Файловый архив студентов. Файловый архив студентов.
1276 вузов, 4772 предметов.
/ Регистрация
FAQ Обратная связь Вопросы и предложения
Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Пермский национальный исследовательский политехнический университет
Предмет:
[НЕСОРТИРОВАННОЕ]
Файл:

книги / Транзисторы

..pdf
Скачиваний:
13
Добавлен:
13.11.2023
Размер:
25.57 Mб
Скачать
☆

Типовые входные характеристики транзисторов ГТ320А—ГТ320В для схемц с общей базой

Зависимость остаточного напряжения транзисторов ГТ320А—ГТЗ-’UB от тока эмиттера

Зависимость предельно допустимого напряжения ^К9К транзисторов ГТ320А—ГТ320В

от температуры окружающей среды:

---- типовая зависимость, —- — границы 80-процентного разброса

Транзисторы германиевые р-п-р

конверсионные, импульсные ГТ321А—ГТ321Е

А. Общие и конструктивные данные

/ . О сн овн ое н а з н а ч е н и е

Усиление и генерирование электрических колебаний высокой частоты и работа в импульсных схемах.

2 . Г а б а р и т н ы й ч е р т еж и р а с п о л о ж е н и е вы во д о в

 

 

3. К о н с т р у к т и в н ы е д а н н ы е

 

 

Вес транзистора

(макс.)

 

2 г

Высота

корпуса

(макс.)

 

8м м

Диаметр

фланца

(макс.)

11,7

»

Длина выводов (мин.)

30

»

Транзистор заключен в металлический герметичный корпус со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

4 . У к а з а н и я по э к с п л у а т а ц и и

Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 3 лш от корпуса транзистора. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора.

Паять следует паяльником мощностью 50—60 вт в течение не более 10 сек (температура пайки не должна превышать +260°С). Должен быть обеспечен теплоотвод между местом пайки и корпу­ сом транзистора.

При эксплуатации транзисторов в условиях механических уско­

рений более 2 g транзисторы необходимо

крепить за корпус.

 

5 . У ст ой ч и вост ь п р о т и в в н е ш н и х во зд е й с т в и й

 

Диапазон температур окружающей среды

—55 4- +60° С

Атмосферное

давление

 

 

.от 2,7-Ю1 до3.105я/ж2

Относительная

влажность при

+40° С

954-98 ?б

Термоциклирование в диапазоне

температур

—554-60°С

Постоянные ускорения

(макс.)

 

25

g

Многократные

удары

(макс.)

 

150

g

Вибрация в диапазоне

10 4 -2 0 0 0

гц

15 g

6 . К л а с с и ф и к а ц и о н н ы е п а р а м е т р ы

 

CJ

 

g

 

V

Наименование

sr

еа

параметра

£

«

 

оО

 

О

Коэффи­

 

циент уси­

 

ления по

 

току

^21Э

Максималь­

 

но допу­

 

стимое на­

 

пряжение

 

коллек­

 

тор — база

^кбо

Максималь­

 

но допу­

 

стимое на­

 

пряжение

 

коллек­

 

тор эмит­

 

тер — при

 

/?б>Ю 0 ом

^кэ *

Максималь­

 

но допу­

 

стимое на­

 

пряжение

 

эмиттер —

 

база

^эбо

Един, изм

 

 

Величина

для транзисторов

 

ГТ321А

ГТ321Б

ГТ321В

ГТ321Г

ГТ321Д

ГТ321Е

 

 

 

 

 

|

 

20ч-60

О+юо804-200 204-60 404-120 804-200

в

60

60

60

45

45

45

в

50

50

50

40

40

40

в

4

4

4 . 2,5

2,5

2.5

7. Тепловые параметры

 

Определение

 

Обозна­

Един.

Величина

 

 

чение

изм.

Наибольшая

температура

перехода

^макс.

°с

+85°

Наименьшая

температура

перехода

С и .

°с

—55°

Тепловое сопротивление

переход —

^пс

°с

0.25

окружающая среда

 

мет

 

 

 

 

 

Б. Электрические параметры и данные транзистора ГТ321А

/. М аксимально допустимые данные

при температуре окружающей среды Т°с= —55-ь-+45° С

1. МОЩНОСТИ (вт)

 

Определение

Обозначение Величина

Постоянная

мощность, рассеиваемая

тран­

 

|0.1б|

зистором

без теплоотвода

 

 

Р m

Импульсная

мощность при

/н< = 3 0

мксек

Р и

Щ

В диапазоне температур Тс—+45-j- +60°С

мощность

Р т рас­

считывается по формуле

 

 

 

 

 

 

Р

 

85° С - Т ° к

 

 

 

— _________ _

 

 

 

 

гп “

0,25

 

 

мощность Р м снижается на 0,32 вт/\°С.

25 Зак. 1142

 

 

2. ТОКИ (а)

 

 

Определение

 

Обозначение

Величина'

Постоянный ток коллектора в режиме уси­

 

ления

 

 

 

^кгп

т

Постоянный ток коллектора в режиме на­

 

сыщения

 

 

 

^к!\т

| 0 .2 |

Импульсный

ток

коллектора

при

/и<

S

< 3 0 мксек

 

 

I км

Постоянный ток базы в режиме переклю­

10 ,0 3 1

чения

 

 

 

I бгп

Импульсный

обратный ток базы

при

Лх<

 

< 30 мксек

 

 

Л)2М

10 .5 1

В диапазоне температур Т°с= + 45-f- +60° С ток коллектора / им

снижается на 0,02

д/ГС .

 

 

 

 

 

3. НАПРЯЖЕНИЯ (в)

 

 

Определение

 

Обозначение

Величина

Постоянное

напряжение коллектор — база

Тб0|

при хх в цепи эмиттера

 

^кбо

Постоянное напряжение коллектор — эмит­

ГНо!

тер при кз эмиттера с базой

 

U кэк

Постоянное напряжение коллектор — эмит­

 

тер при Яб>-100 ом

 

 

щ

Напряжение

коллектор — эмиттер

при

 

h2ю<1 при Т°с= —55 ч- +45° С

 

^кэо

m

То же, при Т°с —+ 4 5 -н +60° С

 

U кэо

1~35]

Напряжение

эмиттер — база при

хх в

це­

 

пи коллектора

 

 

 

0

при Тс= - 5 5 ч-45° С

 

U эбо

То же, при Тс = +45-^60° С

 

^эбо

0

 

 

/ / .

Н а ч а л ь н ы е т о к и (м к а )

 

 

при температуре окружающей

среды

Т°с = + 2 0 ±5° С

 

 

 

 

 

 

Обозна­

 

Величина

 

Определение

 

 

 

 

 

 

 

чение

 

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

Ток

коллекторного

перехода

при

хх

 

—

 

в

цепи эмиттера

и

(/,<= 30

в

 

Л<бо

|ш о ]

То же, при (/,<= 60 в

 

 

 

1кбо

—

15001

То же, при (/,<б = 30 в

и Тс = +60° С

^кбо

—

112001

Ток

коллекторного

перехода

при

 

 

18001

/?б> 100 ом

 

 

 

 

^кэ R

—

 

III. У с и л и т е л ь н ы е

п а р а м е т р ы

 

 

 

1. ПАРАМЕТРЫ МАЛОГО СИГНАЛА

 

 

при температуре окружающей

среды 7,° = + 2 0 ± 5 ° С

 

 

 

 

 

 

Величина

Режим

 

 

 

 

 

 

 

 

нзмереыиЛ

Определение

Обозна­

Един.

чение

нзм.

Граничная частота ко­ эффициента передачи тока в схеме с об­ щим эмиттером

Емкость коллекторного перехода

Емкость эмиттерного перехода

Постоянная времени це­ пи обратной связи

Яч

3

3!

/т

Мгц

160

с к

пф

—

С э

пф

—

г б^к

псек

—

 

 

макс.'

[8 0 ]

|6 0 0 |

|б 0 0 |

 

«0

 

в

V

ST

*

г»

 

 

ь*

 

15 10

— 10 5

— 0.5*) 5

15 10 5

 

 

 

 

2. ПАРАМЕТРЫ БОЛЬШОГО СИГНАЛА

 

 

 

 

 

при UK—20

в, / к= 0,5 а

 

 

 

 

 

 

 

 

Величина

 

 

Определение

Обозначение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мако.

Коэффициент

усиления

 

 

 

 

но

постоянному току

 

 

Щ

Гео!

при

Гс= + 20°С

^21Э

 

То

же,

при

/ к = 1 ,5 а

 

 

 

 

Uк = 8

в

 

^21Э

 

 

—

То

же,

при

Гс=:+60оС

^21Э

 

из

|2 4 |

То

же,

при Тс= — 55° С

^121Э

|4 0 |

11201

 

 

 

 

IV. Параметры переключения

 

 

 

 

 

при

Гс= +20±5° С

и / к= 0,7 а

 

 

 

 

 

 

 

 

Величина

Режим

 

 

 

 

 

Обозна­ Един.

 

измерений

 

 

Онрелсление

 

 

 

 

чение

изм.

 

V ма и к>.

 

 

 

 

 

 

 

 

Время рассасывания

Напряжение

коллек­

тор — эмиттер

в ре­

жиме насыщения

Напряжение эмиттер — база в режиме насы­ щения

 

мксек

—

ш

70

20

 

 

 

 

 

 

 

^ к эн

в

____

12.51

140

 

 

 

 

 

 

^б эн

в

— ни

140

—

■ -I---------

ТРАНЗИСТОР ГТ321В

1. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

при 1= 1 кгц, /,<=0,5 а и Un=3 в

Величина

Опредслсии

Обозна-

•ICIUfC

 

Коэффициент усиления по току при

Тс = + 20° С

^ 2 !Э

То же, при / и = 1,5 а и U u = 8 в

/*21Э

мин. макс.

М|1 2 0 |

Щ

То же, при Гс= + 60°С

Л 2 |Э

 

пи

 

 

 

«Ч

м

 

 

 

 

 

То же, при Гс= — 55°С

л 219

 

 

12401

2. ПАРАМЕТРЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ

при т°с=+ 20±5°С, /,(=0,7 а и h= 70 ма

Величина

Определение

Обозна­

Един.

чение

нзм.

макс.

Время рассасывания при £ к = 20 в и

/ б = 35 ма

 

Напряжение коллектор — эмиттер

в

режиме насыщения

^к эн

Напряжение эмиттер — база в режи­

ме насыщения

^б эн

мксек ш

в— Щ

в— |1.3|

ТРАНЗИСТОР ГТ321В

1. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

при f= [ кгц, / к=0,5

а и f= 1 кгц

Определение

Обозначение

Коэффициент усиления по току при

 

Те=+ 20° С

^2 1Э

То же, при /,{=1,5 а и £/к = 8 в

/^21Э

То же, при 7^=+60? С

Л21э

То же, при Тс= —55° С

Л21э

Величина

 

м ак с.

|8 0 |

| 2 0 0 1

[То]

_

ГЦ]

_

1160

4 0 0 1

2. ПАРАМЕТРЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ

при 7^= + 20± 5°С , / к= 0,7 а и U = 35 ма

 

 

Величина

Определение

Обозна­

Един.

чение

нзм.

 

 

макс.

Время рассасывания при /б = 17,5лш

/р

мксек

—

ш

 

Напряжение коллектор — эмиттер в

 

в

—

 

режиме насыщения

U кэн

Щ

Напряжение база — эмиттер в режи­

 

в

 

м

ме насыщения

&бэи

—
Соседние файлы в папке книги
Помощь Обратная связь Вопросы и предложения Пользовательское соглашение Политика конфиденциальности