книги / Транзисторы
..pdfТиповые выходные характеристики транзисторов ГТЗЭ8 А для схемы с общим
эмиттером
V е
Типовые выходные характеристики транзисторов ГТЗJ85 для схемы с общим эмиттером
0,01 |
0,1 |
1,0 |
Ю |
R 6 ,K0M 100 |
Зависимость предельно допустимого напряжения коллектор—эмиттер транзисторов ГТЗОЗА — ГТЗЭ8В от сопротивления между
эмиттером и базой
Зависимость токов коллекторного и эмнттерного переходов транзисторов IT3J8A— ГТЗЭ8В от температуры окружающей среды
h (T c*)
h (+ 2 0 °C )
*ЬСн
леек
Зависимость постоянной времени цепи коллектора транзисторов IT3U8A— ГТ308В
от напряжения коллектора
Гб Ск
леек
Зависимость постоянной времени цепи коллектора транзисторов ГТ303Л-ГТ303В от тока эмиттера
Зависимость коэффициента усиления по току транзисторов I ТЗОЗ —ГТЗОЗВ ог то:
эмиттера
г*с„
леек
Зависимость постоянной времени цепи коллектора транзисторов ГТЗОЗЛ - ГT303I3 от температуры окружающей среды
Зависимость коэффициента усиления по току транзисторов ГТЗЭ8А— ГТЗ J8B от температуры окружающей среды
Зависимость входной проводимости транзисторов ГТ338А —ГТ338Б для схемы с общим эмиттером от частоты и тока коллектора
Зависимость крутизны транзисторов ГТ338А и ГТЗОЗБ от частоты и тока коллектора
0 |
1 |
2 3 4 6 0 7 |
9 10 П 12 13 14 |
Зависимость входной проводимости транзисторов ГТ308В для схемы с общим эмиттером от частоты и тока коллектора
|
|
|
|
|
q |
мсим |
20 |
40 |
60 |
80 |
100 |
120 |
]1°* 140 |
19 Зак. 1142
b 21#
Зависимость крутизны транзисторов ГТЗЗЗВ от частоты и тока коллектора