Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Транзисторы

..pdf
Скачиваний:
9
Добавлен:
13.11.2023
Размер:
25.57 Mб
Скачать

2. ТОКИ (а)

при температуре окружающей среды Т°с= +20-=- +70° С

Определение

Обозна­

Величина

чение

Максимально-допустимая амплитуда тока

 

1,5

коллектора

М

Максимально-допустимая амплитуда тока

 

0,5

базы

f 6M

 

8. НАПРЯЖЕНИЯ (в)

 

 

 

Определение

 

 

Обозна­

Величина

 

 

 

чение

Напряжение

коллектор — база при

хх в

 

 

цепи эмиттера

 

 

£/кбо

1451

Напряжение

коллектор — эмиттер

запер­

 

 

того транзистора

 

 

^кэз

\45[

Напряжение

коллектор— эмиттер

при

 

j¥ ]

# б< 1 0 0 ом и Г °« + 2 0 ± 5 °С

 

 

 

То же, при

Дэб<Ю ом и Т° = +60° С

 

Щ

Напряжение

коллектор — эмиттер

при

^кэо

[3 5 ]

h21б < 1 и Г° = +20±5°С

 

 

 

 

Напряжение

эмиттер — база при

хх

в це­

 

гп

пи коллектора

 

 

и 9б0

//. Начальные токи (ма)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Обозна­

 

Величина

 

 

Определение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ток

к оллекторн ого п ереход а при

хх

 

 

ш

в

цепи эм и ттера [7,<б = 45

в и

Тс =

 

 

= + 2 0 ± 5 ° С

 

 

 

 

 

 

Л<бо

 

То

ж е, при

U«о = 40

в и

Т°с=+60°С

■^кбо

0

Т ок

коллекторн ого

перехода

при

 

 

0

/?б = 100

ом,

£/кэ = 40

в

и

Т с

=

 

_

- + 2 0 ± 5 ° С

 

 

 

 

 

 

 

Т ок

эм и ттерн ого

п ереход а

при

хх

в

 

 

ш

цепи к о ллектора

U 0c>= 1

в и

Тс =

 

_

= + 20 ± 5° С

 

 

 

 

 

 

^эбо

То

ж е, при

7, ° = + 6 0 ° С

 

 

 

 

^эбо

0

III.Усилительные параметры

о

при температуре окружающей среды 7,с — + 20± 5°С

1. ПАРАМЕТРЫ МАЛОГО СИГНАЛА

 

 

 

 

Величина

 

Режим

 

 

 

Обо­

Един.

 

 

 

измерения

 

Определение

 

 

 

 

 

 

значе­

изм.

 

 

 

 

 

 

 

 

ние

 

мин.

 

иК

а

У9

Мгц

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

в

в

Емкость

коллек­

 

 

 

 

 

 

 

 

торного

пере­

 

пф

 

|130|

20

 

 

5

хода

 

Ск

 

 

 

Емкость эмиттер­

 

пф

 

|2000

 

 

0.5

ного перехода

С ,

Постоянная вре-г

 

 

 

 

 

 

 

 

мени цепи кол­

 

мкмксек

 

15001

 

0,05

 

5

лектора

 

г'6Ск

2. ПАРАМЕТРЫ БОЛЬШОГО СИГНАЛА

Определение

Коэффициент усиления по току

То же

Обозна­

чение

Л21Э

ю сЗ

 

Величина

Режим измерения

мин.

макс.

Uкэ1 в

1к ' а

ш

60

3

0.5

 

 

 

По]

7

1.5

Коэффициент по току foi0 при Г * —+60°С увеличивается на

50% и уменьшается на 40% относительно foiB при 7,с= +20°С.

IV. П а р а м е т р ы п е р е к л ю ч е н и я

при температуре окружающей

среды

7^ —+20 ±5° С

 

1. ВРЕМЕНА (мксек)

 

 

при / к“ 0,5, /в ==60 ма, /= 1

кгц и

£ к*= 20 в

 

 

Обозна­

Величина

Определение

 

 

чение

мин.

макс.

 

 

Время включения

 

^пкл

.

М

 

 

Время рассасывания

 

 

Ш

 

2. НАПРЯЖЕНИЯ В РЕЖИМЕ НАСЫЩЕНИЯ (в)

 

 

при

Iк= 0,5

а и к и=*2

 

 

 

 

 

Обозна­

Величина

 

Определение

 

 

 

 

 

чение

 

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Напряжение

коллектор — эмиттер

в

 

 

диапазоне

температур

+20° -*■

 

 

50° С

 

 

Uкэн

 

Ш

Напряжение эмиттер — база

Uэбн

п з \

ТРАНЗИСТОР П605А

ПАРАМЕТРЫ

при температуре окружающей среды 7 ° = + 2 0 ± 5 ° С

 

 

Обозна­

Един.

Величина

 

Определение

 

 

 

чение

изм.

мин.

макс.

 

 

 

 

Коэффициент усиления

 

 

ГйП

 

по току при /и=0,5 а

h2\s

 

1 1 2 0 1

То же,

при / к= 1,5 а

h2\3

 

1 2 0 1

 

Время

включения

^вкл

мксек

10,351

Время

рассасывания

tp

мксек

К о |

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений П605.

ТРАНЗИСТОР П606

М а к с и м а л ь н о д о п у с т и м ы е н а п р я ж е н и я

Определение

Напряжение

коллек­

тор — база при хх в

цепи эмиттера

 

Напряжение

коллек­

тор — эмиттер

при кз

в цепи базы

 

Напряжение

коллек­

тор — эмиттер

запер­

того транзистора

Напряжение

коллек­

тор — эмиттер

при

Обозначение Един. изм. Величина

Укво

*

\Щ \

^кэк

в

35

^кэз

в

Щ

RG= 100 ом

и Г° =

 

= +20° С

в

щ

То же, при Гс —+60° С

 

И /?эб = Ю ом

в

п и

-----------------——

 

Продолжение

Определение Обозначение Един. изм.

Напряжение

 

коллек­

 

 

 

тор.— эмиттер

 

при

 

 

в

^216 -С 1

 

 

 

^кэо

Напряжение

эмиттер —

 

 

 

база при хх в цепи

 

 

 

коллектора в

диапа­

 

 

 

зоне температур окру­

 

 

 

жающей

среды

 

 

 

в

+ 20-5-.+60° С

 

 

^эбо

 

 

 

 

//. Н а ч а л ь н ы е т о к и (м а )

 

 

Определение

 

 

Обозна­

 

 

 

 

чение

Ток

коллекторного

перехода

при хх

 

в цепи эмиттера

Uuо = 35

в,

Т с =

 

= +20° С

 

 

 

 

 

■^кбо

То же, при

UUQ= 30 в и 7, ° = +60°С

I кбо

Ток

коллекторного перехода

при

 

/?в=100 ои(,

£/кэ=25 в

и

Г с =

 

= +20° С

 

 

 

 

 

^кэ Я

Ток эмиттерного перехода при хх в

 

цепи коллектора

6/эб*»0,5 в и Г с =

 

«=+20° С

 

 

 

 

 

/эбо

То же, при Т °= + 60°С

 

 

^эбо

Величина

Ц П

м

Величина

мин. макс.

ш

ш

0

ы

0

 

///. У силит ельны е параметры

 

 

при

температуре окружающей среды

Т с= 4-20 ±5° С

 

 

Определение

Обозна­

Един.

Величина

 

 

 

 

 

 

чение

азы.

мин.

макс.

 

 

 

 

 

Предельная

частота

усиления

по

 

 

_

току при £/кэ=Ю в,

/ э = 50 ма

Мгц

30

 

Коэффициент

усиления

по току при

 

|20Т

 

/ к = 0,5 а

 

 

Л21Э

м

То же, при /„ = 1,5 а

 

^21Э

|20|

Коэффициент усиления по мощности

дб

8

 

при £/ц = 20

в, / = 10 Мгц

 

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений П605.

 

ТРАНЗИСТОР П606А

 

 

/.

М аксимально допустимые напряж ения

Г»

 

 

 

Обозна­

 

 

Определение

 

Един.

Величина

 

 

чение

изм.

Напряжение

коллектор — база

при

 

в

ню

хх в цепи эмиттера

 

Uкбо

Напряжение

коллектор — эмиттер

 

в

35

при кз в цепи базы

 

Uкэк

Напряжение

коллектор — эмиттер

 

в

 

запертого

транзистора

 

У К93

[asf

Напряжение

коллектор — эмиттер

 

в

цц

при RQ= 100 ом и Г с*»+20°С

 

^кэЯ

То же, при /?б = Ю ом и 7,°—+60°С

^кэЯ

в

ни

Напряжение

коллектор — эмиттер

^кэо

в

ни

при И2и* < 1

 

 

 

 

Напряжение

эмиттер — база при

хх

 

 

 

в цепи коллектора и 7 c= +20-f.

 

в

ни

-т-+60°С

 

 

£/эбо

//. Начальные токи (м а)

 

 

 

 

Определение

 

 

 

Обозна­

Величина

 

 

 

 

 

 

 

чение

 

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ток коллекторного перехода при хх

 

 

_.

в

цепи

эмиттера,

[/„б = 35 в,

Тс =

 

= +20° С

 

 

 

о

 

 

Асбо

Щ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

То

же,

при

[/„б = Ю в,

Т с= + 60°С

^кбо

ш

Ток

коллекторного

перехода^

при

 

 

 

/?б<Ю0

ом,

[/„э = 25

в

и

Тс =

 

 

 

= +20° С

 

 

 

 

 

 

^кэ R

ш

Ток эмиттерного перехода при хх в

 

 

 

цепи

коллектора

Uоб=0,5

в,

Т с =

 

 

 

= +20° С

 

 

 

 

 

 

^эбо

ш

То же, при 7° =+60° С

 

 

 

■^эбо

по

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

///.

Параметры

 

 

 

 

при температуре окружающей среды Г° = +20±5°С

 

 

 

 

 

 

 

 

Обозна­

Един.

* Величина

 

 

Определение

 

 

 

 

 

 

чение

изм.

 

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Предельная

частота

 

 

 

 

30

 

усиления по току

 

 

 

М гц

Коэффициент

усиления

 

 

 

 

 

 

по току

при / к =0,5 а

 

/*21Э

Щ

11201

То же, при /„=1,5 а

 

/*219

Щ

Коэффициент

усиления

 

 

 

 

 

 

по

 

мощности

 

при

 

 

 

 

 

 

[/„ = 20 в и / =

10 Мгц

 

 

 

дб

8

 

Время

включения

 

 

/вкл

мксек

10.351

Время

рассасывания

 

мксек

Ко]

Остальные данные, параметры и режимы измерении не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений П605.

I кбо •ма

со

а

о о со г- со ю

со

•“©ООО О О О

о

70

 

Т°рс

перехода

+60

температуры

+60

П605—П606А от

+40

кбо транзисторов

 

перехода /

+30

коллекторного

4*20

зависимости тока

+10°

Типовые

Типовые зависимости коэффициента усиления транзисторов П605—П606А по току на большом сигнале от температуры

V »

С„. пф

Чнэй.»

Типовая зависимость напряжения коллектор —эмиттер транзисторов П606—П606А от сопротивления в цепи база —эмиттер