хх |
в |
|
цепи эмиттера |
|
|
|
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
при |
со |
противлении в цепи базы R Q< \ 0 |
ком |
||
Напряжение эмиттер — база при хх в цепи коллектора
Обозначение Величина
£/кбо Щ
|~801
^эбо 0
Допускается включение сопротивления в цепи базы Ro не бо
лее |
100 |
ком до 7с = +60° С, |
если сопротивление в цепи эмиттера |
Яэ ^ |
^б- |
|
|
|
|
//. Начальные токи (мка) |
|
|
|
|
о |
|
|
при температуре окружающей среды Тс = + 2 0 ± 5 ° С |
|
|
|
|
Величина |
|
|
Определение |
Обозна |
|
|
чение |
|
мин.
Ток |
коллекторного |
перехода |
при |
хх |
|
в |
цепи эмиттера |
и |
(/1(с= 80 в |
|
|
То же, при 7° = +70°С |
|
|
|||
Ток |
коллекторного |
перехода |
при |
||
#об=Ю ком и UKб=80 в |
|
|
|||
Ток |
эмиттерного |
перехода |
при |
хх |
|
в |
цепи коллектора |
и £/эб = 3 в |
|||
Ткбо
о «о
^кэ R
7эбо
0,005 [20J
2 Tiool
0,01 |
|5 0 | |
0,005 и
///. Усилительные параметры
при температуре окружающей среды Тс = 4-20 ±5° С
1. ПАРАМЕТРЫ МАЛОГО СИГНАЛА
а) Параметры низкой частоты
при Uк= 20 в, Уэ = 10 ма и / = 270 гц
|
Обозна |
Величина |
Определение |
Един. |
|
чение |
нзм. |
Коэффициент |
усиления |
по току |
,^21Э |
|
|1 б | |
[50] |
Входное сопротивление |
|
^ 11б |
ОМ |
6 |
|
|
б) Предельная частота |
|
|
|
|
||
|
при UK= 20 |
в и / э = 4 ма |
|
|
||
|
|
|
Обозна |
Един. |
Величина |
|
|
Определение |
|
|
|||
|
чение |
изм. |
|
|
||
Предельная |
частота |
усиления |
по |
Мгц |
20 |
50 |
току в схеме с общей базой |
//721б |
|||||
|
|
|
i |
|
|
|
|
IV. Параметры переклю чения |
|
|
|||
|
при Тс = + 2 0 ± 5 °С, |
/ к=15 ма и |
/ б = 3 |
ма |
|
|
|
|
|
Обозна |
Един. |
Величина |
|
|
Определение |
|
|
|||
|
чение |
изм. |
|
|
||
мин.
Сопротивление насыщения |
ОМ |
60 |
150 |