книги / Транзисторы
..pdfТиповые зависимости времени рассасывания транзисторов П702 от токов базы и коллектора: а) £/кэ = 10в; б) £/кэ"
- 30 о КЭ
1ф(мксек
Типовая зависимость времени нарастания тока коллектора транзисторов П702 от тока коллектора
Транзисторы кремниевые п-р-п
диффузионные мощные высокочастотные КТ801А, КТ801Б
А. Общие и конструктивные данные
/. Основное назначение
Работа в выходном каскаде кадровой развертки и в предоко нечном каскаде строчной развертки телевизора в преобразователях и импульсных схемах бытовой и промышленной электронной аппа ратуры.
2. Габаритный чертеж и располож ение выводов
Вывод коллектора электрически соединен с корпусом транзистора.
|
|
3. Конструктивные |
данные |
|
Вес транзистора |
(макс.) |
4 |
г |
|
Высота |
корпуса |
(макс.) |
8.5 мм |
|
Диаметр |
корпуса |
(макс.) |
11,5 |
» |
Длина выводов |
(мин.) |
30 |
» |
|
Диаметр |
выводов (мин.) |
0,6 |
» |
|
4. У ст о й ч и во ст ь п р о т и в вн е ш н и х в о зд е й с т в и й
Диапазон температур окружающей |
среды |
|
—20 ч - +55° С |
||||
Относительная |
влажность |
при |
температуре |
95 ч-98% |
|||
+ 40±5°С |
|
|
|
|
|
|
|
Ударные ускорения |
|
|
|
|
|
50 g |
|
Вибрация в диапазоне 10ч-70 |
гц |
|
|
|
5 g |
||
|
«5. К л а с с и ф и к а ц и о н н ы е п а р а м е т р ы |
|
|||||
|
|
|
|
|
|
Величина |
|
|
|
|
|
Обозна |
Един. |
для транзисторов |
|
Наименование параметра |
|
|
|
||||
|
чение |
изм. |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
КТ801А |
КТ801Б |
Максимально |
допустимое |
напряже |
в |
80 |
60 |
||
ние коллектор — эмиттер |
|
|
и к9 * |
||||
Коэффициент |
усиления по |
току |
Л21Э |
— |
13 ч-50 |
20 4 - 100 |
|
6 . Т е п л о в ы е п а р а м е т р ы |
|
|
|
Определение |
Обозна |
Един. |
Величина |
чение |
изм. |
||
Наибольшая |
температура |
перехода |
^макс |
°с |
+150 |
Наименьшая |
температура |
перехода |
Т° |
°с |
—60 |
|
|
|
Лмин |
|
|
Тепловое сопротивление |
переход— |
Япк |
ъ |
20 |
|
корпус |
|
|
вт |
||
|
|
|
|
|
|
Б. Электрические параметры и данные
ТРАНЗИСТОР КТ801А
В схемах кадровой и предварительных каскадах строчной раз*
рерток допускается напряжение |
коллектор — эмиттер: 1/кэл>80 в |
|||||||
при /?Эб !> 500 |
ом и U об з а п ^ —0,5 |
в . |
|
|
|
|
|
|
|
/ М аксимально допустимые данные |
|
||||||
|
1. МОЩНОСТИ (вт) |
|
А |
|
||||
при температуре окружающей |
среды |
Т°с = —2 0 + |
55° С |
|||||
|
Определение |
|
|
|
|
Обозначение |
Величина |
|
Постоянная |
мощность, |
рассеиваемая |
на |
|
* |
|5 |
||
коллекторе |
|
|
|
|
|
|
m |
|
|
|
|
|
|
|
Рт |
I г I |
|
Ток коллектора |
|
|
|
|
|
/к m |
Щ |
|
Ток базы |
|
|
|
|
|
|
7б m |
т |
При температуре окружающей среды |
с:выше +40° С |
мощности |
||||||
и токи снижаются в соответствии с формулами: |
|
|||||||
|
Р*т= |
0-05 (150° С - Г ; ) , |
вт, |
|
||||
|
/к т = 0.21^150° С |
Т\ |
а. |
|
||||
|
|
2. НАПРЯЖЕНИЯ (в) |
|
|||||
|
Определение |
|
|
|
|
Обозна |
Величина |
|
|
|
|
|
|
чение |
|||
Напряжение |
коллектор — база при |
хх |
в |
|
|
80 |
||
цепи эмиттера |
|
|
|
|
|
^кбо |
||
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
при |
|
|
{80j |
|||
Ro = 100 ом |
|
|
|
|
|
|
||
Напряжение |
эмиттер — база при |
хх |
в це |
|
|
ни |
||
пи коллектора |
|
|
|
|
|
U эбо |
||
//. Начальные токи (м а)
|
Величина |
Определение |
Обозна |
чение |
Ток |
коллекторного |
перехода при |
хх |
|
|
|
|
10 |
|||
в цепи эмиттера и £/«в=80 в |
|
^кбо |
|
0,001 |
|
||||||
Ток |
коллекторного |
перехода |
при |
|
|
|
|
|
|||
Ra = 100 ом и t/K= 80 в при |
Г° = |
|
|
|
|
Qoj |
|||||
= +20° С |
|
|
|
|
U R |
|
0,01 |
|
|||
То же, при Тс = + 55° С |
|
|
4 б R |
|
— |
|
20 |
||||
То же, при Тс ■»—20° С |
|
|
А<б R |
|
— |
|
ho] |
||||
Ток эмиттерного перехода при хх в |
I эбо |
|
|
|
|
||||||
цепи коллектора при £/эв= 2,5 в |
|
|
0,01 |
|
щ |
||||||
|
|
|
III. |
Усилит ельные параметры |
|
|
|
||||
|
|
при температуре окружающей среды |
Т°с = +20 ±5° С |
|
|||||||
|
|
|
1. ПАРАМЕТРЫ МАЛОГО СИГНАЛА |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
Обо- |
|
|
Величина |
Режим измерения |
|||
|
Определение |
|
Един. |
|
|
|
|
|
|||
|
значе |
|
изм. |
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
ние |
|
|
мин. |
макс. |
'к |
ивк |
/ |
|
|
|
|
|
|
|
а |
к г ц |
|||
Граничная |
частота |
уси |
|
Мгц |
|
__ |
|
|
_ |
||
ления |
по |
току |
//1219 |
|
10 |
0.3 |
10 |
||||
Емкость |
коллекторного |
|
пф |
|
|
|
|
|
|||
перехода |
|
Ск |
|
250 |
500 |
— |
10 |
465 |
|||
ТйпОвая зависимость сопротивления насыщения транзисторов KT80JA, КТ801Б от температуры корпуса