Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Транзисторы

..pdf
Скачиваний:
8
Добавлен:
13.11.2023
Размер:
25.57 Mб
Скачать

Транзисторы кремниевые п-р-п

диффузионные высоковольтные КТ601А'

А. Общие и конструктивные данные

/. Основное назначение

Работа в видеокаскадах телевизионных приемников и в аппа­ ратуре народнохозяйственного и бытового применения.

2 . Г а б а р и т н ы й ч ер т еж и р а с п о л о ж е н и е вы водов

 

 

3. К о н с т р у к т и в н ы е д а н н ы е

 

 

Вес транзистора

(макс.)

 

3 г

Высота

корпуса

(макс.)

11,7

мм

Диаметр

корпуса

(макс.)

13,7

*

Длина выводов

(мин.)

38

%

Диаметр

выводов (мин.)

0,5

ъ

4.

У ст ой ч и вост ь п р о т и в вн еш н и х

во зд ей ст ви й

Диапазон температур окружающей среды .

20-*--f-55°C

Относительная влажность при + 40± 50°С

9 5 9 8 %

Ударные

ускорения (макс.)

50 g

Вибраиия в диапазоне частот 10-^70 гц (макс, уско­

рение)

 

3 g

5. Тепловые параметры

 

Определение

 

 

Обозна­

Един.

Величина

 

 

 

чение

изм.

Наибольшая

температура

перехода

 

 

 

°с

150

(кристалла)

 

 

 

^макс

Наименьшая

температура

перехода

 

 

 

°с

—20

(кристалла)

 

 

 

^мин

Б . Э лектрические

п ар ам етр ы и

д ан н ы е

 

/. М аксимально допустимые данные

 

при температуре окружающей

среды

Т с= —20-*. +55° С

 

1. МОЩНОСТИ (мет) И ТОКИ (ма)

 

 

Определение

 

 

 

 

Обозна­

Величина

 

 

 

 

 

чение

Постоянная

мощность, рассеиваемая

тран­

 

 

15001

зистором без теплоотвода

 

 

 

Р т

Постоянный ток коллектора

 

 

 

т

ГэоТ

 

 

 

 

 

 

 

1

 

При температуре окружающей

среды

свыше

+25° С

мощность

снижается в соответствии с формулой

 

 

 

 

 

Рm =

4 (150° С — 7*°),

мет.

 

 

 

2. НАПРЯЖЕНИЯ (в)

 

 

 

 

Определение

 

 

 

 

Обозна­

Величина

 

 

 

 

 

чение

Напряжение

коллектор — база

при

хх

в

 

 

|ю о |

цепи эмиттера

 

 

 

 

£/кбо

Напряжение

коллектор — эмиттер при

кз

 

 

|100|

в цепи базы

 

 

 

 

Укэк

Напряжение эмиттер — база

при хх в це­

 

пи коллектора

УэбО

ш

 

/ / . Н а ч а л ь н ы е т о к и (м к а )

 

 

 

 

 

 

 

 

о

 

 

 

при температуре окружающей среды Г с= + 2 0 ± 5 °С

 

 

 

 

 

 

Обозна­

 

Величина

 

 

Определение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

мин.

 

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

Ток коллекторного перехода при кз

 

 

 

 

 

выводов

база— эмиттер

и с/иэ =

 

 

 

 

 

= 100 в

 

 

 

^кэк

25

 

15 0 0 1

То же, при С/Кэ=50 в

 

 

^кэк

10

 

щ

 

Ток эмиттерного перехода при хх в

 

 

 

 

 

цепи коллектора и U0a = 2 в

 

^эбо

8

 

fsoj

 

 

///. У с и л и т е л ь н ы е

п а р а м е т р ы

 

 

 

 

1. ПАРАМЕТРЫ ЧЕТЫРЕХПОЛЮСНИКА И ЧАСТОТЫ

 

 

 

при 7° = -f20±5°С,

UK= 20 в,

/ э=10

ма

 

 

 

 

 

 

Обозна­

Един.

Величина

 

 

Определение

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

нам.

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

Коэффициент усиления по

току

 

h2\s

и

180

Предельная частота усиления по то­

 

Мгц

7

 

 

ку в схеме с общим эмиттером

 

f i

 

 

 

 

2. ЕМКОСТИ

 

 

 

 

при температуре окружающей среды Т °= + 20± 5°С

 

 

 

 

 

Величина

Режим измерений

 

Обозна­

Един.

 

 

 

 

 

Определение

чение

изм.

мин.

 

ик

ма

л(гц

 

 

 

 

 

 

в

Емкость

коллекторного

 

пф

3

|1 5 |

20

5

перехода

с к

Постоянная времени це­

г'6Ск

псек

100

|600|

50

6

5

пи коллектора

CD С

Типовые входные характеристики транзисторов

Типовые выходные характеристики транзисторов

КТ601А для схемы с общим эмиттером

КТ601А для схемы с общим эмиттером

Типовая зависимость тока коллекторного перехода транзисторов КТ601А от темпе­ ратуры окружающей среды

•Типовая зависимость коэффициента усиления по току тран­ зисторов КТ601А от напряжения на коллекторе

Транзисторы кремниевые п-р-п меза-

планарные мощные высокочастотные средней мощности типов КТ602А—КТ602Г

А. Общие и конструктивные данные

1. Основное назначение

Генерирование и усиление сигналов в радиотехнических устрой­ ствах широкого применения.

2, Габаритный чертеж и схема располож ения выводов

Зманс

Вывод коллектора электрически соединен с корпусом транзис­ тора.

3. Конструктивные данные

Вес транзистора

(макс.)

4.5 г

Высота

корпуса

(макс.)

9

мм

Диаметр

фланца

(макс.)

16

>

Диаметр

корпуса

 

11.5

»

Длина выводов (мин.)

34

»

Диаметр

выводов

(мин.)

0.4

»

4. Устойчивость против внеш них воздействий

Термоциклирование в

диапазоне

температур

—40

—(-85° С

Постоянные ускорения

(макс.)

 

 

25 g

Ударные

ускорения (макс.)

 

 

75 g

Вибрация в диапазоне частот 1 0 6 0 0 гц (макс.)

 

7,5 g

 

 

5 . Тепловые параметры

 

 

 

 

Определение

 

Обозна­

Един.

Величина

 

 

 

чение

изм.

Наибольшая

температура

перехода

О

°с

|+ 1 2 0 |

^макс

Наименьшая

температура

перехода

^мин

°с

|- 4 0 |

Тепловое

сопротивление

переход —

 

X

 

корпус

 

 

 

Rm

вТ

 

Тепловое

сопротивление

переход —

 

X

1150 (

окружающая среда

 

^пс

ВТ

6. Классификационные параметры

Величина для транзисторов

Обозна­ Един. Наименование параметров чение изм.

КТ602А КТ602Б КТ602В КТ602Г

Максимально

допусти­

 

 

 

 

 

мое напряжение меж­

 

 

 

 

 

ду коллектором

и ба­

в

120

120

80

80

зой

 

^кбо

Коэффициент

передачи

 

 

 

 

 

тока в схеме с общим

 

 

 

 

 

эмиттером на

боль­

20-4-80

> 5 0

15--80

> 5 0

шом сигнале

 

Л21Э

Б. Электрические параметры и данные

ТРАНЗИСТОР КТ602А

/. М аксимально допустимые данные

1. МОЩНОСТИ (вт)

при температуре окружающей

о

 

среды Тс = 20 ч -50° С

 

Определение

Обозна­

Величина

чение

Постоянная мощность, рассеиваемая

тран­

10,85

зистором без теплоотвода

P m

То же, при температуре окружающей сре­

fo j]

ды Тс +85° С

Р тп

Постоянная мощность, рассеиваемая

тран­

j j j j

зистором с теплоотводом

P jnтп

То же, при температуре окружающей сре­

 

ды Г° = + 85° С

р т

10 .6 5 1

г тп

2. ТОКИ (на)

при температуре окружающей среды 7° = —40ч- +25° С

Определение

Обозна­

Величина

чение

Постоянный ток коллектора

в режимах

 

 

усиления и насыщения

4

тп

Щ

Импульсный ток коллектора в режимах

 

 

усиления и насыщения при скважности

 

 

Q = 7

^кМ

15 0 0 1

 

 

Постоянный ток эмиттера в режимах уси­

 

 

ления :и насыщения

h

тп |

а

3. НАПРЯЖЕНИЯ (в)

при температуре окружающей среды Тс = —40-^ +85° С

 

 

 

 

Определение

 

 

 

 

Обозна­

Величина

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

Напряжение

коллектор — база

при

хх

в

 

11201

цепи эмиттера

 

 

 

 

 

 

 

и кбо

То же» при Т°с = + 120°С

 

 

 

 

 

U K6O

120

Напряжение

коллектор — эмиттер

при

кз

 

100

в цепи база — эмиттер

 

 

 

 

 

^кэк

То же, при Т°с = + 120° С

 

 

 

 

 

^кэк

50

Напряжение

коллектор —г эмиттер

при

со­

 

|100|

противлении

в цепи

базы R Q= \0

ом

 

 

То же, при

 

= + 120° С

 

 

 

 

 

^кэ /?

м

Напряжение

коллектор — эмиттер

запер­

Uкэз

120

того транзистора

 

 

 

 

 

 

 

То же, при Т°с = + 120° С

 

 

 

 

 

U кэз

120

Напряжение эмиттер — база при хх в цепи

Uэбо

 

коллектора

 

 

 

 

 

 

 

 

Ш

Напряжение

коллектор —г эмиттер

 

при

хх

 

Щ

в цепи базы

 

 

 

 

 

 

 

1

^кэо

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

II. Начальные токи (мка)

 

 

при температуре окружающей среды Т°с = —40-^+20°С

 

 

 

Определение

 

 

 

 

Обозна­

 

Величина

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ток

коллекторного

перехода при

хх

 

 

 

в

цепи эмиттера

и

£/кс= 120 в

 

 

Л<бо

(то]

То же, при Г° = -Ь850С и UKб =100 б

^кбо

11000

Ток коллекторного перехода при со­

 

 

 

противлении

в

цепи

базы

RQ=

 

_

 

= 10 ом и U,«=100

в

 

 

 

 

^кэ R

|100|

То

же,

при

Г° = +85°С

и UHэ=80

в

^кэ R

11000|

Обратный, ток эмиттерного перехода

 

 

 

при

хх

в

цепи

коллектора

 

и

Iэбо

 

^ бэ= 5 в

 

 

 

 

 

 

 

 

Л О

/ / / . П а р а м е т р ы

при температуре окружающей среды

+ 20±5° С

 

1. ПАРАМЕТРЫ БОЛЬШОГО СИГНАЛА И ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ

 

 

 

Величина

 

Режимы

 

 

Обо-

Един.

 

измерений

Определение

 

 

 

 

значе­

нзм.

 

 

 

 

 

ние

мин.

макс.

Укэ

Ук

уб

 

 

 

 

в

ма

ма

Коэффициент передачи тока

Напряжение между коллектором и эмит­ тером в режиме на­ сыщения

Напряжение между ба­ зой и эмиттером в ре­ жиме насыщения

Л21Э

 

и

|~80]

10

10

_

^кэн

в

 

 

 

50

5

U бэн

в

0 0

50

5

 

2. ПАРАМЕТРЫ МАЛОГО СИГНАЛА

 

 

 

 

Величина

Режимы

 

Обо­

Един.

измерений

Определение

 

 

значе­

изм.

 

 

 

ние

макс.

икь

Гк

 

 

 

 

 

в

ма

Предельная

частота

 

 

 

 

 

усиления

по току

в

 

 

 

 

 

схеме с

общим эмит­

Мгц

150

 

10

10

тером

 

 

/ т

 

Модуль

коэффициента

 

 

 

 

 

передачи

тока

на

 

 

 

10

25

частоте

/=100 Мгц

1^219 1

п л